3D NAND闪存高密度技术正变得越来越激进。3D NAND闪存密度和容量的提高主要通过增加垂直方向上堆叠的存储器单元的数量来实现。通过这种三维堆叠技术和多值存储技术（用于在一个存储单元中存储多个
2019-08-10 00:01:00
8135 SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 3D NAND闪存的单元技术，该技术 BiCS被称为3D NAND闪存。 BiCS技术有两个功能。一种是称为插拔。冲孔对应于通道的大量长而窄的孔的过程，以及成为记忆孔内部通道的多晶它由块状形成硅膜的过程。 另一种是称为门优先的过程。通过交替堆叠栅极薄膜（字线）和绝缘膜（单元之间的元件
2019-12-13 10:46:0712470 2020年下半年制造48层的3D NAND存储。然后，该公司计划在2021年开始出货96层3D NAND，并在2022年开始出货192层3D NAND。目前，该公司用于制造NAND的最先进技术是其19纳米
2019-12-14 09:51:295966 7月24日国外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间，同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘。
2013-08-15 09:11:161488 三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:001030 半导体协会理事长卢超群指出，未来半导体将要做3D垂直堆叠，全球半导体产业未来会朝向类摩尔定律成长。
2016-06-10 00:14:002696 三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 3D NAND Flash。中国已吹响进军3D NAND Flash冲锋号，若能整合好跨领域人才和技术，中国3D NAND Flash有望弯道超车。
2017-02-07 17:34:129182 
据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了65%，这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 据海外媒体报道，去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND，但3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因产能排挤缩小，NAND Flash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。
2017-02-27 09:21:371739 
苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 通过3D堆叠技术将存储层层堆叠起来，促成了NAND 技术进一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
六大NAND Flash颗粒制造商之一的东芝也宣布了自家96层3D NAND产品的新消息：他们正式推出了旗下首款使用96层3D NAND闪存的固态硬盘产品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 集微网消息，9月19日，2018年中国闪存市场峰会（CFMS2018）在深圳举行，长江存储总经理杨士宁博士以“创新Xtacking™架构：释放3D NAND潜能”为主题，介绍长江存储Xtacking™架构的技术优势和长江存储3D NAND新进展。
2018-09-20 10:22:075992 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速
2020-09-11 10:03:293528 3D堆叠像素探测器芯片技术详解
2024-11-01 11:08:074435 
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+层 3D NAND，并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
3D NAND技术资料：器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
2021-06-18 06:06:00
3D显示技术的原理是什么？3D显示技术有哪些应用？3D拍好了到底怎么样传输？
2021-05-31 06:53:03
，大数据存储需求持续增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增长率达40%-45%，而美光NAND技术从40nm到16nm，再到64层3D技术，一直为市场提供更好的产品和解决方案。就在几个月前美
2018-09-20 17:57:05
当3D电影已成为影院观影的首选，当3D打印已普及到双耳无线蓝牙耳机，一种叫“3D微波”的技术也悄然而生。初次听到“3D微波”，你可能会一脸茫然，这个3D微波是应用在哪个场景？是不是用这种技术的微波炉1秒钟就能把饭煮熟？O M G!我觉得很有必要给大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
使用DLP技术的3D打印光固化成形法 (SLA)，一个常见的3D打印工艺，与传统打印很相似。与硒鼓将碳粉沉积在纸张上很类似，3D打印机在连续的2D横截面上沉淀数层材料，这些材料一层层的叠加
2022-11-18 07:32:23
，并将带宽密度提高10倍。在CES 2019展会上，Intel也正式公布了Foveros 3D立体封装技术，Foveros 3D可以把逻辑芯片模块一层一层地堆叠起来，而且可以做到2D变3D后，性能
2020-03-19 14:04:57
基于Wide I/O接口的3D堆叠，在逻辑搭载存储器设计上进行了验证 ，可实现多块模的整合。它将台积电的3D堆叠技术和Cadence®3D-IC解决方案相结合，包括了集成的设计工具、灵活的实现平台，以及最终的时序物理签收和电流/热分析。
2013-09-26 09:49:201717 上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 据报道，苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层，256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠，这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元，单个
2017-04-12 01:07:111359 3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。在一个新的研究报告中指出，这项技术将会在今年成为闪存领域的卓越性技术。
2017-05-03 01:02:501621 现在，西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术（下半年出样，2018年开始量产），除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00918 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以来，最具突破性的一项存储技术。由于具备以下四点优势，3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
三星电子(Samsung Electronics)3D NAND生产比重，传已在2017年第4季突破80%，三星计划除了部分车用产品外，2018年将进一步提升3D NAND生产比重至90%以上，全面进入3D NAND时代。
2018-07-06 07:02:001447 层数的增加也就意味着对工艺、材料的要求会提高，要想达到140层堆叠就必须使用新的基础材料。而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND
2018-05-28 16:25:4851340 而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到
2018-06-03 09:50:556262 在正在举行的国际存储研讨会2018（IMW 2018）上，应用材料公司Sean Kang介绍了未来几年3D-NAND的发展线路图，到了2021年，3D-NAND的堆叠层数会超过140层，而且每一层的厚度会不断的变薄。
2018-06-18 09:46:004188 
无论是3D堆叠还是QLC的推出，这些情况均说明了随着3D NAND技术走向实用化，国际厂商正在加快推进技术进步。3D NAND相对2D NAND来说，是一次闪存技术上的变革。而且不同于基于微缩技术
2018-06-20 17:17:495087 三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 在Dell EMC World 2017大会上，东芝美国电子元件公司TAEC展示了采用64层BiCS 3D堆叠技术的SSD产品，归属于XG3系列，也就是OCZ RD400的OEM版。
2018-07-30 16:25:352131 近日，英特尔发布了DC P4500系列及DC P4600系列两款全新的采用3D NAND技术的数据中心级固态盘，加强扩大3D NAND供应。
2018-08-01 17:44:541237 随着原厂3D技术的快速发展，2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈，其中，三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称，东芝存储器（TMC）96层3D NAND将在Q4扩大出货，代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。
2018-08-05 11:50:161646 ，同时恐激化各家原厂展开96层3D NAND技术竞争，然而市场更多的是关心NAND Flash价格走向将如何。
2018-08-22 16:25:462599 3D NAND通过设备中堆叠的层数来量化。随着更多层的添加，位密度增加。今天，3D NAND供应商正在推出64层设备，尽管他们现在正在推进下一代技术，它拥有96层。分析师表示，到2019年中期，供应商正在竞相开发和发布下一代128层产品。
2018-08-23 16:59:4812625 在价格和竞争压力期间，3D NAND供应商正准备迎接新的战斗，相互竞争下一代技术。
2018-08-27 16:27:189528 .DIGITIMES研究观察，由于干蚀刻使用在64层以上更高堆叠层数的三维NAND闪存，其蚀刻速度与正确性可望优于湿蚀刻，将使三星于64层以上的3D NAND闪存转向干蚀刻发展的可能性提升。 垂直通道（垂直通道）构造
2018-10-08 15:52:39780 11月15日， 国产知名SSD主控芯片原厂联芸科技（MAXIO）再下一城，正式对外宣布MAS0902固态硬盘主控芯片已全面支持最新96层3D TLC NAND 闪存颗粒，并对外提供搭载联芸科技自主
2018-11-19 17:22:318411 NAND Flash产业在传统的Floating Gate架构面临瓶颈后，正式转进3D NAND Flash时代，目前三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 推出64层/72层3D NAND，预计从下半年开始将陆续进入量产阶段，届时3D NAND产能将大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 在近日举行的英特尔“架构日”活动中，英特尔不仅展示了基于10纳米的PC、数据中心和网络系统，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架构，还推出了业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros。这一全新的3D封装技术首次引入了3D堆叠的优势，可实现在逻辑芯片上堆叠逻辑芯片。
2018-12-14 15:35:328854 英特尔近日向业界推出了首款3D逻辑芯片封装技术“Foveros”，据悉这是在原来的3D封装技术第一次利用3D堆叠的优点在逻辑芯片上进行逻辑芯片堆叠。也是继多芯片互连桥接2D封装技术之后的又一个颠覆技术。
2018-12-14 16:16:453316 近日，武汉新芯研发成功的三片晶圆堆叠技术备受关注。有人说，该技术在国际上都处于先进水平，还有人说能够“延续”摩尔定律。既然3D芯片堆叠技术有如此大的作用，那今天芯师爷就跟大家一起揭开它的面纱。
2018-12-31 09:14:0034067 对于目前的高端市场，市场上最流行的2.5D和3D集成技术为3D堆叠存储TSV，以及异构堆叠TSV中介层。Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWos）技术已经广泛用于高性能计算
2019-02-15 10:42:198043 
现在，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:003069 长江存储科技（YMTC）本周早些时候表示，已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:162374 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455 英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3D NAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 困于10nm的Intel也在这方面寻找新的机会，其在去年年底的“架构日”活动中，推出其业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros，Foveros首次引入3D堆叠的优势，可实现在逻辑芯片上堆叠
2020-01-28 16:10:004118 至于原因，东芝认为3D XPoint成本太高，在容量/价格比上难以匹敌3D NAND 技术，现在市面上96层堆叠的闪存已经大量涌现，可以在容量上轻松碾压3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 追求存储密度以降低存储成本不断推动着NAND闪存技术的发展。NAND闪存技术已经从最初的SLC时代，跨越MLC、TLC向QLC时代快速演进，并且从最初的2D平面技术全面切换到3D堆叠技术。而3D NAND闪存技术也从最初的32层堆叠，发展到了目前最新一代的高达128层堆叠。
2020-04-14 15:28:032795 
长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2－6070研发成功，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-04 10:39:003612 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 （PHISON; TPEx:8299） 与长江存储自2016年开始接洽合作，从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226，至近期的64层3D NAND，群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091627 SIP有多种定义和解释,其中一说是多芯片堆叠的3D封装内系统集成,在芯片的正方向堆叠2片以上互连的裸芯片的封装。SIP是强调封装内包含了某种系统的功能封装，3D封装仅强调在芯片方向上的多芯片堆叠
2020-05-28 14:51:447076 3D NAND的论文数量最多，因此，笔者就各家NAND型闪存（以下简称为：“NAND”）厂家的现状、未来的技术蓝图（Roadmap）展开论述。
2020-07-30 11:14:457564 
Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-10 16:22:392315 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212924 美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构。 美光科技表示，与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比，176 层 NAND 将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上。美光的 176 层
2020-11-12 13:04:572623 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着 2D NAND 容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND 的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:133095 日前，存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能。
2020-11-20 17:10:122392 依托于先进工艺的 3D NAND，氧化层越来越薄，面临可靠性和稳定性的难题，未来的 3D NAND 将如何发展？如何正确判断一款 3D NAND 的总体效率？ 在 2020 年的闪存峰会
2020-11-20 17:15:444306 NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着2D NAND容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:493617 发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583 新一代3D NAND技术已迎来新的战局，继美光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代176层3D NAND之后，铠侠和西部数据也正式宣布推出162层3D NAND技术，三星也称将在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特尔大力推广144层3D NAND，硝烟已四起。
2021-02-24 11:22:072770 长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业，从成立之初就保持着高速稳定的发展状态，用短短3年的时间，接连推出了32层NAND闪存，以及64层堆栈3D NAND闪存，成功进入了华为Mate40手机的供应链。
2022-06-17 10:56:218286 垂直堆叠、XY方向缩放、CMOS电路每比特减少这三种方法对于未来3D NAND的高密度化具有重要意义。
2022-06-22 11:32:404750 
美光已经在完成 232 层 NAND 的订单，而且不甘示弱，SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 层 512Gb 三层单元 (TLC) 4D NAND。或许更重要的是，芯片制造商私下表示，他们将利用行业学习为目前正在开发的 3D-IC 堆叠 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227 全行业正在努力将 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 仅涉及利用当前成熟的 3D NAND 工艺，这与学术论文提出和内存行业研究的许多将 DRAM 迁移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46993 
这一创新技术可在短短33分钟内完成10微米深度的刻蚀，比以往的技术大大缩短了时间。东京电子方面表示：“如果应用该技术，不仅有助于制造高容量3d nand，还可以减少84%的地球变暖危险。”
2023-06-12 10:52:201592 
3D设计引入了多晶硅和二氧化硅的交替层，并将浮栅交换为电荷陷阱闪存 (CTF)，区别在于FG将存储器存储在导电层中，而CTF将电荷“捕获”在电介质层中。这种3D设计方式不仅带来了技术性能的提升，而且还进一步控制了成本。
2023-07-04 15:42:001638 
三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015 3D打印是一种数字制造技术，也被称为增材制造（Additive Manufacturing），它可以将数字三维模型逐层地转化为实体物体。与传统的减材制造方式（如切削加工）不同，3D打印是一种将物体逐层堆叠构建的技术。
2023-08-28 16:11:062529 在3D实现方面，存储器比逻辑更早进入实用阶段。NAND闪存率先迈向3D 。随着目前量产的20-15nm工艺，所有公司都放弃了小型化，转而转向存储单元的三维堆叠，以提高每芯片面积的位密度。它被称为“ 3D（三维）NAND ” 。
2023-12-02 16:38:402967 
三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299 2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。
2024-03-17 15:31:392376 
目前，铠侠和西部数据共同研发NAND闪存技术，他们最杰出的作品便是218层堆叠的BICS8 3D闪存，这项产品能达到的传输速度高达3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351 在全球半导体技术的激烈竞争中，SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日，在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果，其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:221473 芯片行业正在努力在未来几年内将 3D NAND 闪存的堆栈高度提高四倍，从 200 层增加到 800 层或更多，利用额外的容量将有助于满足对各种类型内存的无休止需求。 这些额外的层将带来新的可靠性
2024-12-19 11:00:311427 
在CITE 2020上，紫光集团带来了大量产品，其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 电子发烧友网报道（文/黄山明）近日，铠侠再次宣布，将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠，而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示，将在
2024-06-29 00:03:008061
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