派恩杰发布第四代SiC MOSFET系列产品

第四代SiC MOSFET

RDS(on)低至7mΩ

近日，派恩杰半导体正式发布基于第四代平面栅工艺的SiC MOSFET系列产品。该系列在750V电压平台下，5mm × 5mm芯片尺寸产品的导通电阻RDS(on)最低可达7mΩ，达到国际领先水平。相比上一代产品，第四代SiC MOSFET不仅进一步降低了导通电阻，还显著减少了开关损耗，并优化了开通/关断波形，从而实现更高的载流能力与系统效率。

随着更多第四代产品的陆续推出，派恩杰将持续助力合作伙伴打造更具性价比和更高可靠性的电源系统解决方案。

派恩杰始终秉持功率器件“摩尔定律”的理念，认为其技术演进亦是通过不断缩小元胞尺寸实现性能跃升的过程。从硅到碳化硅，这一趋势始终贯穿发展历程。早在2019年，派恩杰发布的第三代SiC MOSFET产品便率先实现了4.8μm的元胞尺寸，在导通电阻、开关损耗、抗冲击能力及抗串扰性能等方面均处于全球领先水平。

历经市场实践和与客户的深度合作，我们积累了宝贵的技术和应用经验，并将其转化为第四代产品的核心竞争力 —— 全新元胞尺寸缩小至3.5μm，在整体性能上实现跨越式提升。

在实际应用测试中，派恩杰基于自有应用负载平台，对比第三代与第四代SiC MOSFET（750V平台，芯片尺寸5mm × 5mm）在550V直流母线电压、不同负载电流条件下的表现。结果显示：第四代器件的载流能力提高超过20%，开关损耗亦下降逾20%，性能提升显著。

未来，派恩杰半导体将继续携手合作伙伴，不断优化碳化硅功率器件的性能与可靠性，为行业提供更高效、更稳定的解决方案，共创共赢。

【派恩杰半导体】

成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1，其余产品广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。