导通电阻（RDSON）指的是在规定的测试条件下，使MOSFET处于完全导通状态时（工作在线性区），漏极（D）与源极（S）之间的直流电阻，反映了MOSFET在导通状态下对电流通过的阻碍程度。
2025-05-26 15:09:34
3813 
Vishay推出3款新型单极双掷(SPDT)和双路的双极双掷(DPDT)CMOS低压模拟开关--- DG2735A、DG2725和DG2599
2011-06-30 09:02:172522 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET，适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
2012-08-15 11:25:083399 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403489 IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211630 2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。为了获得低导通电阻值，就必须增大硅片面积，需要更大晶片面积降低导通电阻，一些大电流应用需要更大封装尺寸，成本随之增加，Crss电容增加导致开关损耗增加，系统功率密度很难提高，应用受到很大限制。 高
2023-10-07 09:57:368691 
日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 FDC6324L是一款集成负载开关 是使用ON生产的半导体专有的高单元密度DMOS技术。这种非常高密度的工艺特别适合于将导通电阻降至最低，并提供优越的开关性能 这些设备特别适用于需要低导通损耗和简单
2021-11-27 12:14:08
上一篇和上上篇介绍了“升降压转换器的传递函数导出示例”的其1和其2。本文将探讨“开关的导通电阻对传递函数的影响”。本次也采用同样的方法展开探讨。推导出的传递函数同样为和，同样按两个步骤来推导。开关
2018-11-30 11:48:22
我想选择一块模拟开关。用于Pt1000的温度AD转换，主要是为了节省恒流源温度采集的电路。通过查找资料，大部分模拟开关都有较大的导通电阻，而且随温度变换较大。希望找到一款多通道模拟电路开，且随温度变化小的模拟开关。或者，有其他的解决办法吗？
2014-03-25 19:03:21
产品描述BCT4717是两路，双向单刀双掷CMOS模拟开关，工作电压从1.8V到5.5V。高带宽（300MHz）， 低导通电阻（4ΩTyp），目标应用在音频信号的切换。BCT4717的特性保证了通道
2020-08-12 14:15:55
DG406DW-E3是一款16通道单端模拟多路复用器设计用于将16个输入中的一个连接到公共端口由4位二进制地址确定的输出。应用包括高速数据采集、音频信号切换和路由、ATE系统和航空电子设备。高性能
2021-12-18 09:28:22
第二代。非常有助于改善包括电源在内的PFC等各种功率转换电路的效率。低噪声 EN系列以往的超级结MOSFET具有导通电阻低、开关速度快的特点，但存在因其高速性而噪声较大的课题。EN系列是结合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 编辑
高性能音频和增强了的噪音抑制性能Fairchild二通道单刀双掷,低导通电阻的音频开关已经开发了通过减少音频爆破音的可能性来加强语音体验。它们包括了最近的特性,具体地说是拥有终端电阻,提供缓慢开启时间和允许负电压信号的能力。
2011-03-02 23:11:29
的电源电压下，导通电阻降低。参考电气规格表和典型性能细节曲线。V+和GND为内部CMOS开关供电并设置他们的模拟电压限制。这些电源也为内部逻辑和电平变换器。电平变换器将输入逻辑电平以切换V+和GND信号以
2020-10-15 17:45:12
概述：P15V330是PERICOM半导体公司生产的一款4通道2选1高性能视频模拟开关，它具有低导通电阻（3Ω）、宽带（200MHz）、低串扰（10MHz/-58dB）等特点。该芯片采用单一+5V。它为双列16脚贴片封装.
2021-05-19 07:13:48
忽略输入开关的导通电阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，远大于外部电阻Rext，输入开关导通电阻为何能忽略？如果考虑Rin，又该如何计算？另外Vstep为什么这样计算？
2018-08-06 07:49:37
较低的电源电压下，导通电阻降低，并且数字输入VIL在VS≤±2V时变为负值。参考“典型性能”曲线了解详细信息。V+和V-为内部CMOS开关供电并设置其模拟电压限制。这些电源也为内部供电逻辑和电平变换器
2020-10-09 16:58:54
产品重要性的同时，不约而同地表示要将精力集中在高性能模拟产品上。那么，在众说纷纭“高性能”的情况下，什么产品才是高性能模拟产品？面对集成度越来越高的半导体行业，高性能模拟产品是否生存不易？中国市场对高性能模拟产品的接受程度如何？
2019-06-20 06:22:00
当开关串联的负载为低阻抗时损失更大。应用中应根据实际情况选择导通电阻合适的开关。特别需要注意，导通电阻的阻值与电源供电电压有直接关系，通常电源电压越大，导通电阻就越小。 图2 CMOS型模拟开关
2021-03-15 11:45:39
潜在的电击危险。 按照认证机构的规定，例如欧盟的CE认证、美国和加拿大的UL认证，电气产品制造商应该使用接地导通电阻测试仪来验证其性能。若未经CE、CSA或UL认证标识，产品不允许在相应的国家进行
2017-09-30 09:38:49
常用CMOS模拟开关引脚功能和工作原理CMOS模拟开关典型应用举例
2021-04-23 06:17:43
4给出了Maxim的新型开关与早期开关在5V电源下的性能比较。图3. 较高电源电压下导通电阻较低 图4. +5V电压下，新型模拟开关具有较低的导通电阻。为单电源系统选择模拟开关时，尽量选择专用于单
2011-12-16 10:47:02
带保护功能的 Type-C USB 模拟音频开关 概述深圳锦宏世纪科技李工：***QQ:2881671130ET7480 是一款高性能 Type-C USB 模拟切换开关，支持模拟音频耳机
2020-03-16 17:53:24
` （1）不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻
2018-11-01 15:01:12
测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用，还在哪些方面有重要的意义？
2012-05-17 10:44:16
请问有人知道MOS管作为开关如何仿真在开启与中断状态下，不同频率点的导通电阻吗？我想仿真上图的SW在Vsw不同状态下MOS管的导通电阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，结果查看ZM的实部，但是出来的结果如下所示：结果都很小并且打开和关断阻抗大小是相反的，请问有人知道这个是出了什么问题吗
2021-06-25 07:59:24
现在设计一个电路，需要16选一的模拟开关，并且导通电阻要几欧姆，太大会影响信号，请问大家有没有这样的模拟开关？
2019-08-22 22:52:32
降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流子导电虽能降低导通压降，但付出的代价是开关速度的降低并出现拖尾电流，开关损耗增加，失去了MOSFET的高速的优点。 以上两种办法
2023-02-27 11:52:38
CMOS模拟开关的选择与典型应用
一、前言：早期的模拟开关大多工作于±20V 的电源电压，导通电阻为几百欧姆，主要用于模拟信号与数字控制的接口，近几
2010-05-24 17:36:17
57 CD4051/4052/4053多路选择模拟开关
概述:CD4051 系列模拟开关是用数字信号控制的多路调制/选择模拟开关，具有低导通电阻和很低的关态漏电流。通过模拟开关的
2010-05-24 17:47:15388
高性能的模拟开关
2009-04-13 10:49:07607 
FET导通电阻Ron的修正电路图
2009-08-15 17:30:051716 
Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 TI具有最低导通电阻的全面集成型负载开关
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争
2009-12-18 09:26:061007 TI发布具备更低导通电阻的集成负载开关
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 mΩ 标准导通电阻 (RON) 比同类竞争产品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具备最低导通电阻的完全整合型负载开关
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 Vishay推出Bulk Metal箔电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基准、密封充油的Bulk Metal®箔电阻 --- H和HZ系列，在精度、稳定性和速度上都设定了新的
2010-01-09 09:44:18802 IR智能电源开关为24V汽车应用提供超低导通电阻
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出 AUIPS7111S 高侧智能电源开关。该产品具有超低的导
2010-03-19 09:14:551514 CMOS模拟开关,CMOS模拟开关是什么意思
CMOS（本意是指互补金属氧化物半导体——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料）是微机主板上的一块可
2010-03-22 17:10:592279 导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:475716 Vishay发布2010年的“Super 12”高性能产品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出2010年的“Super 12”高性
2010-03-25 15:37:061076 IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 Vishay推出Power Metal Strip分流电阻的流媒体视频
Vishay推出为帮助客户了解如何将Vishay Dale电阻技术用于定制产品，满足特定用户的需求，Vishay在其网站(
2010-05-08 16:14:23937 英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:262309 1、CMOS集成模拟开关的基本原理
CMOS模拟开关具有电源电压范围宽（4000系列
2010-12-06 13:06:534311 
飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 MAX4644是一个单刀(SPDT)开关，采用单从+1.8 V至+5.5供电五它提供了低4Ω导通电阻(RON)的，以及在整个1Ω模拟信号范围RON平坦度。
2011-02-12 09:46:5811936 
日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSLP2512，这种电阻具有高达3W的功率和0.0005Ω的极低阻值。
2012-02-07 11:43:062937 MAX4607/MAX4608/MAX4609双模拟开关具有低导通电阻2.5Ω最大。交换机之间相匹配的导通电阻为0.5Ω最大值，超过指定的信号范围内是平坦的(0.5Ω最大值)。
2012-11-06 09:18:034041 
东芝公司（Toshiba Corporation）推出了一种低导通电阻功率MOSFET，该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品“TK80A04K3L”还实现了低漏电电流和175℃的保证工作温度。该产品不但非常适用于汽车应用，还适用于电机驱动器和开关稳压器
2013-01-22 10:25:301152 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关，器件可在1.5V～5.5V电压范围内工作，具有低至20mΩ的导通电阻、低静态电流， 导通电压上升斜率为3ms
2013-05-03 15:50:582190 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 。Vishay Siliconix SiZ340DT把高边和低边MOSFET组合在一个小尺寸封装里，导通电阻比前一代同样封装尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可节省空间，并简化高效同步降压转换器的设计。
2014-02-10 15:16:511504 TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 本文概述了模拟开关的基本结构、工作原理和应用范围；定义了导通电阻、平坦度和电荷注入等与性能密切相关的指标；并对ESD保护、故障保护和加载-感应功能等针对特定应用的特性进行了介绍。
2016-05-13 16:40:237 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，将多个Vishay Siliconix模拟开关产品升级到了新工艺，大幅提升了器件性能和寿命。这种新工艺能够替代渐趋过时的硅技术
2016-09-02 09:15:073874 MTM非晶硅反熔丝导通电阻_马金龙
2017-01-07 20:43:120 消除模拟开关导通电阻影响电路增益的方法_张庆思
2017-01-19 21:54:151 不同于市场上其他芯片尺寸封装（WLCSP）而成的负载开关产品，Silego推出的三款功能丰富的低导通电阻集成电源开关，集合了顶级FETIP与系统级保护功能。
2017-09-19 17:34:597 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双路单刀双掷/四路单刀双掷模拟开关---DG2788A。该开关在2.7V下的电阻低至
2018-08-03 11:45:001069 MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12:0015153 当前VLSI 技术不断向深亚微米及纳米级发展，模拟开关是模拟电路中的一个十分重要的原件，由于其较低的导通电阻，极佳的开关特性以及微小封装的特性，受到人们的广泛关注。模拟开关导通电阻的大小直接影响开关的性能，低导通电阻不仅可以降低信号损耗而且可以提高开关速度。
2018-11-21 08:01:005385 Vishay DG 增强模拟开关 IC 具有 16V 扩展工作电压范围和增强的漏电流限制。 DG 增强 IC 还具有更低的开关导通电阻以及整体降低的功耗。 该 IC 提供增强的坚固性，同时具有更高
2019-08-23 09:31:323092 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141555 NLAS5223是安森美公司推出的器件，是一种先进的CMOS模拟开关。在一个小尺寸10引脚WQFN封装中，有两个独立的单刀双掷模拟开关。该模拟开关主要特点：工作电压低，VCC=1.65～3.6V
2020-08-14 14:57:213601 
ADG1419：2.1Ω导通电阻，±15 V/+12 V/±5 ViCMOS SPDT开关数据表
2021-04-23 09:05:152 ADG1404：1.5CMOS导通电阻，±15 V/12 V/±5 V，4：1，i
2021-04-27 19:54:292 ADG1411/ADG1412/ADG1413：1.5Ω导通电阻，±15 V/+12 V/±5 V，iCMOS，四路单掷开关数据表
2021-04-29 11:02:404 ADG1436：1.5CMOS导通电阻，±15 V/12 V/±5 V，ICMOS双Ω开关数据表
2021-05-19 17:39:271 Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212‑8S 封装，导通电阻低至 0.95 mΩ，优异的 FOM 仅为 29.8 mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:573908 导通电阻是二极管的重要参数，它是指二极管导通后两段电压与导通电流之比。生活中常用的测量导通电阻的方法有测量接地网接地阻抗法、万用表测量法、接地摇表测量法以及专用仪器测量法。
2022-01-29 15:49:0029360 在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞 争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之以
2022-03-17 09:35:333704 LN3052 是一款双路单刀双掷(SPDT)CMOS 模拟开关，适用于语音切换，移动设备等。LN3052 可在 1.8V-5.5V的电源下工作，工作带宽为 300MHz，最低导通电阻为4.5Ω。
2022-06-16 11:55:227029 
LN3657 是一款单通道单刀双掷(SPDT)CMOS 模拟开关，适用于语音切换，移动设备等。LN3657 可在 1.8V-5.5V的电源下工作，工作带宽为 300MHz，最低导通电阻为 4.5Ω。
2022-06-23 09:25:153894 
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，现已开始出货。
2022-09-01 15:37:531079 SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22919 比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势，但与UnitedSiC FET相比，这表明潜在的损耗更高，整体效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
上一篇和上上篇介绍了“升降压转换器的传递函数导出示例”的其1和其2。本文将探讨“开关的导通电阻对传递函数的影响”。
2023-02-24 09:51:161607 
原厂： 润石科技 型号： RS2103 封装： SOT363 (SC70-6) ，SOT23-6 品类: 低导通电阻、低电压、SPDT模拟开关 应用: [可穿戴设备] [ 电池供电设备] [信号
2023-04-07 17:59:321374 新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06903 
本文回顾了标准CMOS模拟开关的基本结构和通用模拟开关的一些基本参数，比如导通电阻(RON)、RON平坦度、泄漏、电荷注入和关断隔离。文章讨论了新型模拟开关的性能改进：更好的开关特性、更低的工作电压
2023-06-12 10:20:156273 
AW35321QNR是艾为电子推出的双通道单刀双掷模拟开关。0.5Ω（典型值）超低导通电阻以及只需要单电源供电即可支持负摆幅信号的特性使其非常适合应用于音频领域。
2023-10-18 09:21:403518 
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:571617 电子发烧友网站提供《TS12A451x低导通状态电阻4通道SPST CMOS模拟开关数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-28 14:01:370 在电子元件领域不断创新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。这款新型热敏电阻以其宽阻值范围、高电压处理能力和高能量吸收能力，为汽车和工业应用中的有源充放电电路带来了显著的性能提升。
2024-03-12 10:34:111544 电子发烧友网站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低导通电阻负载开关数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-15 10:51:390 电子发烧友网站提供《具有可控接通功能的超小型、低导通电阻负载开关TPS22912 数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-15 13:46:040 电子发烧友网站提供《具有稳压浪涌电流的4.5V、1.5A、7.5mΩ导通电阻快速导通负载开关TPS22999数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-26 10:38:480 近日，锐骏半导体正式推出了两款全新的超低导通电阻MOSFET产品，为市场带来了更加高效的解决方案。
2024-10-08 15:15:391054 NX899是一款先进的CMOS模拟开关，它采用硅栅CMOS技术制造，在保持CMOS低功耗的同时，实现了非常低的传播延迟和低导通电阻，模拟电压和数字电压可能在整个供电范围内(从VCC到GND)有所不同。
在性能上，NX899能国产替代SN74LVC1G3157、SGM3157。
2025-02-05 17:26:121124 
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
Texas Instruments TPS22995导通电阻负载开关支持可配置上升时间，以最大限度地减小浪涌电流。该单通道负载开关包含一个可在0.4V至5.5V输入电压范围内运行的N沟道MOSFET，并且支持3.8A的最大连续电流。
2025-09-02 14:57:49638 
圣邦微电子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐压、低导通电阻、输入电容低、切换速度快、高性能的 N 沟道 MOSFET。该器件可应用于 VBUS 过压保护开关、AMOLED 显示控制器、电池充放电开关及 DC/DC 转换器。
2025-10-14 17:34:482209 
圣邦微电子推出 SGM25642，一款 5.5V，15A 峰值电流能力，具备可编程软启动、电流监测和输出放电功能的低导通电阻负载开关。该器件可应用于笔记本电脑和平板电脑、便携式设备、固态硬盘和手持设备。
2025-11-05 17:24:162153 
在电池管理系统（BMS）中，MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件，其导通电阻（RDS(on)）参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE，在支持客户调试或可
2025-11-12 11:02:47339 
在电源管理系统和高效电池管理系统（BMS）设计中，MOSFET作为开关元件，扮演着重要角色。由于其导通电阻直接影响到电路效率、功率损耗和热量产生，因此低导通电阻的MOSFET成为越来越多高效系统
2025-12-16 11:01:13198 
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