比特位的技术），实现了具有极大存储容量的硅芯片。 目前，最先进的3D NAND闪存可在单个硅片上容纳高达1Tbit或1.33Tbit的数据。 譬如，英特尔（Intel）和美光科技（Micron）的开发联盟和三星电子各自将制造技术与64层堆栈和QLC（四层单元）技术相结合，该技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151919 。 继96层QLC之后，将于2020年作为Arbordale + DC推出144层QLC 图1：NAND闪存随着SLC，MLC，TLC，QLC发展 3D NAND是当前SSD中常用的闪存技术。换句话说
2019-10-04 01:41:005916 SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 台湾专用存储器解决方案制造商旺宏(Macronix)将于明年下半年开始批量生产3D NAND存储器。该公司将成为台湾第一家生产内部设计的3D NAND闪存制造商。 该公司董事长吴铭表示，旺宏将在
2019-12-14 09:51:295966 7月24日国外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。
2013-07-25 10:24:231561 最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比，具有包括读写速度快1倍、使用寿命多10倍及能耗减少50%等众多优势。
2013-08-29 10:46:512858 
256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 各大原厂已经在2016年研发了基于48层或32层的3D NADN闪存颗粒，由于技术不成熟以及2D NAND生产线替换问题，如今3D NAND的良品率并不高，总产量也不够高，因而才引发了当下固态硬盘市场价格的疯涨。
2016-11-09 17:37:383369 据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了65%，这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042528 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 提升, 已成为闪存市场的主要供应厂商之一，并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片, 是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND闪存。慧荣科技身为SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:293528 3D闪存有着更大容量、更低成本和更高性能的优势，本文介绍了3D闪存的制造工艺与挑战。
2025-04-08 14:38:392049 
美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-03 09:24:154889 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出货全球首款176层3D NAND闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。这款176层NAND产品采用美光第五代3D NAND技术和第二代替换栅极架构。
2020-11-13 09:40:163599 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。各大厂商的3D闪存技术并不一样，所以堆栈
2021-02-20 10:02:323312 电子发烧友网报道（文/黄晶晶）早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+层 3D NAND，并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
2021-06-18 06:06:00
128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片Xtacking技术将外围电路连接到存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。据悉，长江存储的64层3D NAND闪存产品将在2020年进入
2020-03-19 14:04:57
NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:231244 
据报道，苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层，256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠，这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元，单个
2017-04-12 01:07:111359 3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。在一个新的研究报告中指出，这项技术将会在今年成为闪存领域的卓越性技术。
2017-05-03 01:02:501621 现在，西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术（下半年出样，2018年开始量产），除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 据外媒NEOWIN报道，英特尔今天宣布推出SSD 545s固态硬盘，它是主流的SATA驱动器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64层3D TLC闪存。 这是世界上首款可供商用的64层3D NAND SSD产品，且目前仅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 东芝日前宣布，他们成功研发出了世界首款4比特3D QLC闪存。对于闪存技术的未来发展而言，这可谓是相当重大的消息。
2017-06-30 16:43:40832 的厂商竞争，以及日经贴般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。、 那么，到底什么是闪存颗？2D NAND和3D NAND之间又有哪些区别和联系？ 闪存颗粒到底是什么？ 闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据
2017-10-13 20:33:26
6 2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00918 上周，随着英特尔和美光宣布未来双方将各自独立开发3D NAND，其维持多年的长期合作关系也将结束。与此同时，有外媒报道，英特尔将于紫光合作，在中国生产3D NAND闪存芯片。在未来几年，英特尔将会
2018-01-16 14:37:555172 
以往仅搭载16GB、32GB容量的智能手机已无法满足当前由数据驱动的新兴移动应用需求，从而为3D NAND快闪存储器的进展铺路…
智能手机使用者不断寻求更好的移动体验，除了提升装置的处理
2018-06-07 07:44:001021 
层数的增加也就意味着对工艺、材料的要求会提高，要想达到140层堆叠就必须使用新的基础材料。而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND
2018-05-28 16:25:4851340 而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到
2018-06-03 09:50:556262 无论是3D堆叠还是QLC的推出，这些情况均说明了随着3D NAND技术走向实用化，国际厂商正在加快推进技术进步。3D NAND相对2D NAND来说，是一次闪存技术上的变革。而且不同于基于微缩技术
2018-06-20 17:17:495087 由于NAND闪存价格上涨，SSD普及的道路走的异常艰难，同容量下SSD和HDD的价格始终相差悬殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64层3D TLC NAND闪存，把SSD的价格和性能控制在一个很好的平衡点，具有极高的性价比和极强的市场竞争力，或许可以打破这一困境。
2018-07-24 16:01:365391 ，第一代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。
2018-08-03 16:15:031683 昨日长江存储正式公开了其突破性技术——XtackingTM。据悉，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 上周，美光系与英特尔推出了64层3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架构相较于TLC（3bits/cell）容量更大，使得单颗Die容量可高达1Tb，备受市场高度关注
2018-08-22 16:25:462599 SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:043820 今年第三季度，NAND闪存依然处于供给吃紧的状态，主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢，低于预期。
2018-09-16 10:38:14759 ，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了，比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2，而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可
2018-10-08 15:52:39780 布支持96层TLC的3D NAND闪存颗粒，最高容量可达到4TB，其性能也代表了行业的标杆，在1TB容量下连续读写性能达到：560MB/s，528MB/s；随机读写性能达到：396MB/s，315MB/s，跑分超过900分。
2018-11-19 17:22:318411 推出64层/72层3D NAND，预计从下半年开始将陆续进入量产阶段，届时3D NAND产能将大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 国产存储芯片再下一城，日前有产业链方面的消息称，中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片，这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。
2019-04-01 16:53:122056 目前NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、西数等公司中，国内主要有紫光旗下的长江存储专攻NAND闪存，小批量量产了32层堆栈的3D闪存，但对市场影响有限，今年该公司将量产64层堆栈的3D闪存，产能将会积极扩张。
2019-05-16 10:18:143966 现在，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:003069 长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品②中最高的存储密度。Xtacking®可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元
2019-09-03 10:07:021788 长江存储科技（YMTC）本周早些时候表示，已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:162374 据悉，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。
2019-10-01 17:23:005147 近日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产，将大幅拉近中国与全球一线存储厂商间的技术差距。
2019-09-17 11:45:194095 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455 随着数据量的迅速增大，主流存储技术也在迅速向前推进中。3D NAND闪存从2014年的24层，到2016年的48层，到2017年的64层，再到2018年的96层，以及明年的1XX层，技术更新速度越来越快。
2019-09-26 17:26:111141 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:321180 3D NAND的出现也是因为2D NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分，为了提高其容量、降低成本，NAND的制造工艺也在不断进步，厚度开始不断降低，但
2019-11-14 15:52:181166 至于原因，东芝认为3D XPoint成本太高，在容量/价格比上难以匹敌3D NAND 技术，现在市面上96层堆叠的闪存已经大量涌现，可以在容量上轻松碾压3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 今日（4月13日），长江存储重磅宣布，其128层QLC 3D闪存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商场SSD等终端产品上通过验证。
2020-04-13 09:23:091347 128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC
2020-04-13 09:29:416830 2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-04-13 14:41:523480 长江储存在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片产品研发成功，型号为X2-6070，并且目前该芯片已经在多家控制器厂商的SSD等终端储存产品上通过验证。
2020-04-19 10:14:063603 据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01776 对3D闪存来说，堆栈层数越多，容量就越大，存储密度就越高，这是3D闪存的核心竞争力，2020年全球将大规模量产100+层的3D闪存。
2020-04-20 09:25:073912 上周中国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术，QLC类型容量做到了1.33Tb容量，创造了三个世界第一。国产闪存突飞猛进，三星等公司也没闲着，三星正在开发160堆栈的3D闪存。
2020-04-20 09:29:47834 长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2－6070研发成功，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-04 10:39:003612 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 （PHISON; TPEx:8299） 与长江存储自2016年开始接洽合作，从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226，至近期的64层3D NAND，群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091627 长江存储科技有限责任公司宣布，128层QLC 3D NAND闪存研发成功，这标志着国产存储厂商向世界最先进技术水准又迈进了一步。
2020-05-07 14:59:225527 ，已成为闪存市场的主要供应厂商之一，并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片，是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND 闪存。慧荣科技身为SSD主控芯
2020-09-11 11:12:162690 ，已成为闪存市场的主要供应厂商之一，并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片，是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND 闪存。慧荣科技身为SSD主控芯
2020-09-11 11:12:342586 据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:493038 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212924 美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构。 美光科技表示，与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比，176 层 NAND 将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上。美光的 176 层
2020-11-12 13:04:572623 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 NAND 应运而生，可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，在需要存储海量数据的时代有着重大价值。 依托于先进工艺的 3D NAND，氧化层越来越薄，面临可靠性和稳定性的难题，未来的 3D NAND 将如何发展？如何正确判断一款 3D NAND 的总体效率？ 在 2020 年的闪存峰
2020-11-20 16:07:133095 依托于先进工艺的 3D NAND，氧化层越来越薄，面临可靠性和稳定性的难题，未来的 3D NAND 将如何发展？如何正确判断一款 3D NAND 的总体效率？ 在 2020 年的闪存峰会
2020-11-20 17:15:444306 NAND应运而生，可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，在需要存储海量数据的时代有着重大价值。 依托于先进工艺的3D NAND，氧化层越来越薄，面临可靠性和稳定性的难题，未来的3D NAND将如何发展？如何正确判断一款3D NAND的总体效率？ 在2020年的闪存
2020-12-09 10:35:493617 发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583 12 月 16 日消息 根据英特尔官方的消息，在今天的 2020 英特尔内存存储日活动上，英特尔正式发布了英特尔固态盘 670p，采用了英特尔下一代 144 层 QLC 3D NAND。 IT之家
2020-12-17 09:30:223066 近日，Intel全球首发了144层堆叠的QLC NAND闪存颗粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD产品，不过对于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392737 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。 各大厂商的3D闪存技术并不一样，所以堆栈
2021-02-19 18:03:412917 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。
2021-02-20 10:40:582714 新一代3D NAND技术已迎来新的战局，继美光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代176层3D NAND之后，铠侠和西部数据也正式宣布推出162层3D NAND技术，三星也称将在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特尔大力推广144层3D NAND，硝烟已四起。
2021-02-24 11:22:072770 在3D NAND技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:153354 
长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业，从成立之初就保持着高速稳定的发展状态，用短短3年的时间，接连推出了32层NAND闪存，以及64层堆栈3D NAND闪存，成功进入了华为Mate40手机的供应链。
2022-06-17 10:56:218286 美光已经在完成 232 层 NAND 的订单，而且不甘示弱，SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 层 512Gb 三层单元 (TLC) 4D NAND。或许更重要的是，芯片制造商私下表示，他们将利用行业学习为目前正在开发的 3D-IC 堆叠 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227 全行业正在努力将 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 仅涉及利用当前成熟的 3D NAND 工艺，这与学术论文提出和内存行业研究的许多将 DRAM 迁移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46993 
3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度，可支持在更小的空间内，容纳更高的存储容量，从而有效节约成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
3D设计引入了多晶硅和二氧化硅的交替层，并将浮栅交换为电荷陷阱闪存 (CTF)，区别在于FG将存储器存储在导电层中，而CTF将电荷“捕获”在电介质层中。这种3D设计方式不仅带来了技术性能的提升，而且还进一步控制了成本。
2023-07-04 15:42:001638 
三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142 基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高
2023-07-19 19:02:211823 据悉，东京电子新技术的目标是能够长时间储存数据的3d nand闪存。该公司开发了一种新的通道孔蚀刻方法，该方法是将垂直孔快速深插入存储单元。3D nand的存储器容量可以通过将存储器单元层垂直堆积来增加，如果层数增加，就需要性能更高的装置。
2023-10-16 14:39:491360 三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299 目前，铠侠和西部数据共同研发NAND闪存技术，他们最杰出的作品便是218层堆叠的BICS8 3D闪存，这项产品能达到的传输速度高达3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351 据韩国业界消息，三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 芯片行业正在努力在未来几年内将 3D NAND 闪存的堆栈高度提高四倍，从 200 层增加到 800 层或更多，利用额外的容量将有助于满足对各种类型内存的无休止需求。 这些额外的层将带来新的可靠性
2024-12-19 11:00:311427 
在CITE 2020上，紫光集团带来了大量产品，其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。 3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”，包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源，而比拼的就是堆叠层数。 3D NAND 为何如此重要？ 随着数字化信息的爆炸性增长，对对存储容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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