Vishay Siliconix SQJ264EP提高DC/DC开关模式电源效率需求

日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，这是采用PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在满足汽车行业节省空间以及提高DC/DC开关模式电源效率的需求。这个新器件在一个5mm x 6mm的紧凑型封装中集成了一个高边和一个低边MOSFET，低边MOSFET的最大导通电阻低至8.6 mW。

与单个MOSFET解决方案相比，通过将两个TrenchFET® MOSFET封装在一个非对称封装中，今天发布的这款汽车级器件减少了元件数量和电路板空间需求，同时提高了功率密度。此外，其控制（高边）和同步（低边）MOSFET在裸片尺寸上的优化组合，可在占空比低于50％的功率转换中提供高于对称双器件的效率。

SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V时最大导通电阻为20 mW，典型栅极电荷为9.2 nC，而通道2 MOSFET在10 V时的导通电阻为8.6 mW，典型栅极电荷为19.2 nC。由于没有内部连接的开关节点，SQJ264EP为设计人员提供了将晶体管配置为不同拓扑的灵活性，包括同步降压或同步升压DC/DC转换器。

由于可在超过+175℃的高温环境下工作，双MOSFET能够提供信息娱乐系统、显示器、LED照明以及电动自行车等汽车应用所需的耐用性和可靠性。此外，与QFN单封装和双封装相比，SQJ264EP的鸥翼引线允许在其引脚下方实现更好的焊料流，增强自动光学检查（AOI）能力以及更高的板级可靠性。

这些MOSFET 100%通过了Rg和UIS测试，符合RoHS要求，不含卤素。

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