全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌——慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存,为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。
随着长江存储在3D NAND技术迅速提升, 已成为闪存市场的主要供应厂商之一,并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片, 是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND闪存。慧荣科技身为SSD主控芯片的市场领导者,近10年的NAND Flash主控出货累积超过60亿颗,凭借对NAND市场及技术的深入了解,与长江存储保持紧密合作及技术交流, 并提供完整的主控芯片解决方案, 来提升存储巿场的应用。
「我们全系列主控芯片与长江存储Xtacking 3D NAND相结合,将会为全球市场注入更具竞争力及更多元的存储解决方案。」慧荣科技的市场营销暨研发资深副总段喜亭表示:「作为长江存储多年深度合作伙伴,从长江存储最初第一代NAND的开发,到近期最新一代,慧荣科技都参与其中,随着长江存储最新128层Xtacking 3D NAND的推出,我们将持续深化与长江存储的合作关系,加强核心技术与产品研发,为5G、物联网应用及全球市场赋能。」
长江存储市场与销售高级副总裁龚翊(Grace)表示:「慧荣科技作为全球领先的控制器厂商之一,与长江存储在系统解决方案产品的开发过程中合作紧密,有利于将产品更快地推向巿场.带来更大的客户价值及更广阔的应用前景。」
慧荣科技全系列主控芯片支持长江存储Xtacking 3D NAND,产品包括:
应用于企业级/数据中心及个人电脑的SSD 主控芯片
• SATA 6Gb/s SSD 主控芯片
• PCIe Gen4 x4 NVMe 1.4 SSD 主控芯片
• PCIe Gen3 x4 NVMe 1.3 SSD 主控芯片
• USB 3.1 / USB 2.0 主控芯片
应用于行动装置的eMMC/UFS主控芯片
• 高速随机读写效能的单信道eMMC 5.1主控芯片
• UFS 3.1 主控芯片应用于嵌入式UFS, uMCP 及UFS卡
最新长江存储-致钛系列新品发布会发表的致钛PC005 active,采用慧荣SM2262EN主控芯片,搭配长江存储256Gb TLC NAND展现了超低耗电的绝佳性能,无论是在待机还是在工作状态下,均展现超低功耗,有效减少30%的功耗,满足专业用户追求超高性能低功耗的严苛要求。
随着长江存储在3D NAND技术迅速提升, 已成为闪存市场的主要供应厂商之一,并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片, 是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND闪存。慧荣科技身为SSD主控芯片的市场领导者,近10年的NAND Flash主控出货累积超过60亿颗,凭借对NAND市场及技术的深入了解,与长江存储保持紧密合作及技术交流, 并提供完整的主控芯片解决方案, 来提升存储巿场的应用。
「我们全系列主控芯片与长江存储Xtacking 3D NAND相结合,将会为全球市场注入更具竞争力及更多元的存储解决方案。」慧荣科技的市场营销暨研发资深副总段喜亭表示:「作为长江存储多年深度合作伙伴,从长江存储最初第一代NAND的开发,到近期最新一代,慧荣科技都参与其中,随着长江存储最新128层Xtacking 3D NAND的推出,我们将持续深化与长江存储的合作关系,加强核心技术与产品研发,为5G、物联网应用及全球市场赋能。」
长江存储市场与销售高级副总裁龚翊(Grace)表示:「慧荣科技作为全球领先的控制器厂商之一,与长江存储在系统解决方案产品的开发过程中合作紧密,有利于将产品更快地推向巿场.带来更大的客户价值及更广阔的应用前景。」
慧荣科技全系列主控芯片支持长江存储Xtacking 3D NAND,产品包括:
应用于企业级/数据中心及个人电脑的SSD 主控芯片
• SATA 6Gb/s SSD 主控芯片
• PCIe Gen4 x4 NVMe 1.4 SSD 主控芯片
• PCIe Gen3 x4 NVMe 1.3 SSD 主控芯片
• USB 3.1 / USB 2.0 主控芯片
应用于行动装置的eMMC/UFS主控芯片
• 高速随机读写效能的单信道eMMC 5.1主控芯片
• UFS 3.1 主控芯片应用于嵌入式UFS, uMCP 及UFS卡
最新长江存储-致钛系列新品发布会发表的致钛PC005 active,采用慧荣SM2262EN主控芯片,搭配长江存储256Gb TLC NAND展现了超低耗电的绝佳性能,无论是在待机还是在工作状态下,均展现超低功耗,有效减少30%的功耗,满足专业用户追求超高性能低功耗的严苛要求。
SM2267-DRAM 2280
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