电子发烧友网站提供《30V N 沟道NexFET™ 功率MOSFET CSD17556Q5B数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 14:11:23
0 耐压30V降压恒压芯片的工作原理如下：
该芯片内部集成了开关管和同步整流管，通过它们进行电压的转换，将输入的30V电压降至所需的输出电压（如12V或5V）。在工作过程中，该芯片通过PWM
2024-03-22 11:31:10
项目要做一个DC-DC车载电源，输入300—1000V，输出0—30V，功率大概2KW, 目前考虑到效率问题，想用两级级联的结构，前级和后级用什么拓扑比较好？
2024-03-19 14:13:37
电路和系统。
DC-DC30V降压24V、12V、5V、3.3V/1A H4110降压稳压芯片
产品描述
H4110是一种内置30V耐压MOS，并且能够实现精确恒压以及恒流的异步降压型 DC-DC
2024-03-19 10:28:19
服务范围大规模集成电路芯片检测标准●JESD22-A103/ A104/ A105/ A108/ A110●J-STD-020●JS-001/002●JESD78检测项目（1）芯片级可靠性验证试验
2024-03-14 16:28:30
苹果公司在官网推出了新款MacBook Air，搭载高性能M3芯片，提供13英寸和15英寸两种尺寸选择。新款MacBook Air不仅性能卓越，还拥有出色的电池续航，最长可达18小时，满足
2024-03-13 17:37:56
292 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 在电子元件领域不断创新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。这款新型热敏电阻以其宽阻值范围、高电压处理能力和高能量吸收能力，为汽车和工业应用中的有源充放电电路带来了显著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 在全球电力电子领域，英飞凌科技以其卓越的技术创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日，该公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，标志着功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:5297 在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
电子发烧友网站提供《20 V，双N沟道沟槽MOSFET PMDPB30XNA数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:03:240 压的应用需求。
产品特性
l内置30V耐压MOS,支持2.5V-24V输入
l低静态电流：100uA
l输出电流：16~2000mA
lPWM调光：最高频率25KHz，分辨率可达1000：1
l输出电流精度
2024-02-01 16:44:39
Vishay威世科技日前宣布，其光电子产品部推出了一款全集成超小型接近传感器——VCNL36828P。这款传感器专为提高消费类电子应用的效率和性能而设计。
2024-01-29 10:21:38283 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了创新的双面散热 DFN 5 x 6 封装。这一创新型封装为 AOS 产品赋予了卓越的散热性能，使其在长期恶劣的运行条件下仍能保持稳定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM2016 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。 产品特性• 电流
2024-01-10 11:52:17
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM201x 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。 产品特性• 电流
2024-01-10 11:39:17
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM201x 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。产品特性• 电流量程多档可选
2024-01-10 11:30:06
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM201x 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。 产品特性• 电流
2024-01-10 11:11:12
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM2013 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。产品特性• 电流量程多档可选
2024-01-10 11:05:46
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM201x 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。产品特性• 电流量程多档可选
2024-01-10 11:02:19
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM201x 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。产品特性• 电流量程多档可选
2024-01-09 14:31:11
在双电源±15V的供电的状态下，ADG1408的模拟通道能输入30V（相对GND）的模拟电压吗？
2024-01-05 12:57:40
, 20Vgs (±V)- 阈值电压：-1V- 封装：SOT23**详细参数说明：**RSR025P03TL-VB是一款P沟道MOSFET，最大耐压为-30V，最大
2023-12-20 15:58:08
。- **工作电压（VDS）：** -30V，表示MOSFET的耐压上限，负值表示器件是P沟道。- **持续电流（ID）：** -7A，表示MOSFET可以承受的最大电流
2023-12-18 17:03:12
。- **工作电压（VDS）：** -30V，表示MOSFET的耐压上限，负值表示器件是P沟道。- **持续电流（ID）：** -6A，表示MOSFET可以承受的最
2023-12-18 10:18:54
集特推出新款龙芯主板GM9-3003
2023-12-14 16:03:07209 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:17312 VBsemi推出丝印型号为VB2355的MOSFET型号AO3401。这款P沟道MOSFET适用于各种电路应用。其主要特点包括高达-30V的高压容忍度和-5.6A的电流处理能力，10V时的低导通电
2023-11-23 11:58:58
硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中的能量转移到电池中。当电感电流下降到外部电流检测电阻设置的下限时，外置N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当BAT管脚电压第一次达到内部设置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
利用AD5522怎么设计一个正负30V的PPMU? AD5522输出电压最大只能输出正负11V左右。但我们客户的需求是30V的。不知道用AD5522能否设计出30V的ppmu?。如果利用升压电路可以解决，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何设计一个高效率低功耗低噪声的直流3V升压到30V的电路？
电流1ma之内即可。
2023-11-16 06:36:14
生成式AI火爆全球之后，英伟达的AI芯片一张难求，就在英伟达重量级选手H100 AI芯片目前依然是一货难求的情况下，英伟达推出新款AI芯片H200。 H100目前算是算力市场硬通货，而H200则更强
2023-11-14 16:45:50916 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10459 中国上海， 2023 年 11 月 7 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备
2023-11-09 15:19:57663 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22319 型号 20P03丝印 VBE2338品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 26A 开通电阻（RDS(ON)） 33mΩ @ 10V, 46m
2023-11-06 11:24:18
型号 AP6679GH丝印 VBE2309品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 60A 开通电阻（RDS(ON)） 9mΩ @ 10V, 12m
2023-11-06 09:41:12
型号 SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17:31
新洁能NCE30P12S NCE P通道增强模式电源MOSFET新洁能NCE30P12S，一款卓越的P通道增强模式电源MOSFET，采用前沿的沟槽技术，尽显卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550 新洁能NCE30P30K NCE P通道增强模式电源MOSFET TO-252-2L新洁能NCE30P30K，全新升级，为您的高电流负载应用提供强大支持！采用先进的沟槽技术和设计，民信微我们
2023-11-03 20:39:340 型号 AOD425A丝印 VBE2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 40A 导通电阻 18mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
2023-11-03 14:34:40
型号 FDS4435BZNL丝印 VBA2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 7A 导通电阻 23mΩ@10V, 29m
2023-11-03 14:04:50
型号 FDD6637丝印 VBE2309品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 P沟道 额定电压(VDS) 30V
2023-11-03 11:57:26
AO4409详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 11A 导通电阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 门源
2023-11-03 11:37:23
MT4606详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±30V 额定电流 9A (N沟道), 6A (P沟道) 导通电阻 15mΩ @ 10V (N沟道), 42mΩ @ 10V (P
2023-11-02 16:15:57
型号 ME4925丝印 VBA4317品牌 VBsemi参数 频道类型 2个P沟道 额定电压 30V 额定电流 8.5A RDS(ON) 21mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V
2023-11-02 14:52:31
STM4639详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 11A 导通电阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-11-02 09:37:49
型号 AO4425丝印 VBA2311品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 11A 导通电阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
2023-11-01 10:37:54
型号 FDN304PNL丝印 VB2355品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A RDS(ON) 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V
2023-10-31 11:24:55
型号 AP2303GN丝印 VB2355品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A RDS(ON) 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V 门源
2023-10-30 11:14:23
VBsemi推出丝印型号为VB2355的MOSFET型号AO3401。这款P沟道MOSFET适用于各种电路应用。其主要特点包括高达-30V的高压容忍度和-5.6A的电流处理能力，10V时的低导通电
2023-10-26 16:21:10
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 1~~2W的隔离电源。
VPS8701B内部集成两个N沟道功率MOSFET和两个P沟道功率MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率MOSFET驱动
2023-10-12 10:04:51
电子发烧友网站提供《BUK4D50-30P P沟道沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 11:35:370 电子发烧友网站提供《PSMN2R6-80YSF N沟道MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 09:32:500 电子发烧友网站提供《BUK6D16-30E N沟道沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:43:170 供应AP3400A N沟道 30V 5.8A MOS场效应管-mos3400规格参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供mos3400规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:28:260 供应AP30N03K 低结电容 30V MOS-30N03K场效应管参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30N03K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:14:000 供应AP30H80K 30V 80A N沟道MOS管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供30H80K规格书参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:52:000 供应AP30H150KA 30V 150A N沟道MOS管-30h150场效应管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30H150KA规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:39:500 V Vishay 推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降压稳压器，用来提高负载点 (POL) 转换器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
12V升30V升压芯片AH1160是一种电子元件，可以将电压从12V升高到30V。此芯片内置了60V NMOS升压型LED驱动器，可以有效地驱动LED灯。该芯片的反馈电流采样电压为250mV，可以用来监测LED驱动器输出电流的值。
2023-09-14 10:27:59509 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 
供应AP90P03Q p沟道mos管 30v 60a丝印:90P03Q-铨力半导体代理，提供AP90P03Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:40:01
供应AP50P03K 35a 30v p沟道增强型mos管丝印AP50P03，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP50P03K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:31:063 供应AP50P03K p沟道mos -30v -35a丝印:AP50P03 储能、小家电mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP50P03K 规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:30:12
供应AP18P30Q -20a -30v耐压的p型mos 丝印:18P30Q参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP18P30Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:19:590 供应AP18P30Q p沟道mos管 30v 20a 丝印:18P30Q，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP18P30Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:19:05
供应AP15P03Q PDFN3*3 P沟道-30v -12A vbus开关mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP15P03Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:13:54
倍加福推出新款 VOC工业事件相机 ，再次扩展工业视觉产品系列。该相机可以实现 在触发信号前后长达 60 秒、以事件为驱动的视频记录 ，从而实现针对性的简单远程诊断以及 自动文档记录 。
2023-07-28 14:10:23513 在H桥电路中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人，但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
一、22AP80或SS522V100是入门级DVR解决方案，能做到4路1080p@30fps编码 +2路1080p@30fps解码 +多路图像分析方法智能算法；可以平替Hi3520DV510。
二
2023-06-17 18:57:03
供应mos PTS4842 30V/7.7A双n沟道mos管，提供4842双mos管规格书及关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:46:251 供应PTS4842 MOS场效应管-30V/7.7A双N沟道高级功率MOSFET，提供PTS4842双mos管关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:45:17
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光伏 MOSFET 驱动器
2023-06-08 19:55:02374 
*附件：power1.pdf
遇到一个电源板无法供电故障，此电源电路采用P沟道MOS限流保护设计。正常启动时Q14栅极上电慢，低于源极，MOS管导通，经过后级U9基准和U27运放组成恒压源电路，限制
2023-06-05 22:50:12
亮钻推出新款核心板Y-3566，其采用四核Cortex-A55内核的瑞芯微RK3566处理器，主频可达1.8GHz。邮票孔接口设计，支持8GB大内存，集成最高1Tops AI算力的NPU，为用户提供“嵌入式”+“AI”解决方案平台。
2023-05-17 15:57:27965 
上海数明半导体有限公司最新推出的双通道 30V, 5A/5A 的高速低边门极驱动器 SiLM27624 系列，支持高达 30V 的输入电源供电，满足更高的驱动电压输出。
2023-05-17 11:18:21438 
请问CANbus至RS232协议转换器能够用30V电压的电源吗？
2023-05-09 11:03:26
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
IU5180集成30V的OVP功能，3A充电电流1~4节锂电池，升降压充电芯片
2023-04-19 20:49:56630 
IU5180集成30V的OVP功能，3A充电电流1~4节锂电池，升降压充电芯片
2023-04-19 20:49:374 MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 LAMP INCAND S-6 BAYONET 30V
2023-03-28 20:26:17
LAMP INCAND 30V CANDELABRA SCRW
2023-03-28 20:23:07
-30V P沟道MOSFET
2023-03-28 12:55:19
30V P沟道MOSFET
2023-03-27 11:54:35
LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514
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