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电子发烧友网>新品快讯>瑞萨600V耐压超结MOSFET 导通电阻仅为150mΩ

瑞萨600V耐压超结MOSFET 导通电阻仅为150mΩ

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2023-05-26 14:06:17

RA MCU创意氛围赛——作品制作记录

大多是基于51、stm32、arduino,所以想试试将自己玩过的模块移植到上 PS:本人本次参赛题目为基于NBIOT和阿里云的采集系统,但是发现板子上自带esp8266模块,会先采用esp8266
2023-05-26 09:42:11

【米尔RZ/G2L开发板-试用体验】米尔RZ/G2L开发板开箱视频

今天刚刚收到米尔RZ/G2L开发板,拆开包裹后给人的感觉是惊艳,板卡设计真的很棒,来看看视频做个简单了解吧。 更多板卡可以登录官网了解哦。https://www.myir.cn/
2023-05-22 21:58:13

【米尔RZ/G2L开发板-试用体验】米尔-RZG2L - 64位双核MPU开发板开箱测评

电源接口场景 MYC-YG2LX核心板及开发板简单介绍 基于高性价比RZ/G2L处理器,具有极强的泛用性和易用性; 1/2xCortex-A55@1.2GHz+Cortex-M
2023-05-22 21:53:44

RA MCU创意氛围赛】以RA2E的车载VFD屏幕时钟

引言 很高兴能有机会参加【RA MCU创意氛围赛】,在以前学习stm32的时候,就是野火的开发板、文档以及视频带我入门的。现在有空体验一下野火的产品——系统的 启明4M2 ,主控
2023-05-21 17:02:36

资料下载 | 低导通电阻 Nch 功率MOSFET(铜夹片型)产品参考资料

列产品的参考资料,助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻,并且在各种电路中具有更出色的易用性,因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471

【米尔RZ/G2L开发板-试用体验】开箱

感谢 感谢电子发烧友论坛、感谢米尔电子,把米尔RZ/G2L开发板试用话动的机会给了我。虽然周五就收到了开发板,但是由于复阳了,为了能及时的完成试用活动,所以今天努力的爬起来完成开箱报告。 开箱
2023-05-14 19:41:46

AOS推出 600V 50mohm aMOS7™超结高压 MOSFET

Limited (AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出 600V aMOS7™ 超结高压MOSFET。 aMOS7™ 是 AOS最新一代高压 MOSFET平台,旨在满足服务器、工作站、通信电源整流器
2023-05-11 13:52:15664

ROHM开发具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET

新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能,还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装,实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻(Ron)*2,相比以往产品,导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215

RT-Thread联合即将发布高性价比HMI Board

、灵活性较差。为此,RT-Thread 联合 推出了全新的 HMI Board 开发模式,取代传统的 HMI + 主控板 硬件,一套硬件即可实现 HMI + IoT + 控制 的全套能力。依托于
2023-05-08 08:22:12

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372

RH850 R7F7010693 谁能破解

RH850 R7F7010693 谁能破解?可以的加我V:13520223020
2023-04-22 14:29:33

新闻|同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junction MOSFET-R60xxRNx系列

有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量,并降低功率损耗 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)在其600V耐压Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407

碳化硅SiC MOSFET:低通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低通电阻
2023-04-11 15:29:18

电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A规格书参数

供应电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:24:105

全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7规格书参数

供应全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:02:491

5a 600v耐压igbt SGTP5T60SD1D/F/S可代换AOD5B65M1规格书参数

供应5a、600v耐压igbt SGTP5T60SD1DFS可代换AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS规格书参数 ,可应用于光伏,变频器,UPS,SMPS以及PFC等领域,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 14:48:131

SGTP5T60SD1D国产 igbt 600v、5a可兼容替代AOD5B65M1

 供应SGTP5T60SD1D国产 igbt 600v、5a可兼容替代AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1D关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>  
2023-04-03 14:43:53

【RA4M2设计挑战赛】获奖感言

1 比赛历程总结我是在RA4M2测评活动第一次深入接触的产品真的是非常丰富,而且生态也做得非常好,有专业的开发工具,比如e2Studio,Renesas RA Smart
2023-04-02 21:56:47

【RA4M2设计挑战赛】获奖感言

感言有幸参加举办的RA4M2网关设计挑战赛,了解了RA系列单片机布局,工具链支持等。因为工具链的完美支持,RA4M2作品开发起来事半功倍,用户可以只专注于功能逻辑的开发而不需要了解底层硬件
2023-03-31 16:07:32

ir2104驱动芯片代换料ID7U603SEC-R1 600V半桥预驱方案

逆变器、全桥驱动逆变器等领域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点■浮动工作电压可达600V■拉灌电流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的输入逻辑电平■dV/dt抗干扰能力±5
2023-03-29 09:24:35930

交错并联全桥LLC电路的工作原理

1200V耐压的MOS管。当前市面上这种MOSFET较少,且价格都很贵。另外,常规的1200V高压MOSFET,其导通电阻600V MOSFET的Rds(on)高,不容易实现高效率的要求。选择ISOP交错并联LLC拓扑,就可以继续采用600V的MOS管,型号丰富,成本低,且模块效率高。
2023-03-24 11:08:587905

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