电子发烧友网站提供《30V N 沟道NexFET™ 功率MOSFET CSD17556Q5B数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 14:11:23
0 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay近期发布五款新型半桥IGBT功率模块，其改良设计的INT-A-PAK封装备受瞩目。这五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均运用Vishay领先
2024-03-08 11:45:51266 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
电子发烧友网站提供《NCE N沟道增强型功率MOSFET NCE3010S数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-24 11:06:590 功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
2024-01-19 15:31:54218 功率MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点，因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36294 
。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:43112 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 , 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 阈值电压（Vth）：0.8~2.5V- 封装：SOP8应用简介：PV600BA-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种电
2023-12-14 11:43:03
小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET *1 ，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中的能量转移到电池中。当电感电流下降到外部电流检测电阻设置的下限时，外置N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当BAT管脚电压第一次达到内部设置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:290 深圳市三佛科技有限公司供应SA2601矽塔科技600V单相半桥栅极驱动芯片SOP8，原装现货 半桥栅极动心片.半桥栅极驱动芯片是一种用于驱动半桥功率器件(例如电力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型MOSFET四种类型。
2023-11-07 14:51:15638 
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56:23293 
美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 型号 IRF830A丝印 VBM16R08品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 600V 额定电流 8A RDS(ON) 780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4.5V
2023-11-01 10:04:19
－通孔式小型封装有助于减小表贴面积和电机电路板尺寸－ 中国上海， 2023 年 10 月 26 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了两款600V小型智能功率器件(IPD)产品，适用于空调、空气净化
2023-10-27 11:13:00301 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。
2023-10-27 11:05:54657 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
汽车电子MOSFET发展的一个最终方向是提高感测、控制和保护功率开关的性能。功率器件正集成到智能化车载系统中。现在在最低功率级别，MOSFET可以与功率器件上的感测元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V-200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V-300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V-900V超结功率
2023-10-16 11:00:14
的隔离电源。
VPS8702内部集成两个N沟道功率MOSFET和两个P沟道功率MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率MOSFET驱动的高度对称性
2023-10-12 10:23:07
1~~2W的隔离电源。
VPS8701B内部集成两个N沟道功率MOSFET和两个P沟道功率MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率MOSFET驱动
2023-10-12 10:04:51
、输出功率1~2W的隔离电源。
VPS6501芯片内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免电路在工作过程发生偏磁。芯片内部设计有高精度的死区控制电路确保在各种工作条件下不出现共通现象。
2023-10-12 09:52:32
、输出功率1~~3W的隔离电源。
VPS8505芯片内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免电路在
2023-10-12 09:49:26
、输出功率13W的隔离电源。
VPS8504C内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免电路在工作
2023-10-12 09:43:02
VPS8504N是一款专门为小体积、低待机功耗微功率隔离电源而设计的推挽式变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现3.3V或5V输入、3.3V~~~~24V
2023-10-12 09:38:22
电子发烧友网站提供《PSMN2R6-80YSF N沟道MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 09:32:500 电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模块SPE10S60F-A（600V/10A）的波轮洗衣机控制方案，FU6813是一款集成电机控制引擎(ME)和8051内核的高性能电机驱动专用芯片，内置高
2023-09-20 17:03:22
电子发烧友网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:110 RACM600-L 系列 AC/DC 电源具有极高的市场知名度和性价比，该系列增加了 2 个新的版本，在现有 24V 输出的基础上，可提供 12 V 和 48 V 输出。新产品的峰值功率高达 800 W。
2023-09-15 11:36:01593 SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引线TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。
2023-09-08 06:00:53
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压，但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy]，流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除JFET效应。
2023-08-28 10:10:392920 
功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
2023-08-25 10:07:56188 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 
STF140N6F7内容简介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET电子元器件，为广泛的电压范围（30V至350V）应用提供了卓越的解决方案。采用TO-220FP封装，以其N沟道结构
2023-08-21 16:34:33
器件描述：漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
）二合一器件---R3T2FPHM3，为汽车应用提供新型表面贴装解决方案。Vishay General Semiconductor R3T2FPHM3采用氧化物平面芯片结设计和共阴极电路配置，将3 A，600 V标准整流器和200 W TRANSZORB® TVS组合在
2023-08-18 15:30:38475 
SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要
2023-08-18 08:32:56513 
报告中介绍，随着功率半导体应用领域逐渐扩大，当应用在计算机和航空电子等领域中时，低导通压降能够缩小整机的冷却系统，从而降低整机尺寸和成本，所以用户对器件的导通电阻提出了更高的要求。
2023-08-09 16:21:36326 电子发烧友网站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性.pdf》资料免费下载
2023-08-01 16:09:541 OC5822 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5822在 6-60V 宽输入电源范围内实现 1.5 A 最大输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5822 采用
2023-07-29 14:13:39
这是600W MOSFET功率放大器的电路图。该电路将为阻抗为 4 欧姆的扬声器提供超过 600 瓦的音频输出。该高功率放大器电路仅在输出级使用6个N沟道MOSFET IRFP450，即可为您提
2023-07-28 17:04:191357 
供应ID5S609SEC-R1 600V高低侧栅极驱动芯片可代换IR2304，提供id5s609芯片资料关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器
2023-07-20 14:20:134 供应ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104，提供ID7U603SEC-R1关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
了 “R60xxVNx系列” （含7款机型）。 此外，高速开关型600V耐压Super Junction MOSFET产品阵容中也新增了导通电阻更低的 “R60xxYNx系列” （含2款机型
2023-07-12 12:10:08437 及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02520 
研发及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
功率MOSFET的类型：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。当栅极电压为零时，有导电通道和增强型。对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零，功率MOSFET主要是N沟道增强。
2023-07-04 16:50:23881 
。功率MOSFET的漏极之间有一个寄生二极管，当漏极与反向电压连接时，器件连接。功率MOSFET的导通电阻具有正温度系数，有利于并联器件时的均流。
2023-07-04 16:46:37975 
在H桥电路中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人，但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩充 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供 LFPAK56E 封装
2023-06-21 10:34:32562 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供LFPAK56E封装，而现在新增了LFPAK56和LFPAK88封装设计。这些器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器
2023-06-21 09:21:57595 
Vishay 新型 Power DFN 系列 DFN3820A 封装 汽车级 200V、400V 和 600V 器件高度仅为 0.88 mm 采用可润湿侧翼封装 改善热性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509 
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特性和器件符号。双极结型晶体管（BJT)自身的局限性驱动了功率
2023-06-17 14:24:52591 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228 
PTS4842 N沟道高功率MOSFET规格书
PTS4842采用沟槽加工技术设计，实现极低的导通电阻。并且切换速度快，传输效率提高。这些特征结合在一起，使这种设计成为一种适用于各种DC-DC应用的高效可靠的设备。
2023-06-14 16:55:480 中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712 
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光伏 MOSFET 驱动器
2023-06-08 19:55:02374 
Vishay MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay 推出一款通过
2023-06-03 08:25:02533 
ZXGD3114N7产品简介 DIODES 的 ZXGD3114N7 是一款 600V 有源 OR-ing MOSFET 控制器，设计用于驱动极低 RDS(ON) 功率 MOSFET 作为
2023-06-02 16:15:17
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道
2023-05-22 11:11:391173 Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出 600V aMOS7™ 超结高压MOSFET。 aMOS7™ 是 AOS最新一代高压 MOSFET平台，旨在满足服务器、工作站、通信电源整流器
2023-05-11 13:52:15664 
，
逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑
输出电平。 高速风筒专用电机驱动芯片其浮动通道可
用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作电压可达 700V。高速风筒专用电机驱动芯片采用
SOIC8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作
2023-05-10 10:05:20
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量，并降低功率损耗 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 OC5822 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5822在6-60V 宽输入电源范围内实现 1.5 A最大输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
OC5864 是一款内置功率 MOSFET0.6A 的峰值输出电流的单片降压型开关模式转换器。OC58640.9Q 的内部功率 MOSFET在 5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02
MRF171A RF MOSFET 系列 45W，150MHz，28V主要设计用于 30-200 MHz 的宽带大信号输出和驱动级。 特征N 沟道增强型
2023-03-31 11:32:41
MRF275G RF MOSFET 系列 150W，500MHz，28V主要设计用于 100 – 500 MHz 的宽带大信号输出和驱动级。 特征N 沟道
2023-03-31 11:27:29
的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。ROHM的1,200V
2023-03-29 15:06:13
ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动
2023-03-29 09:24:35930 
600V N沟道MOSFET
2023-03-28 12:45:13
600V N沟道MOSFET
2023-03-28 12:45:13
600V N沟道MOSFET
2023-03-28 12:45:13
600V N沟道MOSFET
2023-03-28 12:45:06
600V N沟道MOSFET
2023-03-28 12:45:06
600V N沟道MOSFET
2023-03-28 12:44:57
LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514
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