英特尔于2020年推出144层QLC NAND

9月26日，韩国首尔，英特尔在“ Memory＆Storage Day 2019”活动上公布了SSD产品的技术路线图。其中，该公司还详细阐述了SSD产品（如英特尔660p）中使用的QLC NAND技术。

继96层QLC之后，将于2020年作为Arbordale + DC推出144层QLC

图1：NAND闪存随着SLC，MLC，TLC，QLC发展

3D NAND是当前SSD中常用的闪存技术。换句话说，只有一层的2D NAND不能在不增加芯片管芯尺寸的情况下增加容量。然而，在像高层建筑物中那样允许单元（NAND的最小单位）沿3D方向存储的3D NAND中，容量可以随着层数的增加而增加。

英特尔的3D NAND于2016年被商业化为第一代32层TLC NAND。NAND闪存具有多种方法，具体取决于可存储在一个单元中的数据量。如果可以在一个单元中存储多个数据，则具有可以实现更大容量的优点，但是却存在速度和耐用性降低的缺点。当前，由于容量，性能和耐用性之间的平衡，MLC和TLC变得越来越流行，现在可以以较低成本实现更高容量的QLC处于扩散阶段。

英特尔于2017年推出了具有64层QLC的第二代3D NAND，该产品用于Intel 660p的客户端产品中。即使具有2TB这样的大容量，Intel 660p的价格也将比TLC NAND便宜得多，这使其成为一种以SSD速度满足大容量需求的产品。

图2：服务器路线图

英特尔将于今年（2019年）推出的第三代产品是96层QLC。作为96层QLC，英特尔已经解释说，“ 665p”是“ 660p”的后续产品，它已经计划并即将推出。计划为数据中心计划“ Cliffdale-R”（开发代码名称），该中心计划于2020年启动。

此外，英特尔还透露了144层QLC，计划于2020年推出新产品。基于144层QLC的产品将是“ Arbordale +”（开发代码名称），并将在数据中心推出。

成功开发出可实现更大容量SSD的5bit /单元技术

图3：实现5bit/cell的技术发展

此外，英特尔已经成功开发出一种技术，该技术使用该公司用于3D NAND的浮栅单元技术在一个单元中存储5位数据，并且将来将实现5bit /cell的产品。

目前，这是一种5bit /cell的技术，尚无诸如SLC / MLC / TLC / QLC之类的名称，但是如果实现了，我们希望在产品中早日实现，以便可以实现更大容量的SSD。