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电子发烧友网>物联网>Vishay推出业界首款符合AEC-Q101要求的N通道60V MOSFET--- SQJ264EP

Vishay推出业界首款符合AEC-Q101要求的N通道60V MOSFET--- SQJ264EP

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60 VN沟道沟槽MOSFET 2N7002AKW-Q数据手册

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2024-01-14 10:35:550

60 VN沟道沟槽MOSFET 2N7002AK-Q数据手册

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2024-01-14 10:27:310

60 V,双N沟道沟槽MOSFET 2N7002AKS-Q数据手册

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2024-02-21 13:57:091

瞻芯电子开发的3第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证

3月8日,瞻芯电子开发的3第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:381471

Vishay推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET

近日,全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET,型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:021364

蓉矽半导体SiC MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。
2024-03-12 17:18:212547

瞻芯电子推出第二代650V SiC MOSFET产品

瞻芯电子近日宣布成功推出第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET推出,标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131665

SGS为华微电子颁发AEC-Q101认证证书

近日,国际公认的测试、检验和认证机构SGS(以下简称为“SGS”)为吉林华微电子股份有限公司(以下简称为“华微电子”)颁发AEC-Q101认证证书。
2024-03-22 18:25:561834

60V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET CSD18541F5数据表

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2024-03-27 13:49:350

通道 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88539ND数据表

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2024-04-07 14:49:200

强茂推出最新的60V、100V和150V车规级MOSFET

强茂推出最新的60V、100V和150V车规级MOSFET,此系列专为汽车和工业电力系统设计提供优异性能和效率。
2024-05-23 11:42:492165

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582259

Nexperia 2N7002BK,215 N沟道MOSFET中文参数资料_封装尺寸_焊脚说明

电子设计中具有广泛的应用潜力。高达2 kV的ESD保护能力和AEC-Q101认证的高可靠性设计,确保了在汽车电子和其他高要求应用中的优异表现。(买电子元器件上安玛芯城) 中文参数资料     参数 规格
2024-07-01 11:50:242442

车载用SiC MOSFET又增10个型号,业界丰富的产品阵容!

SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,该系列产品“ 支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101 ”,而且共有13型号,拥有业界丰富的产品阵容。 为了延长xEV的续航距离,要求车载充
2024-08-25 23:30:22762

基本半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级认证

近日,基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证,产品性能和可靠性满足汽车电子元器件在极端环境下的严苛要求,至此公司获车规级认证的碳化硅功率器件产品家族再添一员。
2024-09-13 10:20:191574

AEC-Q101——HAST试验介绍

C-Q101-2021标准在汽车行业中,电子器件的可靠性直接关系到车辆的性能和乘客的安全。随着汽车电子化程度的不断提高,对电子器件的质量和可靠性要求也越来越高。AEC-Q101-2021标准应运而生
2025-01-09 11:04:301469

BSS138AKM-Q 60V N沟道沟槽MOSFET规格书

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2025-02-09 11:28:350

2N7002AKM-Q 60VN沟道沟槽MOSFET规格书

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2025-02-09 11:29:170

CSD18543Q3A 60VN 通道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

这款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换中的损耗 应用。 *附件:CSD18543Q3A 60V N 沟道
2025-04-16 10:35:32787

ZSKY-CCS6081EP N沟道60V快速开关MOSFETs规格书

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2025-05-14 17:26:440

Nexperia推出符合AEC-Q101标准的新款100V MOSFET

Nexperia(安世半导体)近日宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET,采用紧凑型CCPAK1212(12 x 12毫米)铜夹封装。此款器件具有超低导通损耗,导通电
2025-09-18 18:19:141118

‌NVD5867NL 单N沟道功率MOSFET技术详解

大电流能力。NVD5867NL N通道MOSFET符合雪崩能量规格要求,通过AEC-Q101认证,并支持PPAP。这款N通道MOSFET无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。典型应用包括汽车电磁阀/继电器驱动器、汽车灯驱动器、汽车电机驱动器、汽车DC-DC转换器输出驱动器以及汽车信息娱乐系统。
2025-11-21 11:45:25366

NVBLS1D2N08X:一高性能80V N沟道功率MOSFET的深度解析

安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有~低QRR~ 、~RDS(on)~ 和 ~QG~ ,可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。MOSFET符合AEC-Q101标准,适用于汽车48V系统
2025-11-24 09:29:21325

NVTFWS002N04XM功率MOSFET技术解析与应用指南

安森美 (onsemi) NVTFWS002N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低电容,采用符合AEC-Q101标准的封装。该MOSFET具有40V漏极-源极电压、114A连续漏极
2025-11-24 09:56:46275

Diodes公司推出高效率60V升压控制器AL3069Q

Diodes 公司(Diodes)(纳斯达克代码:DIOD)推出AL3069Q,一符合汽车标准的高效率 60V 升压控制器,适用于背光应用。该器件包含四个80V高精度灌电流(Current
2025-12-01 16:15:311028

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