功率MOSFET市场为欧美IDM半导体厂商所掌控,诸如Vishay、TI、凌力尔特在电源管理应用市场,而飞兆、英飞凌等公司的高压MOSFET广泛应用于工业、汽车等市场。甚至,随着高压功
2010-09-10 08:44:40
4231 
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1850 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出免费的在线工具PowerCAD Simulation,可以让工程师又快又方便地对采用Vishay Siliconix稳压器IC的电路进行测试和优化。
2012-04-10 09:32:33
843 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1436 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
2012-10-22 13:45:24
1488 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出在40℃下功率高达20kW(可根据需要提供更高的功率值),能够在-25℃~+250℃温度范围内工作,可用于极端环境中应用的新款不锈钢功率电
2012-10-29 11:33:55
1352 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:31
2203 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ,将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。
2013-01-09 11:42:30
1823 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率
2013-04-23 11:47:11
2875 日前,Vishay Intertechnology, Inc.发布用于红外遥控应用的新系列微型红外(IR)接收器模块---TSOP39xxx和TSOP59xxx系列。Vishay
2017-03-07 08:31:52
3370 。 Vishay Siliconix的LITTLE FOOT功率MOSFET将强大的功率处理能力封装在纤巧的表面贴装封装中。标准概述的8引脚SOIC封装(图1)具有铜引线框架,可最大程度地提高热传递,同时保持
2021-05-25 11:30:07
7112 
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大导通电阻,以及22A~47A的额定电流范围
2011-10-13 09:09:31
1541 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出免费的在线工具PowerCAD Simulation,可以让工程师又快又方便地对采用Vishay Siliconix稳压器IC的电路进行测试和优化。
2012-04-05 15:06:54
876 Vishay 宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:05
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---SiZF5300DT和SiZF5302DT,将高边和低边TrenchFET® Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换,在提高能效的同时,减少元器件数量并
2023-01-30 10:09:49
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额定功率更高的IGBT,VO3120可用于驱动离散功率级,以驱动IGBT栅极。推荐产品:VO3120-X007T;VO3120Vishay其它相关产品请 点击此处 了解特征:最小峰值输出电流
2019-10-30 15:23:17
Si9241AEY是一个单片总线收发器提供汽车双向串行通信诊断应用程序。该装置具有过电压保护和VBAT短路。收发信管脚受到保护可以驱动超过VBAT电压。Si9241AEY建立在Vishay
2020-07-25 14:28:42
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
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2012-03-25 22:16:19
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2012-03-25 22:18:31
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何计算 同步整流器的功耗如何计算
2021-03-11 07:32:50
功率放大器的需求将进一步提高。RF 功率 MOSFET在无线电通讯领域也有应用,其频率已延伸至低微波段且输出功率可达百W以上。它同时也应用于电视(特别是数字电视)功率放大器、雷达系统和军事通讯中。随着
2019-07-08 08:28:02
利用功率MOSFET手册,利用Saber软件里的自建模工具对功率MOSFET进行建模,并仿真验证其性能。淘宝上搜索“功率MOSFET建模”,则可看到课程链接。建模主要包含以下内容:Saber软件中
2017-04-12 20:43:49
本视频将演示如何发布数据至DigiPCBA平台用于ECAD-MCAD协同设计!宝藏级的在线设计协同工具分享给大家,大家点击链接就可以在线注册了!地址:https://digipcba.com/?hmsr=HQbbs
2021-04-01 10:24:48
使用功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型
2019-11-17 08:00:00
怎么安装适用于Linux *的OpenVINO™工具包的英特尔®发布版?
2021-09-23 08:33:34
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2013-03-16 15:16:40
INTEWORK-VBA(Vehicle Bus Analyzer) 车辆总线监控分析及仿真工具,是由经纬恒润自主研发的一款专业、易用的车载
2021-03-05 10:42:54
泰芯TXLink调试器MCU单片机开发工具仿真器 TXLink是珠海泰芯半导体有限公司基于Keil在8051开发平台的调试器,目前支持泰芯
2022-10-27 18:53:09
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向导引TO-252 DPAK 封装的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列产品。凭借反向成型的接脚,采取「SUR」封装的TrenchFET 能使该产品反向
2010-09-05 10:26:59
64 Vishay新型功率MOSFET采用反向导引TO-252DPAK封装
2010-11-12 22:27:33
32 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET,采用TurboFET技术
日前,Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件,从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09
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日前,Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB,该器件具有背面绝缘的特点。
Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:22
2091 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23
930 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:01
1361 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装,具
2009-11-25 17:56:52
1012 小信号应用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:44
2304 Vishay推出4款MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:29
1767 Vishay发布新款集成功率光敏
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新的集成功率光敏,分别是输出电流为0.9A的VO2223和输出电流为1A的VO2223A,扩
2010-03-26 11:38:56
973 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的
2010-04-07 10:52:52
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Vishay Intertechnology, Inc宣布,对其ThermaSim在线MOSFET热仿真工具进行了改进
2010-06-25 10:20:43
1330 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩充其用于功率电子的重载Vishay ESTA HDMKP电容器,增添新容值和新封装形式。
HDMKP电容器具有从900V至2700V(dc)的6种标准电压。其前一代产品的容值
2010-06-25 15:38:30
613 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩充其用于功率电子的重载Vishay ESTA HDMKP电容器,增添新容值和新封装形式。
HDMKP电容器具有从900V至2700V(dc)的6种标准电压。其前一代产品的容值
2010-06-28 08:36:54
897 日前,长期为军工和航天客户提供高可靠性分立和IC器件的供应商Vishay Intertechnology, Inc.宣布,该公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工厂已经通过了DSCC的
2010-07-07 18:08:29
1027 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23
1339 日前,Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:40
2991 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05
1058 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:35
1923 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13
1025 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布推出用于电源管理IC的在线设计仿真工具(PMIC)——Easy DesignSim。Easy DesignSim为使用富士通丰富电源管理IC产品线(如转换器、开关、电源及
2012-04-26 08:40:18
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Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR®功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。
2012-04-26 16:39:57
990 Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款採用业界最小的晶片级封装,并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:42
1517 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:54
1791 富士通半导体推出了一款用于电源管理IC(PMIC)的在线设计仿真工具,叫Easy DesignSim™。使用富士通丰富电源管理IC产品线(如转换器、开关、电源及充电控制装置等)的设计人员有了全面
2013-05-17 10:47:06
1783 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A~105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:24
1360 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40
1182 年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET,在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8mΩ,也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。
2013-10-10 15:08:06
1460 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB,扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05
1119 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:13
1158 日前,Vishay宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:22
1740 Vishay发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装,使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51
1504 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备,以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。
2014-03-25 10:19:44
981 半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与全球授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics)宣布赞助两款在线免费电路设计工具:EasySim在线仿真工具和EasyPCB布线设计工具。
2014-04-16 12:02:35
1804 Vishay宣布,推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP,可在汽车应用的高效同步降压
2016-07-11 14:33:17
1295 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,光电子产品部发布新的在线工具,加速家用娱乐系统设计工程师耗时的计算工作。使用遥控功能的所有产品都需要一个有精确尺寸的窗口,来确保能
2016-09-28 15:39:19
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MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,为通信、工业和企业级电源提供了
2017-02-10 15:10:11
2189 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的30V N沟道
2017-04-25 15:58:55
1806 MPLAB® REAL ICE™在线仿真器功率监视器(AC244008)包含功率模块和一个外部电源,从而使MPLAB REAL ICE在线仿真器能够监视目标板或器件的电流和电压。
2018-06-11 08:29:00
16 本视频将首先介绍是DDS的优缺点,然后是DDS频率合成的基本原理,相位噪声和杂散,系统时钟的实现,产品介绍,最后是在线仿真工具ADIsimDDS。
2019-07-29 06:01:00
6469 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:14
1555 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP,这是采用PowerPAK® SO-8L
2020-12-15 16:09:50
2090 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:21
1914 
MPLAB REAL ICE在线仿真器跟踪接口工具包用户指南免费下载。
2021-05-12 10:14:39
14 新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:57
3908 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:35
2298 在线电路仿真工具
Autodesk Circuits – Circuits.Io
PartSim –Partsim.Com
EveryCircuit
2022-10-12 11:50:11
23443 Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %,为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案,同时栅极电荷下降 60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数(FOM)创业界新低。
2022-10-14 16:16:12
1359 国民技术通用MCU在线下载仿真工具NS-Link、通用下载工具、离线量产烧录工具等, 适用于N32 MCU家族全系列产品。
2022-11-11 21:50:41
845 电子发烧友网站提供《用于Vishay NTC热敏电阻的Altium Designer仿真模型.zip》资料免费下载
2022-11-30 09:34:26
2 scratc,更轻量化,上手更容易,是一个在线的电路仿真工具。
2022-12-02 14:23:08
12029 中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 适用于计算和通信应用功率转换,在提高能效的同时,减少元器件数量并简化设计。 日前发布的双通道 MOSFET 可用来取代两个 PowerPAK 1212 封装分立器件,节省 50% 基板空间,同时
2023-02-04 06:10:04
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英国Pickering公司作为用于电子测试和验证的模块化信号开关和仿真解决方案的全球供应商,于今日发布了一款全新的免费在线使用的微波开关设计工具Microwave Switch Design
2023-06-15 14:22:19
1113 电脑上,但在保存文件时不能对文件名进行任何修改。如果您不能或不允许使用宏设置的 Excel 文件,Vishay 建议使用在线 NTCRT 计算工具 。 此计算工具可用于确定Vis hayNTC
2023-07-05 20:05:09
1133 
品英Pickering作为用于电子测试和验证的模块化信号开关和仿真解决方案的全球供应商,于近日发布了一款全新的免费在线使用的微波开关设计工具Microwave Switch Design Tool
2023-08-31 14:19:45
1243 电子发烧友网站提供《在线设计和仿真工具入门指南.pdf》资料免费下载
2023-09-20 09:45:09
0 电子发烧友网站提供《适用于MPLAB X IDE的MPLAB REAL ICE在线仿真器用户指南.pdf》资料免费下载
2023-09-25 14:46:48
1 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。
2024-02-22 17:11:08
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近日,全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET,型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:02
1362 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
1480 Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有独特功能的领先在线仿真工具,适用于软/硬开关应用,使工程师在开发周期的早期阶段,
2024-03-20 09:58:38
1582 Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封装的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。
2024-05-10 11:47:42
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Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET产品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK® 8 x 8 LR封装技术,标志着第四代600V E系列功率MOSFET的诞生。这一创新产品为通信、工业及计算领域带来了前所未有的高效高功率密度解决方案。
2024-05-14 15:33:38
1341 给大家分享一个不错的在线仿真工具(Wokwi),支持多种平台,支持市面上主流的开发板,比如:STM32、ESP32、Arduino、树莓派等。还支持常见的传感器、显示器件(LCD、LED屏幕)等
2024-06-15 08:10:46
10370 
电子发烧友网站提供《MOSFET支持和培训工具.pdf》资料免费下载
2024-08-30 11:32:43
1 Vishay/Siliconix SiJK5100E N沟道MOSFET是一款TrenchFET^®^ 第五代功率MOSFET,具有100V漏源电压。该MOSFET具有536W最大功耗(+25°C
2025-11-11 13:42:26
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Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^®^ 第四代N沟道MOSFET设计用于高效电源开关应用。SiEH4800EW采用紧凑型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18
348 Vishay/Siliconix SiJK140E N沟道40V(D-S)MOSFET采用TrenchFET^®^ 第五代功率技术。该MOSFET优化了功率效率,R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58
320 Vishay SiRS5700DP N沟道150V(D-S)MOSFET是一款TrenchFET®第五代功率MOSFET,具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品质因数(FOM)。Vishay
2025-11-13 11:21:53
433 
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET,采用PowerPAK ® 8 x 8LR封装。该MOSFET可为
2025-11-14 10:32:18
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Vishay / Siliconix 电子保险丝评估板用于评估SIP32433A、SIP32433B、SIP32434A和SIP32434B单通道电子保险丝负载开关。该板可用于AEC-Q100版本
2025-11-14 14:05:58
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