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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性,适用于移动设备和消费电子

Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性,适用于移动设备和消费电子

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请问怎样去设计一种高效率音频功率放大器?

怎样去设计一种高效率音频功率放大器?如何对高效率音频功率放大器进行测试验证?
2021-06-02 06:11:23

采用TPS562209适用于双输出系统的参考设计

+5V 输出。这一简单设计可打造高效、低成本解决方案,适用于双输出系统。峰值效率超过 92%。特性 可利用单个设备和单个功率级生成两个输出。TPS562209 采用小型 SOT23 封装。DCAP2
2022-09-16 07:52:20

降压恒压 SL3041 高效率 低功耗 可实现72V降压5V

、SL3041的应用 SL3041适用于各种需要降压恒压的电路中,如电池充电器、LED照明、电子仪器。该器件可以将72V输入电压降至5V,为电路提供稳定的供电电压。同时,由于其高效能和低功耗的特点
2023-10-23 15:44:10

集成MOSFET如何提升功率密度

开发人员来说,功率密度是一个始终存在的挑战,对各种电压下更高电流的需求(通常远低于系统总线)带来了对更小的降压稳压器的需求,这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器,将电压从高达48 V降至1 V,使其
2020-10-28 09:10:17

非隔离8-100V宽输入降压恒压高效率小体积控制器

100V/10A 功率MOS输出电压从5V30V 可调支持输出恒流高效率:可高达93%工作频率:160KHz内置过温保护内置软启动
2016-09-28 13:38:47

面向工业总线POL应用的高效24V输入PMBus同步降压转换器

描述PMP11220 参考设计是一种高效率功率密度的 PMBus 同步降压转换器设计,用于对包括输出电压在内的电源进行编程和裕量调节。凭借适合工业总线应用的 24V 额定输入,此设计允许对输出
2018-12-21 11:49:47

飞兆半导体集成式智能功率级(SPS)模块 具有更高的功率密度和更佳的效率

在电路板尺寸不断缩小的新一代服务器和电信系统供电应用中,提高效率功率密度是设计人员面临的重大挑战。为了应对挑战,飞兆半导体研发了智能功率级(SPS)模块系列——下一代超紧凑的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:011811

Vishay发布高性能非对称双片TrenchFET® MOSFET

---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高边和低边MOSFET组合在一个小尺寸封装里,导通电阻比前一代同样封装尺寸的器件低57%,功率密度高25%,效率高5%,可节省空间,并简化高效同步降压转换器的设计。
2014-02-10 15:16:51890

儒卓力推出了一款具有功率密度高效率MOSFET器件

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装,可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站上供应这款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779

AN77-适用于大电流应用的高效率、高密度多相变换器

AN77-适用于大电流应用的高效率、高密度多相变换器
2021-04-27 15:55:052

高效率功率密度电力电子技术及案例分析

高效率功率密度电力电子技术及案例分析
2021-07-22 09:59:285

使用GaN实现高功率密度高效系统

(MOSFET),因为它能够驱动更高的功率密度和高达 99% 的图腾柱功率因数校正 (PFC) 效率。但由于其电气特性和它所支持的性能,使用 GaN 进行设计面临着与硅甚至其他宽带隙技术(如碳化硅)不同的一系列挑战。
2022-07-29 14:06:52792

先进的LFPAK MOSFET技术可实现更高的功率密度

电力电子领域的各种应用。MOSFET 的基本特性之一是其能够承受甚至非常高的工作电流、卓越的性能、稳健性和可靠性。该LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封装设计用于比 D²PAK 等旧金属电缆封装小尺寸和更高的功率密度适用于当今空间受限的高功率汽车应用。
2022-08-09 08:02:112783

具有高电压GaN FET的高效率和高功率密度1kW谐振转换器设计

电子发烧友网站提供《具有高电压GaN FET的高效率和高功率密度1kW谐振转换器设计.zip》资料免费下载
2022-09-07 11:30:0510

650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢复超结 MOSFET适用于高效率和可靠的电动汽车充电应用

650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢复超结 MOSFET适用于高效率和可靠的电动汽车充电应用
2022-11-15 20:17:570

基于WAYON维安MOSFET功率密度用于USB PD电源

基于WAYON维安MOSFET功率密度用于USB PD电源
2023-01-06 12:51:35549

国巨推出适用于功率高效率LLC电路

这种切换式DC/DC功率转换器可以实现更高的开关频率并减少开关损耗,使其更适用于功率高效率应用。在电源领域的应用相当广泛,包含:高端消费电子产品、工业电源管理以及电动车相关充电系统等。
2023-05-25 11:25:26645

Toshiba推出适用于USB设备和电池组保护的30V N沟道共漏MOSFET

​Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22320

东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET适用于电池组保护

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10460

功率设备提升功率密度的方法

在电力电子系统的设计和优化中,功率密度是一个不容忽视的指标。它直接关系到设备的体积、效率以及成本。以下提供四种提高电力电子设备功率密度的有效途径。
2023-12-21 16:38:07277

Vishay推出多功能新型30 V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET

Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。
2024-02-22 17:11:08355

Vishay推出30V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET

MOSFET旨在进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用中的功率密度,并显著增强热性能,从而为用户带来更为出色的性能体验。
2024-03-12 10:38:14104

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