英特尔逻辑芯片3D堆叠技术“Foveros” 将实现世界一流性能

英特尔近日向业界推出了首款3D逻辑芯片封装技术“Foveros”，据悉这是在原来的3D封装技术第一次利用3D堆叠的优点在逻辑芯片上进行逻辑芯片堆叠。也是继多芯片互连桥接2D封装技术之后的又一个颠覆技术。

英特尔是全球半导体行业的领头羊，一直深耕于云计算、网络协议、网络架构、边缘设备等技术，以计算和通信技术塑造以数据为中心的未来。在12月12日，Intel举行的“架构日”活动中，正式向业界推出了基于10nm制程的下一代“Sunny Cove”架构，其中需要重点推荐的便是业界首创的3D逻辑芯片封装技术。

Foveros技术被称作是摩尔定律的延续。半个世纪前，英特尔创始人提出摩尔定律，而如今被其他厂商唱衰，主要是因为现在芯片技术的主要方向已经偏于小体积，高性能的制作技术，如果按照原来的摩尔定律进行芯片制造，难度将无限加大，因此大家都认为称摩尔定律寿命已尽，也导致英特尔技术远远落后于其它对手。

Foveros技术刚好可以弥补摩尔定律的不足之处，英特尔介绍到，Foveros可以将计算电路进行堆叠，并且在短时间内将它们连接在一起，进而将无数的计算电路组装到单个芯片上，实现高性能、低功耗、高密度就变得轻而易举。英特尔芯片架构主管表示在未来的20年，英特尔将会投放大量的精力去研发这一项技术，争取将这一项技术应用在更多地方。

据悉，之前堆叠技术应用层面只停留在内存芯片中使用，把它应用在“逻辑”芯片中英特尔应该是全球第一家。英特尔将会在2019年推出基于Foveros的一系列产品，其中第一款将会融入10nm计算堆叠小芯片和低功耗22FFL基础芯片。

对于2018年推出嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）2D封装技术，英特尔表示这项名为“Foveros”的全新3D封装技术将会成为下一个颠覆。