日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Silicon Laboratories 日前宣布其被广泛采用的Si24xx ISOmodem系列推出新产品，为各种数据调制解调器应用提供先进的语音功能、更低的功耗、更少的BOM成本和更灵活的接口选择。
2011-08-08 09:05:471392 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列卡扣式功率铝电容器---193 PUR-SI Solar
2012-11-05 10:00:40730 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率
2013-04-23 11:47:111791 — 202 2 年 8 月 15 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出Vishay BCcomponents 193 PUR-SI
2022-08-16 10:57:15737 
SI8424DB - N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI8424DB-T1-E1 - N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI8802DB-T2-E1 - N-Channel 8 V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI9182DB - Si9181DB/Si9182DB Demonstration Board - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
：Vishay Semiconductors正向跨导 - 最小值：5 S下降时间：7 ns产品类型：MOSFET上升时间：10 ns工厂包装数量：3000子类别：MOSFETs典型关闭延迟时间：10 ns典型接通延迟时间：4 ns零件号别名：SI2308BDS-GE3单位重量：8 mg
2020-09-24 14:33:55
：Vishay Semiconductors正向跨导 - 最小值：5 S下降时间：7 ns产品类型：MOSFET上升时间：10 ns工厂包装数量：3000子类别：MOSFETs典型关闭延迟时间：10 ns典型接通延迟时间：4 ns零件号别名：SI2308BDS-GE3单位重量：8 mg
2020-09-17 15:25:07
SI24R2F+与R2E是完全pin对pin替代的，在功率上上调到12dbm，距离可达600-700米；4通道，不同信道可以发不同信息；开放2个IO口，满足了2个按键功能；温度报警，指定温度值，超出
2023-02-02 14:14:04
2.4G产品在向市场推出新款RFID芯片，满足客户的同时对客户产品提出Costdown以及升级方案。针对电动车防盗车、校园卡的SI24R2E单发内置MCU，出了一款针对冷链产品SI24R2F，性能上大大
2020-01-10 13:48:24
产品在向市场推出新款RFID芯片，满足客户的同时对客户产品提出Costdown以及升级方案。针对电动车防盗车、校园卡推出一款SI24R2F，是可兼容之前的SI24R2E，性能上大大的提升。内置64次
2020-04-14 11:43:20
专注于超低功耗无线射频收发IOT解决方案芯片结合中科微2.4G产品在向市场推出新款RFID芯片，满足客户的同时对客户产品提出Costdown以及升级方案。针对电动车防盗车、校园卡推出一款SI
2019-12-19 16:30:26
于超低功耗无线射频收发IOT解决方案芯片结合中科微2.4G产品在向市场推出新款RFID芯片，满足客户的同时对客户产品提出Costdown以及升级方案。针对电动车防盗车、校园卡推出一款SI
2020-10-08 14:42:22
锁相环（PLL），调制模式：FSK(移频键控)，支持OOK(通断键控调制)传输速率：最高可达256kbps发射功率：1至8db接收型芯片灵敏度： -104 dBm至-110 dBm极低的待机
2011-12-07 16:30:46
这款模块（或者说芯片Si4438无线模块是Silicon labs公司专门针对中国市场推出的一款无线收发神器。其工作频段是425MHz到525MHz。这款芯片的技术参数如下：参数名称 SI
2017-05-27 13:57:30
SI9114采用MOSFET电路图
2019-05-20 09:24:31
SI9241 是一款单发芯片，提供在汽车双向串行通讯，诊断应用程序，集成了过压保护和短路到v。型号：SI9241AEY-T1-E3品牌：VISHAY封装：SOIC-8年份：新年份
2020-07-03 09:23:48
SI9241 是一款单发芯片，提供在汽车双向串行通讯，诊断应用程序，集成了过压保护和短路到v。型号：SI9241AEY-T1-E3品牌：vishay封装：SOIC-8年份：新年份
2020-12-19 12:09:22
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
Si24R2F+是针对IOT应用领域推出的新款超低功耗2.4G内置NVM单发射芯片。广泛应用于2.4G有源活体动物耳标，带实时测温+计步功能。相较于Si24R2E，Si24R2F+增加了温度监控
2023-09-05 14:48:00
用于Si8751隔离式MOSFET驱动器的Si8751-EVB，Si875x评估套件是驱动各种应用中使用的功率开关的理想选择，与普通SSR相比，具有更长的使用寿命和更高的可靠性。 Si8751隔离式
2020-06-08 12:07:42
的AC/DC转换和功率转换为目的的二极管和MOSFET，以及作为电源输出段的功率模块等来分类等等。在这里，分以下二个方面进行阐述：一是以传统的硅半导体为基础的“硅（Si）功率元器件”，另一是与Si
2018-11-28 14:34:33
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
Si9241AEY是一个单片总线收发器提供汽车双向串行通信诊断应用程序。该装置具有过电压保护和VBAT短路。收发信管脚受到保护可以驱动超过VBAT电压。Si9241AEY建立在Vishay
2020-07-25 14:28:42
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34:24
你好，我的Dev面临问题。板（ZCU102）。当我尝试用12VDC电源供电时，电源进入CC模式，电压下降到~5.5VDC，电流约为5.2A。我试图在电路中调试它，发现功率MOSFET
2019-05-05 06:58:16
安国半导体主要是在u***主控 sd卡这方面处于领先地位，现在为扩大经营范围 特推出新款触摸按键 价格比义隆合泰都更有优势 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以过要是感兴趣的话可以 联系***
2013-10-08 15:48:39
自2011年，中科微推出的第一颗2.4G收发一体芯片SI24R1，到后续单发的SI24R2，以及2.4G内置MCU的SI24R2E，还有近年来最新推出的大功率的2.4G单发芯片SI24R2F，SI
2019-12-13 16:19:46
科技有限公司专注于超低功耗无线射频收发IOT解决方案芯片结合中科微2.4G产品在向市场推出新款RFID芯片，满足客户的同时对客户产品提出Costdown以及升级方案。针对电动车防盗车、校园卡推出一款
2020-07-10 10:07:37
深圳云佳科技 最新推出SI4432模块本模块SI4432数传模块设计工作频率为470MHZ,在射频部分，本司做了大量的优化匹配调试，使得发射效率达到最高，谐波最小，使得SI4432无线模块对外界设备
2012-02-18 09:38:37
``VISHAY生产Si7658ADP，3000pcs/盘，Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8，60K原装现货，价格优势。联系QQ：864968599``
2014-04-02 16:25:18
TrenchFET® IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比，TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
Si2312/Si2312DS pdf datasheet (N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
2008-12-27 00:15:45
7 Si8499DB pdf,datasheet
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
APPLICATIONS• Low On-Resistance Load
2010-04-29 12:10:3111 Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向导引TO-252 DPAK 封装的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列产品。凭借反向成型的接脚，采取「SUR」封装的TrenchFET 能使该产品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。
Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 场效应管SI2301BDS场效应管SI2301BDS 是Vishay Siliconix 的产品，它是一只P 沟道、150mW、0.8V（G-S）MOSFET 器件。MOSFET 的中文全称是“金属氧化物半导体场效应晶体管”
2009-04-25 09:05:385579 
SI9114采用MOSFET电路图
2009-05-12 14:33:00650 
Vishay推出新款钽外壳液钽电容器136D
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列钽外壳液钽电容器——136D。对于高可靠性应用，136D器件
2009-11-06 08:38:41918 Vishay推出新款高速PIN光敏二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管，新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装
2009-11-13 09:21:28744 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 Vishay推出新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏电流的新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号的损害
2010-03-23 11:53:11987 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出新款薄膜贴片电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式
2010-04-17 16:12:54676 P沟道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49898 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 Silicon Laboratories (芯科实验室有限公司)日前推出Si824x隔离门极驱动器系列产品，其主要针对高功率D类音频系统而设计，输出功率可达30W~1000W。新推出的Si824x
2010-11-10 09:20:541010 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301341 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术
2011-06-16 09:35:042537 日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:40850 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSLP2512，这种电阻具有高达3W的功率和0.0005Ω的极低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款採用业界最小的晶片级封装，并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 2013 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届
2013-10-10 15:08:061138 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。
2013-12-20 09:10:031307 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道
2014-04-29 16:30:44885 宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 10 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布有助于在智能手机、平板电脑、可穿戴设备和高端笔记本电脑中减少功耗并延长电池使用时间的新款功率MOSFET---Si8457DB。
2014-10-21 14:18:221100 
PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列小型卡扣式功率铝电容器---256 PMG-SI，在只有20mm x 25mm的外形尺寸
2015-04-27 14:01:25953 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 关键词：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用
2019-01-01 16:29:01380 目前全国有很多电动车因充电时电池温度过高，而导致爆炸引起火灾的情况。作为国内RFID行业的推动者，动能世纪联合中科微向IOT应用领域推出新款大功率2.4G射频芯片，并针对电动车防盗、电动车充电桩市场
2020-04-16 17:17:232312 
目前全国有很多电动车因充电时电池温度过高，而导致爆炸引起火灾的情况。作为国内RFID行业的推动者，动能世纪联合中科微向IOT应用领域推出新款大功率2.4G射频芯片，并针对电动车防盗、电动车充电桩市场
2020-04-16 17:15:231235 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211274 
SI4432.SI4463.SI4438和LORA方案对比
2021-05-08 10:27:5932 新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 Vishay 推出 Vishay BCcomponents193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率铝电容器，额定电压和类别电压分别提升至 570V 和 475V。 器件面向太阳能
2022-08-19 09:32:27720 从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644 
本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736 
高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用
2023-11-24 14:57:39195 
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
电子发烧友App
工商网监
评论