Analog Devices(ADI)推出业界首款片内集成数字I/Q解调器和抽取滤波器的8通道超声接收器AD9670
2012-07-27 09:25:07
4699 前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款通过AEC-Q101认证并具有ESD保护的600V标准整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。对于空间有限的应用,新器件可提供2A和3A的正向电流和高
2012-11-22 09:11:46
1355 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
3499 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:38
3289 Vishay 宣布,推出2颗通过AEC-Q101认证的透射式光传感器---TCUT1630X01和TCUT1800X01,可用于汽车和工业领域。Vishay Semiconductors
2018-04-20 14:35:49
8647 Vishay提供PLCC-2和超小尺寸MiniLED封装版本,器件通过AEC-Q101认证并具有1400 mcd的发光强度。
2018-07-25 11:29:05
12447 业内最受欢迎的适用于AEC-Q101高温应用的BAS16 / 21二极管和BC807 / 817晶体管。
2019-07-07 10:33:18
1396 Vishay推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。
2019-12-13 15:54:00
1878 器件适用于小信号探测,符合AEC-Q101标准,不透明封装信噪比优异,几乎无段间公差。
2020-12-18 15:23:29
1178 Vishay宣布,推出经过AEC-Q200认证、业界先进的采用混合绕线技术、标准封装尺寸的新型充电电阻--- HRHA。
2022-03-16 11:21:34
1110 
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范,具体而言,低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
Bourns CDSOT23-T24CAN-Q CANbus保护器是符合AEC-Q101标准的浪涌保护器,适用于汽车应用的CAN接口。CDSOT23-T24CAN-Q采用SOT23-3封装,设有双路
2021-01-27 10:11:12
`NPN中功率晶体管系列,采用表面贴装器件(SMD)塑料封装,具有大电流,高功耗,出色的导热性和导电性等优势。n具有中等功率能力的无铅超小型SMD塑料封装(SOT1061)。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
`Nexperia汽车用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101标准的器件,符合汽车行业制定的严格标准。这些Nexperia汽车器件设计用于比家用和便携式应用中使用的功率MOSFET更恶劣
2021-01-23 11:20:27
AEC-Q101认证的车规级TVS管SM8ZXXA/CA系列,产品系列齐全,以满足不同标准要求的客户需求。特性:[size=14.0000pt]1、高可靠性、符合汽车标准AEC-Q101认证;[size
2019-03-28 10:45:32
新品发布|业界首款!润开鸿最新推出RISC-V 高性能芯片➕ OpenHarmony标准系统的智能硬件开发平台HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
40V的MOSFET的通态电阻降低了40%,而阻断电压为60V的MOSFET的通态电阻降幅甚至达到48%以上。 迄今为止,英飞凌是全球首家推出采用SuperSO8封装、最大通态电阻不足1毫欧的40V
2018-12-06 09:46:29
日前,Vishay Intertechnology, Inc.)宣布,推出通过AEC-Q101认证的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面贴装透射式(断续式)光电传感器,可用于汽车市场
2019-09-02 07:02:22
)、AEC-Q101(离散组件)、AEC-Q102(离散光电LED)、AEC-Q104(多芯片组件)、AEC-Q200(被动组件)可靠性标准;第二张门票,则要符合零失效(Zero Defect)的供应链质量管理
2018-09-06 17:05:17
AEC-Q101认证试验广电计量在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验,为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务,同时,我们也开展了间歇工作寿命(IOL)、HAST
2024-01-29 21:35:04
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET,采用TurboFET技术
日前,Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件,从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09
883 
ADI与凌讯科技推出业界首款符合DMB-TH标准的接收机解决方案
ADI全球领先的高
2009-07-01 08:39:36
1241 
小信号应用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:44
2304 Vishay推出4款MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60
2010-01-27 09:31:29
1768 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的
2010-04-07 10:52:52
1104 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:35
1925 安捷伦科技公司(NYSE:A)日前宣布推出业界首款 8 通道 12 位的高速 M9703A 数字化仪,符合 AXIe 开放标准。AXIe 数字化仪专为应用物理学的大规模应用而设计。
2011-11-23 09:02:03
2532 英飞凌科技股份有限公司扩展其车用功率半导体系列产品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。这是业界首创整合高速本体二极体技术的超接面 MOSFET 解决方案,符合最高的汽车认证标準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:02
1772 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:13
1158 宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 10 月9 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的500V家族里首款
2014-10-09 12:59:19
1841 
宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款通过AEC-Q101认证
2015-02-11 11:59:29
1340 宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 4 月13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两颗用于汽车和工业应用的经AEC-Q101认证的表面贴装光传感器---TCPT1600X01和TCUT1600X01。
2016-04-13 14:20:02
935 Vishay宣布,推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP,可在汽车应用的高效同步降压
2016-07-11 14:33:17
1295 系列现已符合AEC-Q101资格,证明这些电子组件符合用于汽车市场的主要标准。美高森美的DQ二极管取得AEC-Q101资格,意味着汽车原始设备制造商(OEM)以及一级和其他供应商能够在各种车载应用中使用这款产品。
2017-06-19 10:20:29
980 Littelfuse公司,近日宣布推出两个符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔断、高性能过电压保护器件,最适合用于电源接口、乘客充电接口以及LED照明模块和低速I/O。
2018-05-09 17:15:00
1442 本文档的主要内容详细介绍的是AEC-Q101基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理中文标准规范。
2018-10-25 08:00:00
39 ROHM新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-13 18:30:57
1897 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-29 15:15:50
5922 AECQ101主要对汽车分立器件,元器件标准规范要求,AECQ101认证将会是汽车级半导体企业的首选。AEC-Q101认证包含了离散半导体元件(如晶体管,二极管等)最低应力测试要求的定义和参考测试条件,目的是要确定一种器件在应用中能够通过应力测试以及被认为能够提供某种级别的品质和可靠性。
2021-05-20 11:50:38
6819 200CQ – 现已通过AEC-Q101汽车级认证。Qspeed硅二极管采用混合PIN技术,可在软开关和低反向恢复电荷(Qrr)之间提供独特的平衡。该特性有助于降低EMI和输出噪声,这对于车载音响系统特别重要。
2019-09-16 10:23:00
3616 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP,这是采用PowerPAK® SO-8L
2020-12-15 16:09:50
2091 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:54
2339 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:21
1914 
Vishay DFN1006-2A 封装二极管 40 V 和 100 V 器件通过 AEC-Q101 认证 与传统 SOD/T 封装二极管相比节省空间并提高了散热性能 Vishay 推出超小型可润湿
2021-10-19 16:57:52
2959 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
2022-02-07 15:37:08
1785 
100标准、额定电压1700V的IC。这些新器件是业界首款采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC。新IC可提供高达70W的输出功率,主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车,以及电动巴士、卡车和各种工业电源应用。
2022-02-15 11:45:53
1476 Power Integrations今日发布两款新器件,为InnoSwitch3-AQ产品系列新添两款符合AEC-Q100标准、额定电压1700V的IC。这些新器件是业界首款采用碳化硅(SiC)初级
2022-02-16 14:10:12
2674 Vishay 推出首款 19.0 mm x 17.1 mm x 7.0 mm 6767 外形尺寸,额定电流达 155A、符合 AEC-Q200 标准的 IHSR 高温电感器。 Vishay
2022-09-02 15:36:55
834 9月20日,广州广电计量检测股份有限公司(简称:广电计量)联袂上海陆芯电子科技有限公司(简称:上海陆芯),于广州顺利举行“广电计量与上海陆芯合作交流会暨上海陆芯IGBT汽车级AEC-Q101验证报告颁发仪式”。
2022-09-22 14:54:25
2260 ROHM新开发的“RGS系列”是满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的1200V耐压IGBT。此次推出的4款型号,传导损耗非常低,非常有助于应用的小型化与高效化。
2023-02-09 10:19:23
1199 
ROHM面向xEV车载充电器和DC/DC转换器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,该系列产品“支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101”,而且共有13款型号,拥有业界丰富的产品阵容。
2023-02-09 10:19:24
1522 
白皮书:GaN FET 技术和 AEC-Q101 认证所需的稳健性 – 中文(650 V GaN FET 技术可提供出色效率,以及 AEC-Q101 认证所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:03
3 白皮书:GaN FET 技术和 AEC-Q101 认证所需的稳健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:50
3 60V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:48
0 60V、3A N 通道热 FET 电源开关
2023-03-17 19:41:55
0 ℃ AEC-Q101认证对象: 晶体管:BJT、MOSFET、IGBT、二极管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:01
2335 
元件最低应力测试要求的定义和参考测试条件,目的是要确定一种器件在应用中能够通过应力测试以及被认为能够提供某种级别的品质和可靠性。 AEC-Q101按Wafer Fab晶圆制
2023-05-31 17:09:08
6305 
Semiware推出符合AEC-Q101认证的车规级TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防护产品系列齐全,以满足高标准的客户需求.
2021-12-08 11:41:13
1464 
3月11日,国际独立第三方检测检验和认证机构德国莱茵TV(以下简称“TV莱茵”)向上海陆芯电子科技有限公司(以下简称“上海陆芯”)的第三代IGBT产品颁发了AEC-Q101认证证书。这是上海陆芯汽车
2022-06-21 09:18:39
2222 
是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻译过来是基于失效机制对汽车领域应用中分立半导体器件的认证测试AEC-Q101最新的版本是Rev_E,发布于2021年3月
2023-01-13 10:00:29
4640 
USAEC-Q101认证的概念AEC-Q101:车用分立半导体元器件的基于失效机理的应力测试验证。半导体分立器件被广泛应用到消费电子、计算机及外设、网络通信、汽车电子、LED显示屏等领域,而汽车领域
2023-01-13 10:02:03
2195 
VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3 和 5 A VS-5EAH02xM3 为商业、工业和车载应用提供节省空间的高效解决方案,每种产品都有 Vishay 汽车级 AEC-Q101 认证版本。
2023-06-21 17:25:00
2266 
Vishay 推出五款新系列 60V、100V 和 150V 表面贴装沟槽式 MOS 势垒肖特基(TMBS)整流器,这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘 DFN3820A 封装。VxNL63
2023-07-07 10:24:59
1885 
60V、3A N 通道热 FET 电源开关
2023-07-07 18:32:58
0 AEC-Q101标准之TC解读TC(TemperatureCycling)高温循环测试意义在于证实极高温度,极低温度和高温与低温交替作用时,机械应力对于器件焊接性能的作用,标准AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:50
4162 
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45
1376 功率循环测试-简介功率循环测试是一种功率半导体器件的可靠性测试方法,被列为AEC-Q101与AQG-324等车规级测试标准内的必测项目。相对于温度循环测试,功率循环通过在器件内运行的芯片发热使器件
2023-09-10 08:27:59
2842 
电子发烧友网站提供《MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:36:08
1 继1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后,近日,国星光电开发的1200V/80mΩ SiC-MOSFET(碳化硅-场效应管)器件也成功获得了
2023-10-24 15:52:32
1851 继1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10
1484 
11月27日,瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω,
2023-11-30 09:39:18
3075 
电子发烧友网站提供《60 V,N沟道沟槽MOSFET BXK9Q29-60A英文资料.pdf》资料免费下载
2024-01-04 14:22:26
0 电子发烧友网站提供《60 V,N沟道沟槽MOSFET 2N7002AKW-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-14 10:35:55
0 电子发烧友网站提供《60 V,N沟道沟槽MOSFET 2N7002AK-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-14 10:27:31
0 电子发烧友网站提供《60 V,双N沟道沟槽MOSFET 2N7002AKS-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 13:57:09
1 3月8日,瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38
1471 
近日,全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET,型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:02
1364 蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。
2024-03-12 17:18:21
2547 
瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出,标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13
1665 近日,国际公认的测试、检验和认证机构SGS(以下简称为“SGS”)为吉林华微电子股份有限公司(以下简称为“华微电子”)颁发AEC-Q101认证证书。
2024-03-22 18:25:56
1834 电子发烧友网站提供《60V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET CSD18541F5数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-27 13:49:35
0 电子发烧友网站提供《双通道 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88539ND数据表.pdf》资料免费下载
2024-04-07 14:49:20
0 强茂推出最新的60V、100V和150V车规级MOSFET,此系列专为汽车和工业电力系统设计提供优异性能和效率。
2024-05-23 11:42:49
2165 
雷卯解析AEC-Q101与AEC-Q200
2024-06-12 08:02:58
2259 
电子设计中具有广泛的应用潜力。高达2 kV的ESD保护能力和AEC-Q101认证的高可靠性设计,确保了在汽车电子和其他高要求应用中的优异表现。(买电子元器件上安玛芯城) 中文参数资料 参数 规格
2024-07-01 11:50:24
2442 
SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,该系列产品“ 支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101 ”,而且共有13款型号,拥有业界丰富的产品阵容。 为了延长xEV的续航距离,要求车载充
2024-08-25 23:30:22
762 
近日,基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证,产品性能和可靠性满足汽车电子元器件在极端环境下的严苛要求,至此公司获车规级认证的碳化硅功率器件产品家族再添一员。
2024-09-13 10:20:19
1574 
C-Q101-2021标准在汽车行业中,电子器件的可靠性直接关系到车辆的性能和乘客的安全。随着汽车电子化程度的不断提高,对电子器件的质量和可靠性要求也越来越高。AEC-Q101-2021标准应运而生
2025-01-09 11:04:30
1469 
电子发烧友网站提供《BSS138AKM-Q 60V N沟道沟槽MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-09 11:28:35
0 电子发烧友网站提供《2N7002AKM-Q 60V、N沟道沟槽MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-09 11:29:17
0 这款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换中的损耗 应用。 *附件:CSD18543Q3A 60V N 沟道
2025-04-16 10:35:32
787 
电子发烧友网站提供《ZSKY-CCS6081EP N沟道60V快速开关MOSFETs规格书.pdf》资料免费下载
2025-05-14 17:26:44
0 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET,采用紧凑型CCPAK1212(12 x 12毫米)铜夹封装。此款器件具有超低导通损耗,导通电
2025-09-18 18:19:14
1118 大电流能力。NVD5867NL N通道MOSFET符合雪崩能量规格要求,通过AEC-Q101认证,并支持PPAP。这款N通道MOSFET无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。典型应用包括汽车电磁阀/继电器驱动器、汽车灯驱动器、汽车电机驱动器、汽车DC-DC转换器输出驱动器以及汽车信息娱乐系统。
2025-11-21 11:45:25
366 
安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有~低QRR~ 、~RDS(on)~ 和 ~QG~ ,可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。MOSFET符合AEC-Q101标准,适用于汽车48V系统
2025-11-24 09:29:21
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安森美 (onsemi) NVTFWS002N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低电容,采用符合AEC-Q101标准的封装。该MOSFET具有40V漏极-源极电压、114A连续漏极
2025-11-24 09:56:46
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Diodes 公司(Diodes)(纳斯达克代码:DIOD)推出AL3069Q,一款符合汽车标准的高效率 60V 升压控制器,适用于背光应用。该器件包含四个80V高精度灌电流(Current
2025-12-01 16:15:31
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