电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>业界新闻>厂商新闻>Mouser开始供应Vishay Siliconix Si8802 TrenchFET功率MOSFET

Mouser开始供应Vishay Siliconix Si8802 TrenchFET功率MOSFET

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

TPS8802EVM

TPS8802 模拟前端(AFE) 接口 评估板
2024-03-14 23:22:14

Vishay推出30V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET

全球知名半导体解决方案供应Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102

Vishay推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET

近日,全球知名的半导体解决方案供应Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET,型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293

Vishay发布五款新型半桥IGBT功率模块

Vishay近期发布五款新型半桥IGBT功率模块,其改良设计的INT-A-PAK封装备受瞩目。这五款器件,包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等,均运用Vishay领先
2024-03-08 11:45:51266

CYPD2122+8802做成的power bank,可否修改占空比?

对于CCG2 (CYPD2122)+8802 做成的power bank,PD无论是空载还是满载,IPWM和VPWM占空比都是100%,可否改为93%?如果可以话,能否告知在代码哪个地方修改吗?
2024-02-29 07:33:09

功率MOSFET的雪崩效应

在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53343

Vishay推出多功能新型30 V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET

Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353

功率MOSFET的结构与工作原理

功率MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点,因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36294

FP6151内置内部功率MOSFET产品手册

电子发烧友网站提供《FP6151内置内部功率MOSFET产品手册》资料免费下载
2024-01-15 14:47:230

芯联集成荣获比亚迪“特别贡献奖”

自2021年起,芯联集成与比亚迪在多个领域展开深度合作,涵盖晶圆电力MOSFET、IGBT、SiMOSFET功率器件及车载主驱功率模块、模拟IC等多个板块。
2024-01-08 09:36:26194

功率电子器件从硅(Si)到碳化硅(SiC)的过渡

功率等级的功率转换、更快的开关速度、传热效率上也优于硅材料。 本篇博客探讨了SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域,从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案。 硅基MOSFET、碳化硅(SiC)MOSFET、氮化镓(GaN)HEMT或
2023-12-21 10:55:02182

中瓷电子:国联万众部分1200V SiC MOSFET产品已批量供货中

据悉,国联万众公司已研发出具备指标性能堪比国外知名厂商的1200V SiC MOSFET产品,部分型号产品已开始供应市场。另一方面,针对比亚迪在内的多方潜在客户,该公司的电动汽车主驱用大功率MOSFET产品正在进行进一步洽谈。
2023-12-12 10:41:48229

为什么SiC在功率应用中战胜了Si

碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。
2023-12-11 11:29:35196

如何避免功率MOSFET发生寄生导通?

如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24522

SiC MOSFETSi MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比

SiC MOSFETSi MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258

全方位理解功率MOSFET的雪崩失效现象

功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛,因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果,对于MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。
2023-12-04 15:57:241113

功率MOSFET雪崩特性分析

功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315

功率MOSFET管应用问题汇总

问题1:在功率MOSFET管应用中,主要考虑哪些参数?在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算,通常取多少比较好?相应的PCB设计,铜箔面积布设多大散热会比较好?漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样?有公式可以计算吗?
2023-12-03 09:30:40408

高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用介绍

图1显示Littelfuse在HV分立Si MOSFET市场具有领导地位,特别是在1700V以上产品。作为业界最高电压阻断能力(高达4700V)器件的制造商
2023-12-01 11:04:49337

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149

高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用

高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用
2023-11-24 14:57:39195

功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识

功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
2023-11-23 09:06:38407

TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源

电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:290

SI24R1兼容NORDIC通信开发资料

一、友商的nRF24L01+不要求芯片底部的金属焊盘接地,Si24R1规格书上也没要求接地,这是因为发射功率较低只有0dbm的情况,当芯片发射功率大于0dbm以后,芯片底部的金属焊盘会有很多白噪声
2023-11-06 10:27:02

功率MOSFET内部结构和工作原理

MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管或MOS管,可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件,通常工作电流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外,对于散热量极低的笔记本电脑来说,这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过
2023-11-01 08:24:31345

功率MOSFET选型的几点经验

功率MOSFET选型的几点经验在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的,这里不作赘述,只对实际
2023-10-26 08:02:47373

功率MOSFET的分类及优缺点 功率MOSFET的选型要求

在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
2023-10-25 10:43:16765

功率MOSFET选型的几点经验分享

和小功率MOSFET类似,功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493

IGBT/FRD/MOSFET功率器件模块材料介绍

能。❖功率半导体芯片:如IGBT、FRD、MOSFET等等,传统Si基和新兴的第三代半导体SiC等,它们的特性受制于其本身的设计,同时也需要看于其搭配的封装材料和
2023-10-24 09:45:033032

英飞凌科技、现代汽车和起亚达成为期多年的Si功率半导体供应协议

英飞凌科技、现代汽车公司和起亚公司达成了一项为期多年的SiC和Si功率半导体供应协议。英飞凌将建设并储备制造能力,为现代/起亚提供SiC和Si功率模块和芯片,直至2030年。现代/起亚将提供资金支持
2023-10-23 15:40:35436

汽车电子系统功率MOSFET的解决方案

汽车电子MOSFET发展的一个最终方向是提高感测、控制和保护功率开关的性能。功率器件正集成到智能化车载系统中。现在在最低功率级别,MOSFET可以与功率器件上的感测元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148

功率MOSFET结构和参数解读

众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621

硅IGBT与碳化硅MOSFET的优缺点

Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说,MOSFET更适合高频开关应用,而IGBT更适合高功率应用。
2023-10-17 14:46:401025

MOSFET功率损耗详细计算

MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39

碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展

在碳化硅电力电子器件的研究中,SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天,SiC功率器件由于具有耐压高、损耗低、效率高等特点,一直被视为理想器件而备受期待。不过,与以往
2023-09-27 15:37:191392

P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书

电子发烧友网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:110

[SI4946BEY-T1-E3(VBA3638)]MOSFET产品应用与参数解析-VBsemi#电路知识

电路MOSFET
微碧半导体VBsemi发布于 2023-09-19 17:13:36

如何避免功率MOSFET发生寄生导通

如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35590

500V N沟道超级结功率MOSFET

SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明, 高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34

650V N沟道超级结功率MOSFET

SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET,根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低,使其特别适用于需要更多高效,更紧凑,LED照明,高 性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02

600V N沟道超级结功率MOSFET

SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明, 高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢?

在高功率应用中,碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
2023-09-11 14:55:31347

600 - 650V MDmesh DM9快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性

这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr),以及出色的品质因数(RDS(on) x Qg),能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53

功率MOSFET功耗计算指南

功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外,对于散热量极低的笔记本电脑来说,这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例,详细说明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446

如何计算MOSFET实际应用中的损耗

功率半导体自20世纪50年代开始发展起来,至今形成以二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等为代表的多世代产品体系。新技术、新产品的诞生拓宽了原有产品和技术的应用范围,适应更多终端产品的需求,MOSFET同样衍生出GaN,SiC新型材料的产品去覆盖更高功率密度、更高电压、以及高开关速度的应用场景。
2023-08-31 14:14:071044

车规级N沟道功率MOSFET参数解析(2)

雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压,但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy],流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501

怎样通过并联碳化硅MOSFET获得更多功率呢?

为了划分所涉及的功率并创建可以承受更多功率的器件,开关、电阻器和 MOSFET 并联连接。
2023-08-29 11:47:48302

功率MOSFET数据手册技术解析

功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06552

贸泽提供品类丰富的Vishay汽车级产品

2023 年8 月18 日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 供应多款Vishay针对汽车应用设计的产品
2023-08-18 14:56:07372

越联 PW-8802-2K手动碾压滚轮辗压轮2KG

 用途 PW-8802-2K手动辗压滚轮适用于胶粘带剥离力,持粘性等试验用试件的准备,利用滚轮本身之重量,使试片能完全密合贴于试验板上,以做为粘着保持力与剥离力之用。 
2023-08-04 14:56:54

600W MOSFET功率放大器电路图及PCB设计

这是600W MOSFET功率放大器的电路图。该电路将为阻抗为 4 欧姆的扬声器提供超过 600 瓦的音频输出。该高功率放大器电路仅在输出级使用6个N沟道MOSFET IRFP450,即可为您提
2023-07-28 17:04:191357

ZL8802数据表

ZL8802 数据表
2023-07-11 20:10:500

Littelfuse的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件介绍

在现今电力电子领域,高压(HV)分立功率半导体器件变得越来越重要,Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483

华羿微电科创板IPO获受理!主打MOSFET功率器件,募资11亿布局车规级市场

及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年,是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业,主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET功率器件和硅基MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02520

Wolfspeed开始向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET

  根据Wolfspeed的最新消息,随着其在纽约州莫霍克谷工厂的投产,Wolfspeed已经开始向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET,首批供应的产品型号为C3M0040120K。莫霍克谷器件
2023-07-06 10:35:14373

华羿微电科创板IPO获受理!主打MOSFET功率器件,募资11亿布局车规级市场

研发及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。   华羿微电成立于2017年,是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业,主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET功率器件和硅基MOSFET及模块、IGB
2023-07-06 01:16:001409

SI4606双N+P沟道增强功率MOSFET规格书

一般说明SI4606采用先进的沟槽技术,以提供优良的活性氧(导通),低栅极电荷栅极电压低至4.5V的操作。该装置适用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。  深圳市奥科迪科技有限公司
2023-07-05 17:37:140

功率场效应管的基本特性,如何提高功率MOSFET的动态性能

MOSFET的漏伏安特性(输出特性):截止区(对应GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。功率MOSFET在开关状态下工作,即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37974

PS8802-1,-2数据表

PS8802-1,-2 数据表
2023-07-03 19:51:050

高压放大器简化MOSFET漏电测试

,需要更多的制造测试能力。除了成熟的半导体ATE供应商之外,许多公司正在开发产品以满足功率MOSFET测试需求。
2023-06-30 11:26:16878

功率MOSFET的UIS雪崩损坏模式

功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式:热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40:541276

功率MOSFET基本结构:平面结构

功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三个管脚,分别为栅极( Gate
2023-06-28 08:39:353665

耗尽型功率MOSFET:被忽略的MOS产品

功率MOSFET最常用于开关型应用中,发挥着开关的作用。
2023-06-27 17:41:20369

DP4021反激副边同步整流芯片内置60V功率MOSFET-DP4021规格书

供应DP4021反激副边同步整流芯片内置60V功率MOSFET,提供DP4021规格书关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-15 17:08:092

10N65L-ML高压功率MOSFET规格书

UTC 10N65-ML是一款高压功率MOSFET,它结合了先进的沟槽MOSFET,设计具有更好的特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通状态电阻和高崎岖雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。 
2023-06-14 16:45:450

Vishay VOMDA1271汽车级光电压输出光耦,用于MOSFET开关,集成关断电路,提升应用性能

Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压(8.5V)达到业内先进水平 Vishay  推出一款业内先进的新型汽车级光电压输出光耦,用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426

Vishay VOMDA1271汽车级光伏MOSFET集成关断电路

Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压(8.5V)达到业内先进水平 Vishay  推出一款业内先进的新型汽车级光伏 MOSFET 驱动器
2023-06-08 19:55:02374

功率MOSFET基本结构:平面结构

功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚,分别为栅极(Gate
2023-06-05 15:12:10671

设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数

我们将讨论设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数,还分析了双极结型晶体管(BJT)和MOSFET特性之间的差异,并了解了为什么MOSFET更适合功率放大器应用并使其更有效。
2023-06-05 09:07:19737

Vishay全新厚膜功率电阻通过AEC-Q200认证 设计更简化

Vishay  MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay  推出一款通过
2023-06-03 08:25:02533

MOSFET的种类有哪些

Vertical MOSFET(垂直MOSFET) 5. Power MOSFET功率MOSFET) 6. Junction Field Effect Transistor (JFET)(结型场效应晶体管
2023-06-02 14:15:36937

MOSFET对使单刀双掷开关变得简单

以对 MOSFET 使用单个控制输入。这种拓扑结构中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A时表现出小于0.1V的压降,并且两个MOSFET都采用SO-8封装。
2023-05-31 17:49:243200

无线数传模块SI4463、SI4438、SI4432方案无线通信比对

1.基本参数对比 以上图片是成都亿佰特科技有限公司基于SI4463、SI4438和SI4432三款芯片设计的相关产品,上述列表是基于三款产品的测试据。 2.功能简述 SI4432 : SI
2023-05-31 15:54:430

设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数

在这篇文章中,我们将讨论设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数。我们还分析了双极结型晶体管(BJT)和MOSFET特性之间的差异,并了解了为什么MOSFET更适合功率放大器应用并使其更有效。
2023-05-24 17:25:422111

碳化硅MOSFETSi MOSFET的比较

。与其他类型的晶体管相比,MOSFET具有更高的功率密度,这是一个明显的优势。此外,与BJT(双极结型晶体管)相比,MOSFET需要最少的输入电流来控制负载电流。
2023-05-24 11:19:06720

功率MOSFET驱动保护电路方案大全

分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全,希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02

一款简单的MOSFET功率音频放大器电路

基于Siliconix应用以及串联插入运算放大器驱动器电压供应商的2个电阻的电压变化。MosFET晶体管必须安装在至少1K/W的散热器上。
2023-05-23 16:50:331164

同步整流下功率MOSFET的分析介绍

同步整流技术就是用功率MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流技术,就必须首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET
2023-05-18 09:10:06421

ZL8802数据表

ZL8802 数据表
2023-05-15 19:00:100

功率MOSFET的雪崩强度限值

功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义,失效的现象及评估的方法是功率MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
2023-05-15 16:17:451133

功率MOSFET的SOA安全工作区域

功率MOSFET的数据手册中会有一个看似复杂的SOA(Safe Operation Area)图片,这个安全工作区域图告诉我们只有MOSFET工作在曲线内才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA图。
2023-05-15 16:16:311174

关于MOSFET功率损耗的三个误解

数据手册就是电子元件的使用说明书,在电路设计之前,十分有必要通读数据手册,并了解产品的重要性能参数。在MOSFET的数据手册中极限值表格中的总功率损耗Ptot就是一个十分有趣的参数。说它有趣是因为
2023-05-15 16:10:25626

功率MOSFET怎样关断?能否用PWM实现?

功率MOSFET怎样关断?能否用PWM实现?怎样实现?
2023-05-08 16:16:27

如何使用P/N沟道MOSFET构建通用全桥或H桥MOSFET驱动电路

在本文中,我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路,该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288

R1LV0816ABG-5SI 7SI 数据表

R1LV0816ABG-5SI 7SI 数据表
2023-04-20 18:42:210

SiC和Si的应用 各种SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC)器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,SiC还具有比Si更低的热阻,这意味着它可以更有效地散热,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161468

DRV8802PWP

DRV8802 1.6A DUAL BRUSHED DC MOT
2023-04-06 10:22:12

AP8802EV1

EVAL BOARD FOR AP8802
2023-03-30 11:57:30

AP8802EV2

EVAL BOARD FOR AP8802
2023-03-30 11:57:30

AP8802EV3

EVAL BOARD FOR AP8802
2023-03-30 11:57:30

AP8802HEV2

EVAL BOARD FOR AP8802H
2023-03-30 11:57:30

DRV8802EVM

EVAL MODULE FOR DRV8802
2023-03-30 11:41:24

88732-8802

88732-8802
2023-03-29 21:35:39

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13

SI8802DB-T2-E1

MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
2023-03-28 22:20:30

SC8802QDER

SC8802QDER
2023-03-28 18:10:07

PS8802-1-F3-AX

PS8802-1-F3-AX
2023-03-28 13:22:31

已全部加载完成