2024年DRAM投片量：一季度微增，下半年剧增

据悉，DRAM稼动率缓步改善，业界认为，整体DRAM投片量从2024年第1季将逐季提升，较2023年第4季小幅提升约5%左右，下半年投片量回升速度将明显加快。分析师表示，针对第一季度的价格趋势，集邦咨询维持先前预测，DRAM合约价季涨幅约13-18%，NAND Flash季涨幅约18-23%。虽然目前市场对第二季度整体需求的看法仍属保守，但DRAM与NAND Flash供应商已分别在2023年第四季度下旬，以及2024年第一季度调升产能利用率，加上NAND Flash买方也早在第一季度将陆续完成库存回补，因此，DRAM、NAND Flash第二季度合约价季涨幅皆收敛至3-8%。

由于预计2024年下半年市场需求将开始复苏，DRAM的生产量将逐渐增加。然而，主要的增产重点将放在先进制程的DRAM上，包括1α和1β纳米制程转进。美光预计，在2024年初开始HBM3E量产爬升，有助于DRAM产业的供需平衡，并在美光2024会计年度创造数亿美元HBM营收。

据半导体芯情了解到，2023年，智能手机和个人电脑的需求低迷，全球存储芯片营收骤降37%，拖累了2023年全球半导体营收导致萎缩。存储芯片是半导体市场最主要的细分领域。

2024年，存储行情有所提升。业内人士表示，人工智能需求将进一步提振存储芯片价格，虽然人工智能应用程序大部分都部署在云端，但从2024年开始，边缘需求将变得越来越普遍(移动人工智能)，并可能逐渐进入智能手机升级周期。市场实际购买力并未完全复苏，短期内交易需求较为平淡，预计第一季度上半及农历新年前，终端市场将保持观望态度。第一至二季度将是关键，如果主要应用的出口需求顺利衔接，内存行业的繁荣局面将得以确立，产业供不应求的情况将成为必然。存储芯片周期已经从2023年第一季度的低点恢复，进入2024年将进一步改善。

审核编辑：黄飞