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电子发烧友网>模拟技术>TI具有最低导通电阻的全面集成型负载开关

TI具有最低导通电阻的全面集成型负载开关

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具有受控接通功能的超小型、低通电阻负载开关TPS2291xx数据表

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2024-04-02 10:45:080

具有可调上升时间的5.5V、3.8A、18mΩ通电阻负载开关TPS22995数据表

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2024-04-03 11:24:530

5.5V、4A、14mΩ 通电阻双通道负载开关TPS22996数据表

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2024-04-07 10:50:020

5.5V、10A、通电阻为 3.9mΩ 的负载开关TPS22990数据表

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2024-04-07 11:18:130

5.5V,6A,4.4mΩ 通电阻负载开关TPS22969数据表

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2024-04-07 11:17:000

5.5V,10A,4.4mΩ 通电阻负载开关TPS22962数据表

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2024-04-07 14:14:510

5.5V,15A,4.4mΩ 通电阻负载开关TPS22959数据表

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2024-04-07 14:10:290

5.7V、5A、14mΩ 通电阻负载开关TPS2295x数据表

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2024-04-07 14:06:060

TPS22995 具有可调上升时间的 5.5V 3.5A 20mΩ 通电阻负载开关数据手册

TPS22995是一款单通道负载开关集成了N-channel MOSFET,具有通电阻(18 mΩ)和可配置的上升时间,用于限制启动时的涌入电流。该开关适用于笔记本电脑、平板电脑、工业PC及离散工业解决方案等应用。
2025-05-07 17:52:38666

TPS22970 具有输出放电的 3.6V、4A、4.7mΩ 负载开关数据手册

4 A。集成电荷泵对 NMOS 开关进行偏置,以实现最小的开关通电阻 (R ~上~ ).该开关由开和关输入 (ON) 控制,该输入能够直接与低压控制信号连接。
2025-05-10 09:34:50594

TPS22920 具有输出放电的 3.6V、4A、5.3mΩ 负载开关数据手册

4 A。集成的 电荷泵偏置 NMOS 开关以实现最小的开关通电阻 (r ~上~ ).该开关由开/关输入 (ON) 控制,该输入 直接与低压控制信号连接。
2025-05-13 13:45:41490

TPS22999负载开关技术解析与应用指南

Texas Instruments TPS22999通电阻负载开关是一款单通道负载开关,旨在实现快速通时间和较低的浪涌电流。该负载开关具有N沟道MOSFET,可在0.1V至V~BIAS~ -1V
2025-08-08 09:51:111000

TPS22995低通电阻负载开关技术解析与应用指南

Texas Instruments TPS22995通电阻负载开关支持可配置上升时间,以最大限度地减小浪涌电流。该单通道负载开关包含一个可在0.4V至5.5V输入电压范围内运行的N沟道MOSFET,并且支持3.8A的最大连续电流。
2025-09-02 14:57:49638

圣邦微电子推出低通电阻负载开关SGM25642

圣邦微电子推出 SGM25642,一款 5.5V,15A 峰值电流能力,具备可编程软启动、电流监测和输出放电功能的低通电阻负载开关。该器件可应用于笔记本电脑和平板电脑、便携式设备、固态硬盘和手持设备。
2025-11-05 17:24:162153

MDD MOS通电阻对BMS系统效率与精度的影响

在电池管理系统(BMS)中,MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件,其通电阻(RDS(on))参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE,在支持客户调试或可
2025-11-12 11:02:47339

关于0.42mΩ超低通电阻MOSFET的市场应用与挑战

在电源管理系统和高效电池管理系统(BMS)设计中,MOSFET作为开关元件,扮演着重要角色。由于其通电阻直接影响到电路效率、功率损耗和热量产生,因此低通电阻的MOSFET成为越来越多高效系统
2025-12-16 11:01:13198

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