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电子发烧友网>存储技术>三星电子延后DRAM扩产计划,分析师决定上调美光目标价

三星电子延后DRAM扩产计划,分析师决定上调美光目标价

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三星芯片代工价格也将上调,幅度约为15%~20%

近日,在台积电宣布芯片代工价格上涨之后,三星也宣布计划上调芯片代工的价格。 据外媒报道称,目前三星正就芯片代工价格上调一事与客户沟通,据预测,本次三星芯片代工的价格将于今年下半年上调,最高将上调20
2022-05-16 12:04:431822

三星电子将加强汽车半导体业务,分析师预计其可能在欧洲建厂

10 月 25 日消息,据国外媒体报道,为克服存储芯片市场不景气对半导体业务部门的影响,三星电子目标投向了汽车半导体领域。 而韩国媒体在最新的报道中表示,部分分析师预计将目标投向了汽车半导体的三星
2022-10-30 13:15:06710

三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 中国深圳2022年12月21日 /通社/ -- 三星电子宣布,已成功开发出其首
2022-12-21 21:19:541342

三星DRAM月产量降至两年来新低 行业频现库存改善信号

但这并不是全部,报道称三星内部计划将减产持续至明年,在半导体市场重回供需平衡之前,公司将避免存储芯片。Omdia预计,明年下半年三星DRAM月产量将保持在60万片,较目前水平进一步减少。
2023-07-06 15:57:361181

三星调涨手机DRAM/NAND存储芯片价格,涨幅10-20%

据业界透露,三星电子存储器部门最近决定向小米、oppo、谷歌等主要智能手机制造企业提出上调价格。主要顾客三星电子移动保险(mx)部门也计划上调价格。一家半导体企业表示:“中国客户订购是因为相信海外销售额会比国内销售额进一步增加。”
2023-09-14 10:16:062121

三星拟提DRAM价格,以求盈利回暖

部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%,不及3D TLC NAND约10%;
2024-01-03 10:46:211562

DRAM价格飙升,三星和美计划Q1涨幅高达20%

根据最新的存储器模组行业消息,随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升,三星电子和美等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格,涨幅预计将达到15%-20%。 业内分析师指出
2024-01-03 18:14:161738

三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:221580

成都汇阳投资关于大摩上调巨头宁德时代目标价,动力电池行业或迎春天

公司评级至超配,并选为行业首选。分析师 Jack Lu等在报告中指出,宁德时代的股价看起来已反应了美国通胀削减法案的逆风。预计在一季度放缓后,宁德时代息税前利润增速会在接下来的几个季度恢复同比增长。上调公司目标价 14%至 210 元
2024-03-12 11:32:451322

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

特斯拉遭两家投行下调目标价

特斯拉遭两家投行下调目标价 特斯拉今年以来股价一直跌跌不休,24年已经下跌近32%。 日前瑞银和富国银行对特斯拉股价进行了评级分析,瑞银将特斯拉目标价下调,维持中性评级。而富国银行将其评级下调至卖出
2024-03-14 15:53:18752

、SK海力士、三星上调存储芯片价格,数据中心需求强劲成为主因

台湾东部花莲地区4月3日发生强烈地震之后,、SK海力士、三星纷纷暂停存储芯片报价,三星虽未受直接影响,却暂时停止出货以待上级指示。据了解,尽管家主要DRAM供应商尚未宣布后续涨价安排,不过业界预期地震后存储器产品价格或将大幅度攀升。
2024-04-10 09:30:411085

特斯拉新车交付量或降,分析师下调目标价

首先,Piper Sandler分析师Alexander Potter预计,特斯拉今年新车交付量将小幅下滑0.5%至不足180万辆;其次,Jefferies分析师Philippe Houchois也做出类似预测,认为新车交付量将减少约3%至177万辆。
2024-04-11 09:49:53881

分析师看涨AMD股价:上涨40% ,AI芯片潜力备受期待

据报道,汇丰分析师Frank Lee已将AMD股票的投资评级由“持有”升级为“买入”,同时上调目标价格至225美元,较4月16日收盘价163.46美元高出约40%。
2024-04-18 09:25:281380

上调高通目标价至180美元

上调高通目标价至180美元 基于人工智能的推动和手机市场的持续复苏;银证券上调高通的目标价,由173美元上调至180美元,维持“买入”评级。
2024-05-08 17:26:15838

三星电子提前组建DRAM技术开发团队

全球最大的DRAM制造商——三星电子、SK海力士以及计划在今年季度到明年逐步实现1cnm的量产。然而,1dnm工艺则排在1cnm之后,预计量产时间要等到2026年以后。
2024-05-09 14:56:18923

三星已成功开发16层3D DRAM芯片

在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出16层3D DRAM技术。同时,他透露,竞争对手也已将其3D DRAM技术扩展至8层。
2024-05-29 14:44:071398

今日看点丨曝三星计划Q3对DRAM、NAND涨价15%~20%;传苹果将大砍一半线员工

1. 传三星计划Q3 对DRAM 、NAND 涨价15%~20% ,现已通报客户   6月26日,多家媒体报道称,三星计划于第季度把动态随机存储器(DRAM)、NAND的价格上调15%~20
2024-06-27 11:02:40755

苹果最新消息 韦德布什上调苹果目标价 库克:将继续在AI技术上投资

我们来看看苹果公司近期最新消息: 就在全球资本动荡之际,投行D.A.Davidson将苹果公司目标价上调至260美元;而此前给出的目标价只有230美元;说明韦德布什投行很看好苹果公司;特别是苹果公司
2024-08-02 16:55:121112

三星确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存线投资

据韩国媒体最新报道,三星电子已正式确认在平泽P4工厂投资建设先进的1c nm DRAM内存线,并预计该线将于明年6月正式投入运营。这一举措标志着三星电子在半导体技术领域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201

三星、SK海力士及正全力推进HBM产能扩张计划

近期,科技界传来重要消息,三星、SK海力士及大半导体巨头正全力推进高带宽内存(HBM)的产能扩张计划。据预测,至2025年,这一领域的新增产量将激增至27.6万个单位,推动年度总产量翻番至54万个单位,实现惊人的105%年增长率,标志着HBM产能的显著飞跃。
2024-08-29 16:43:251771

三星暂停两大晶圆厂建设计划

三星电子近日宣布全面延后其位于韩国平泽的第四座晶圆厂(P4)及美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆厂的动工及发包计划。这一决定标志着三星在半导体领域的投资策略转向保守,引发了业界的广泛关注。
2024-09-27 16:41:35870

三星将出售西安芯片厂旧设备及线

三星电子即将启动一项重大举措,计划出售位于中国西安的NAND闪存工厂的旧设备及线。这一决定标志着三星在半导体业务上的一次重大调整,预计将对全球半导体市场产生一定影响。
2024-11-12 14:36:441640

三星平泽P4一期线调整:将同时生产DRAM和NAND Flash

据韩国媒体报道,三星电子决定调整其平泽园区P4线第一期的产能分配,以应对市场需求的快速变化。这一决策标志着三星电子在半导体生产策略上的重要调整。
2024-11-13 14:19:001127

三星电子计划新建封装工厂,HBM内存

三星电子计划在韩国天安市新建一座半导体封装工厂,以扩大HBM内存等产品的后端产能。该工厂将依托现有封装设施,进一步提升三星电子在半导体领域的生产能力。
2024-11-14 16:44:351203

三星苏州先进封装厂将

近期,据 Business Korea 报道,三星电子正在扩大国内外投资,以强化其先进半导体封装业务。封装技术决定了半导体芯片如何适配目标设备,而对于 HBM4 等下一代高带宽存储(HBM)产品
2024-11-25 15:28:04953

三星否认重新设计1b DRAM

问题,在2024年底决定在改进现有1b nm工艺的同时,从头设计新版1b nm DRAM。 不过,三星通过相关媒体表示相关报道不准确。尽管三星否认了重新设计,但有业内人士透露,三星目标是提升1b DRAM的性能和良率。据了解,三星启动了名为“D1b - p”的开发项目,重点关注提高电源效率和散热性能。
2025-01-23 10:04:151361

三星电子否认1b DRAM重新设计报道

DRAM内存产品面临的良率和性能双重挑战,已决定在2024年底对现有的1b nm工艺进行改进,并从头开始设计新版1b nm DRAM。然而,三星电子现在对此表示否认,强调其并未有重新设计1b DRAM计划。 尽管三星电子否认了重新设计的传闻,但不可否认的是,其12nm级DRAM产品确实面
2025-01-23 15:05:11923

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