比特位的技术），实现了具有极大存储容量的硅芯片。 目前，最先进的3D NAND闪存可在单个硅片上容纳高达1Tbit或1.33Tbit的数据。 譬如，英特尔（Intel）和美光科技（Micron）的开发联盟和三星电子各自将制造技术与64层堆栈和QLC（四层单元）技术相结合，该技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月26日，韩国首尔，英特尔在 Memory＆Storage Day 2019活动上公布了SSD产品的技术路线图。其中，该公司还详细阐述了SSD产品（如英特尔660p）中使用的QLC NAND技术
2019-10-04 01:41:005916 Kioxia（原东芝存储），西部数据（WD）联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前，原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 2020年下半年制造48层的3D NAND存储。然后，该公司计划在2021年开始出货96层3D NAND，并在2022年开始出货192层3D NAND。目前，该公司用于制造NAND的最先进技术是其19纳米
2019-12-14 09:51:295966 IM Flash 技术有限责任公司是英特尔与美光科技的合资公司，日前，该公司表示目前正在策划如何及何时将3D技术用于NAND闪存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451729 7月24日国外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间，同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘。
2013-08-15 09:11:161488 三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下
2016-08-11 13:58:0644661 
3D NAND Flash。中国已吹响进军3D NAND Flash冲锋号，若能整合好跨领域人才和技术，中国3D NAND Flash有望弯道超车。
2017-02-07 17:34:129182 
据海外媒体报道，去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND，但3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因产能排挤缩小，NAND Flash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。
2017-02-27 09:21:371739 
英特尔（Intel）终于发表了第一款采用3D XPoint内存的固态硬盘（SSD），这款Optane固态硬盘预期能为此试图在闪存与DRAM之间开创新市场的新一代内存技术，建立虽然小巧但意义重大的滩头堡。
2017-03-21 09:18:081367 英特尔（Intel）终于发布了第一款采用3D XPoint内存的固态硬盘（SSD），这款Optane固态硬盘预期能为此试图在闪存与DRAM之间开创新市场的新一代内存技术，建立虽然小巧但意义重大的滩头堡。
2017-03-21 09:46:363708 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速
2020-09-11 10:03:293528 展示了英特尔制程工艺的多项重要进展，包括：英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节，英特尔首款10纳米FPGA的计划，并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。
2017-09-20 09:08:576840 3D NAND技术资料：器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否带动SSD市场爆炸性成长？如何提升SSD寿命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晋升巿场主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D显示技术的原理是什么？3D显示技术有哪些应用？3D拍好了到底怎么样传输？
2021-05-31 06:53:03
http://www.eupes.netFacebook数据中心凤凰科技讯 北京时间12月12日消息，据路透社报道，美国时间本周二，英特尔将推出使用低能耗技术的数据中心芯片，旨在加强在新兴的微处理器
2012-12-12 10:09:45
Stero 3D的3D功能。有一个讨论这个问题的线程，有些人对此真的不满意吗？在播放蓝光3D时，这会如何影响3D功能？任何人都可以更广泛地解释这一点，最好是英特尔的人。来自英特尔技术规范：“LSP 2.0
2018-10-26 14:52:52
固态盘英特尔还宣布了业内首款面向数据中心的64层、三级单元（TLC）3D NAND固态盘产品已正式出货。该产品自2017年8月初便开始向部分顶级云服务提供商发货，旨在帮助客户大幅提升存储效率。在存储领域
2017-09-22 11:08:53
`CFMS2018近日成功举办，来自三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储等全球存储业大咖，与行业人士共同探讨3D NAND技术的发展未来。我们来看看他们都说了什么。三星：看好在UFS市场的绝对优势
2018-09-20 17:57:05
嗨，我有一台3D系统的3D扫描仪，配有英特尔实感SR300摄像头。我想知道是否有人知道扫描仪附带的软件中低到高几何分辨率的含义。提前谢谢你花时间回答我的问题。以上来自于谷歌翻译以下为原文Hi,I
2018-11-30 11:13:06
是第一个推出1Tb级产品的公司。3D XPoint则是由英特尔和美光科技于2015年7月发布的非易失性存储器（NVM）技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane，而美光称之为QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑
高清图详解英特尔最新22nm 3D晶体管
2012-08-05 21:48:28
近日消息，英特尔计划将“3D晶体管”工艺应用到SoC移动芯片上，以获得产品性能飞跃性提升，但对于“3D晶体管”技术是否适用于SoC芯片的制造，参与旧金山国际电子产品大会的专家们
2012-12-11 09:05:451434 汽车，英特尔公司期望透过该公司的新晶片进展，为未来打造更安全且身历其境的体验。 透过以下图集，看看英特尔展示今日与明日的创新技术。 RealSense 3D悬浮屏幕 RealSense 3D监测 英特尔在平板电脑与笔记型电脑中嵌入了 3D 感测元件、专用处理器以及多个摄影镜头，
2014-07-01 09:50:514841 据报道，苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层，256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠，这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元，单个
2017-04-12 01:07:111359 3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。在一个新的研究报告中指出，这项技术将会在今年成为闪存领域的卓越性技术。
2017-05-03 01:02:501621 6月29日消息 据外媒NEOWIN报道，英特尔今天宣布推出SSD 545s固态硬盘，它是主流的SATA驱动器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64层3D TLC闪存。 这是世界上首款可供商用的64层3D NAND SSD产品，且目前仅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoint技术的Optane品牌储存产品 ，成为该技术最先上市的新一代高性能固态硬盘（SSD）系列。 根据TechInsights的材料分析，XPoint是一种非挥发性内存（NVM）技术。位储存根据本体（bulk）
2017-09-18 19:39:00
4 的厂商竞争，以及日经贴般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。、 那么，到底什么是闪存颗？2D NAND和3D NAND之间又有哪些区别和联系？ 闪存颗粒到底是什么？ 闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据
2017-10-13 20:33:266 英特尔（INTC. US）、美光科技（MU. US）13日宣布，IM Flash B60晶圆厂已完成扩建工程。 新闻稿指出，规模扩大后的晶圆厂将生产3D XPoint内存媒体。 成立于2006年的IM Flash合资企业替英特尔与美光生产非挥发性内存，初期生产用于SSD、手机、平板的NAND。
2017-11-15 10:23:071455 2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00918 英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoint技术的Optane品牌储存产品
2018-01-10 13:37:02656 集微网消息，1月9日，英特尔(Intel)宣布与美光(Micron)即将在第三代3D NAND之后分道扬镳。今日台湾DIGITIMES报道指出，业界透露英特尔在3D NAND布局押宝大陆市场，不仅
2018-01-10 19:43:16679 据外媒报道，英特尔和镁光宣布，它们不再合作开发下一代3D NAND内存。
2018-01-11 09:16:024791 近日传闻美光科技和英特尔的合作关系即将终止，主要是因为3D NAND技术还不适合目前的市场，后续有传说英特尔要和紫光一起开发3D NAND芯片，具体情况如何还需要进一步的考证。
2018-01-16 14:30:431661 上周，随着英特尔和美光宣布未来双方将各自独立开发3D NAND，其维持多年的长期合作关系也将结束。与此同时，有外媒报道，英特尔将于紫光合作，在中国生产3D NAND闪存芯片。在未来几年，英特尔将会
2018-01-16 14:37:555172 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以来，最具突破性的一项存储技术。由于具备以下四点优势，3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271538 无论是3D堆叠还是QLC的推出，这些情况均说明了随着3D NAND技术走向实用化，国际厂商正在加快推进技术进步。3D NAND相对2D NAND来说，是一次闪存技术上的变革。而且不同于基于微缩技术
2018-06-20 17:17:495087 半导体行业巨头美光在新加坡的新工厂破土动工，该工厂将致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 NAND Flash控制IC大厂群联日前宣布，PCI-e规格的固态硬碟（SSD）晶片已经通过3D NAND Flash BiCS3测试，下半年将成为PC／NB OEM的SSD市场主流规格，将可望扩大SSD市占率。
2018-08-03 16:08:212411 作为NAND行业的新晋者，长江存储科技有限责任公司（以下简称：长江存储）昨日公开发布其突破性技术——Xtacking™。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 上周，美光系与英特尔推出了64层3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架构相较于TLC（3bits/cell）容量更大，使得单颗Die容量可高达1Tb，备受市场高度关注
2018-08-22 16:25:462599 3D NAND通过设备中堆叠的层数来量化。随着更多层的添加，位密度增加。今天，3D NAND供应商正在推出64层设备，尽管他们现在正在推进下一代技术，它拥有96层。分析师表示，到2019年中期，供应商正在竞相开发和发布下一代128层产品。
2018-08-23 16:59:4812625 在价格和竞争压力期间，3D NAND供应商正准备迎接新的战斗，相互竞争下一代技术。
2018-08-27 16:27:189528 至少2年时间，Intel、美光去年才推出3D NAND闪存，Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD，不过主要是面向企业级市场的。这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数
2018-10-08 15:52:39780 制程特选高品质的MLC NAND 闪存和英特尔高耐用性技术（High Endurance Technology，HET），可以为数据中心、金融服务、嵌入式、互联网门户、搜索引擎以及其它要求苛刻的存储和服务器应用带来它们所需的耐用性和性能，从而实现更高的应用价值。
2018-10-10 16:50:002417 让英特尔头痛的是，3D XPoint市场规模仍然很小，这让他们无法将该产品大批量生产。如果没有高产量，其生产成本将会保持很高，可能高于DRAM。然而，英特尔必须以低于DRAM的价格出售3D XPoint，才会吸引消费者。这意味着英特尔必须赔钱来建立市场。
2018-10-16 15:47:034677 来自Cappasity的英特尔®软件创新者展示了全身3D扫描仪的早期原型，即英特尔®实感™远程摄像机。
2018-11-07 06:40:004707 支持64层3D QLC后，现已全面支持最新96层3D NAND闪存颗粒。此次发布的96层3D TLC NAND闪存固态硬盘解决方案，客户无需修改硬件，为客户快速量产提供了极大的便利性。联芸科技最新发布
2018-11-19 17:22:318411 NAND技术最早都是源自于飞索（Spansion）的Charge Trap架构，唯一例外的是英特尔（Intel）和美光（Micron）仍是延续传统Floating Gate架构，但从64层技术开始，也都会转成Charge Trap架构。
2018-12-03 09:04:572304 记忆体的3D NAND flash大战即将开打！目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营，如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将划下句点。
2018-12-13 15:07:471294 在近日举行的英特尔“架构日”活动中，英特尔不仅展示了基于10纳米的PC、数据中心和网络系统，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架构，还推出了业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros。这一全新的3D封装技术首次引入了3D堆叠的优势，可实现在逻辑芯片上堆叠逻辑芯片。
2018-12-14 15:35:328854 英特尔近日向业界推出了首款3D逻辑芯片封装技术“Foveros”，据悉这是在原来的3D封装技术第一次利用3D堆叠的优点在逻辑芯片上进行逻辑芯片堆叠。也是继多芯片互连桥接2D封装技术之后的又一个颠覆技术。
2018-12-14 16:16:453316 一说到2D或者3D，总是让人想到视觉领域中的效果，然而在半导体领域，3D技术带来的革命更叹为观止，早些年的FinFET和3D NAND只是个开始。
2019-01-25 14:29:555585 一说到二维（2D）或三维（3D），总是让人想到人眼视觉效果，然而在半导体领域，3D技术带来的革命更叹为观止，早些年的FinFET和3D NAND只是个开始。从2018年12月初英特尔公布新架构路线，到1月初CES 2019上拿出M.2 SSD大小的整台电脑，这样的速度，你不得不更上！
2019-01-29 11:09:006007 英特尔今日公布了英特尔®傲腾™混合式固态盘的详细信息，这款创新的设备采用M.2规格，体积小巧，将英特尔傲腾技术的卓越响应速度与英特尔®Quad Level Cell（QLC）3D NAND技术的强大存储容量融为一体。
2019-04-12 17:25:584769 7月11日，业内传出消息称，SK海力士计划收购Intel位于中国大连的Fab 68存储工厂及3D NAND业务。对此传闻，英特尔向芯智讯进行了回应。
2019-08-06 15:16:014741 英特尔正式介绍了一系列新的技术里程碑，并强调了其在以数据为中心的计算时代，推动内存与存储技术进步的持续投资与坚定承诺，包括面向云、人工智能和网络边缘应用，为客户提供独特的英特尔傲腾技术以及英特尔3D NAND 解决方案。
2019-10-02 14:36:00660 英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3D NAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 发布两个月后，英特尔终于在今日正式放出了第二代 QLC 固态硬盘新品，它就是采用了新一代 96 层 3D QLC NAND 的 Intel SSD 665p 。作为对比，上一代 Intel SSD
2019-11-26 15:20:383769 根据AnandTech的报道，三星计划投资数十亿美元扩大其在中国西安的3D NAND生产设施。
2019-12-18 10:38:203458 在此前高调地宣布“分道扬镳”之后，英特尔近日又与美光签署了新的 3D XPoint 存储器晶圆供应协议。分析人士指出，鉴于英特尔是当前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付较以往更多的费用。
2020-03-17 14:21:142525 据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 （PHISON; TPEx:8299） 与长江存储自2016年开始接洽合作，从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226，至近期的64层3D NAND，群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091627 5月11日消息，近日，英特尔初步介绍第二代傲腾固态硬盘细节，该公司使用3DXpoint打造的傲腾系列存储产品都有着相当强大的性能，新一代傲腾144层3D NAND固态硬盘将支持PCIe 4.0，最大容量可达3TB。
2020-05-13 14:08:046684 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212924 美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构。 美光科技表示，与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比，176 层 NAND 将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上。美光的 176 层
2020-11-12 13:04:572623 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 NAND 应运而生，可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，在需要存储海量数据的时代有着重大价值。 依托于先进工艺的 3D NAND，氧化层越来越薄，面临可靠性和稳定性的难题，未来的 3D NAND 将如何发展？如何正确判断一款 3D NAND 的总体效率？ 在 2020 年的闪存峰
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高级技术研究员 Joengdong Choe 发表了相关演讲，详细介绍了 3D NAND 和其他新兴存储器的未来。TechInsights 是一家对包括闪存在内的半导体产品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 长江存储基于Xtacking架构的3D NAND颗粒打造的首款消费级固态品牌致钛存储于日前正式与我们见面，并获得众多用户的支持。而在网上呼声较高的问题就是关于致钛存储的技术，而就在近日，长江存储通过
2020-11-24 09:56:484526 NAND应运而生，可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，在需要存储海量数据的时代有着重大价值。 依托于先进工艺的3D NAND，氧化层越来越薄，面临可靠性和稳定性的难题，未来的3D NAND将如何发展？如何正确判断一款3D NAND的总体效率？ 在2020年的闪存
2020-12-09 10:35:493617 发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583 12 月 16 日消息 根据英特尔官方的消息，在今天的 2020 英特尔内存存储日活动上，英特尔正式发布了英特尔固态盘 670p，采用了英特尔下一代 144 层 QLC 3D NAND。 IT之家
2020-12-17 09:30:223066 的数据中心级固态盘。 根据外媒 AnandTech 的消息，基于 TLC 的 P5510 和基于 QLC 的 P5316 都使用与英特尔今年早些时候发布的 P5000 系列 SSD 相同的主控，支持
2020-12-17 09:33:037860 根据英特尔官方的消息，在今天的 2020 英特尔内存存储日活动上，英特尔正式发布了英特尔固态盘 670p，采用了英特尔下一代 144 层 QLC 3D NAND。 IT之家了解到，670p 是继
2020-12-17 10:04:273586 本次大会上，英特尔还宣布推出三款采用144层存储单元的全新NAND固态盘，包括适用于主流计算的英特尔下一代144层QLC 3D NAND固态盘——英特尔固态盘670p；全球首个推向市场的144层
2020-12-17 14:15:201606 新一代3D NAND技术已迎来新的战局，继美光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代176层3D NAND之后，铠侠和西部数据也正式宣布推出162层3D NAND技术，三星也称将在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特尔大力推广144层3D NAND，硝烟已四起。
2021-02-24 11:22:072770 的创新，设计人员可以将他们的系统集成至单个封装内，封装内的芯片通过精选的制程技术来优化特定功能。 新兴系统要求极高的互联带宽和极小的接口功耗/位。为了实现它，英特尔提供了两个关键要素 - 超短程接口标准和 3D 集成封装技术。 高级
2021-03-22 09:27:532982 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227 3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度，可支持在更小的空间内，容纳更高的存储容量，从而有效节约成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015 英特尔在封装技术方面取得了重大突破，并已经开始大规模生产基于3D Foveros技术的产品。这项技术使得英特尔能够在单个封装中整合多个小芯片（Chiplets），从而提高了芯片的性能、尺寸和设计灵活性。
2024-01-26 16:04:501281 英特尔最近宣布，他们已经实现了基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产，其中包括具有划时代意义的3D封装技术Foveros。
2024-01-26 16:53:242081 三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299 2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。
2024-03-17 15:31:392376 
在3D NAND的制造过程中，一般会有3个工序会用到干法蚀刻，即：台阶蚀刻，channel蚀刻以及接触孔蚀刻。
2024-04-01 10:26:552343 
电子发烧友网报道（文/黄山明）近日，铠侠再次宣布，将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠，而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示，将在
2024-06-29 00:03:008061
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