3D NAND 将会在今年大放异彩

3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。在一个新的研究报告中指出，这项技术将会在今年成为闪存领域的卓越性技术。

DRAMeXchange最新的预测显示，NAND闪存制造商们已经将他们晶圆厂的焦点转向了3D NAND，相比传统的2D NAND来说，前者更加密集、快速而且生产成本更低。

根据DRAMeXchange的研究，紧随着领先3D NAND生产商如三星和镁光的脚步，大多数NAND供应商将会在2017下半年开始大量生产64层3D NAND芯片。

今年早些时候，西数和其搭档东芝共同推出了一个64层NAND产品，该产品的行业密集度为每个闪存单元存储三位数据。

 

 

3D NAND闪存芯片基于垂直叠加或3D技术，西数和东芝称之为BiCS(Bit Cost Scaling)。西数目前已经发布了基于64层NAND闪存技术的第一款512Gb 3D NAND芯片试点产品。

 

 

报告中指出，西数的64层产品样本将会在五月底推出，而大规模产品将最早会在今年下半年推出。

对于企业来说，3D NAND产品的增长将意味着会有更便宜的非易失性存储，可以应用在数据中心和工作站中。

DRAMeXchange表明，即便有了3D NAND的增长，但NAND闪存的供应预计仍然会保持紧张，由于苹果正在为发布下一代iPhone备货中，其组件以及SSD的需求仍保持稳定。

 

 

DRAMeXchange还指出，3D NAND如今构成了三星和镁光各自一半以上的NAND闪存输出量。SK Hynix同样准备发布72层NAND芯片。为了成为行业领先的厂商，SK Hynix将会在下半年开始大量生产72层芯片。

三星仍然是3D NAND技术领域的领跑者，DRAMeXchange表示。该公司的48层芯片被广泛地应用在企业级和消费级SSD中，包括移动NAND产品。

 

 

镁光在三星之后，是第二大的3D NAND供应商，同样在其总NAND闪存输出量中占有50%以上的技术账单。镁光目前的主要收益来自于主要存储模块制造商对32层芯片的需求，而且其自身品牌的SSD发货量也很可观。