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NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)

batai 来源:batai 作者:batai 2022-07-18 17:16 次阅读

1.描述
NP3416EMR采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(开启)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V时工作。这个装置适用于负载开关或PWM申请。

2.一般特征
* VDS=20V,ID=7A
RDS(ON)(典型值)=17.3 MΩ@VGS=2.5V
RDS(ON)(典型值)=13.6 mΩ@VGS=4.5 V
(1)高功率和电流处理能力
* 获得无铅产品
* 表面贴装封装
·ESD额定值:3500V HBM

3.应用程序
* PWM应用
* 负荷开关

4.包装
SOT-23-3L

5.示意图

pYYBAGLVJL-AeNJ5AADaQO5OBz0953.png


审核编辑 黄昊宇

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