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电子发烧友网>可编程逻辑>业界首款集成了HBM2 DRAM以及FPGA和SoC的异构SiP器件公开

业界首款集成了HBM2 DRAM以及FPGA和SoC的异构SiP器件公开

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2019-06-14 06:12:003767

赛灵思公司宣布了采用HBM和CCIX技术的细节

封装集成 DRAM象征着在高端 FPGA 应用存储器带宽发展方面迈出了一大步。HBM 集成在赛灵思业界领先的器件中, 指明了未来朝向多 Tb 存储器带宽发展的清晰方向,同时我们的加速强化技术将实现高效的异构计算,满足客户极为苛刻的工作负载和应用需求。
2019-07-30 09:33:163137

英特尔嵌入式多芯片互连桥接技术实现的异构SiP集成电路

为了打破高性能系统中的带宽瓶颈,Altera公布了该公司声称的业界首异构系统级封装(SiP器件将SK Hynix的堆叠高带宽存储器(HBM2)与高性能Stratix 10 FPGASoC集成在一起。
2019-08-08 17:17:133999

浪潮联合Xilinx推出业界首集成HBM2FPGA

浪潮联合赛灵思宣布推出全球首集成HBM2高速缓存的FPGA AI加速卡F37X,可在不到75W典型应用功耗提供28.1TOPS的INT8计算性能和460GB/s的超高数据带宽,适合于机器学习推理
2019-10-02 13:31:00952

英特尔发布行业首集成高带宽内存的FPGA

英特尔宣布推出英特尔Stratix 10 MX FPGA,该产品是行业首采用集成式高带宽内存DRAM(HBM2)的现场可编程门阵列(FPGA)。
2019-12-12 14:49:37902

三星推出第三代HBM2存储芯片,适用于高性能计算系统

日前,三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。
2020-02-05 13:49:114063

出货100万 三星业界首EUV DRAM推出

三星电子(Samsung Electronics)今天宣布,已经出货100万业界首10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估,并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-25 16:53:572848

美光开始提供HBM2显存 或用于高性能显卡

IT之家3月29日消息 根据TechPowerUp的报道,美光科技在最新的收益报告中宣布,他们将开始提供HBM2内存/显存,用于高性能显卡,服务器处理器产品。
2020-03-29 20:34:392870

SK海力士量产超高速DRAMHBM2E’ 人工智能迎来新春天

全高清(FHD)电影(每部3.7GB),是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技术将8个16Gb DRAM垂直连接,其容量达到了16GB,是前一代HBM2容量的两倍以上。
2020-07-03 08:42:19870

三星推出集成AI处理器的HBM2内存

三星宣布新的HBM2内存集成了AI处理器,最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式计算能力,使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462590

SK海力士成功开发出业界第一HBM3 DRAM 内存芯片

韩国SK海力士公司刚刚正式宣布已经成功开发出业界第一HBM3 DRAM内存芯片,可以实现24GB的业界最大的容量。HBM3 DRAM内存芯片带来了更高的带宽,每秒处理819GB的数据,相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672

POWI推出业界首内部集成的汽车级高压开关IC

标准、额定电压1700V的IC。这些新器件业界首采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC。新IC可提供高达70W的输出功率,主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车,以及电动巴士、卡车和各种工业电源应用。
2022-02-15 11:45:531476

Microchip推出业界首PIC32CM LS60单片机

Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出业界首在单一封装中集成了安全子系统和Arm® TrustZone®技术的PIC32CM LS60单片机(MCU)。
2022-05-27 17:48:502480

业界首集成微透镜的MicroLED器件可用于像素级光束整形

8月,比利时增强现实(AR)MicroLED厂商MICLEDI宣布推出业界首集成微透镜的MicroLED器件,可用于像素级光束整形(beam shaping),该器件是基于MICLEDI专有的300mm CMOS制作平台打造。
2022-08-30 15:05:331322

集成功率器件可简化FPGASoC设计

集成功率器件可简化FPGASoC设计
2022-11-02 08:15:591

业界最快、容量最高的HBM

来源:半导体芯科技编译 业内率先推出8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2,带宽超过1.2TB/s,并通过先进的1β工艺节点实现“卓越功效”。 美光科技已开始提供业界首8层垂直堆叠的24GB
2023-08-07 17:38:071470

异构集成 (HI) 与系统级芯片 (SoC) 有何区别?

异构集成 (HI) 与系统级芯片 (SoC) 有何区别?
2023-11-29 15:39:384432

三星电子成功发布其首12层堆叠HBM3E DRAMHBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
2024-02-27 11:07:001583

三星电子发布业界最大容量HBM

三星电子近日宣布,公司成功研发并发布了其首12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升,这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储器(HBM)。
2024-03-08 10:10:511277

三星发布业界首24Gb GDDR7 DRAM

近日,存储芯片巨头三星电子宣布了一项重大突破:成功开发出业界首24Gb GDDR7 DRAM。这款新品不仅在容量上达到了业界最高水平,更在速度上实现了显著提升,成为下一代AI计算应用的理想解决方案。
2024-10-18 16:58:431425

PI推出业界首1700V氮化镓开关IC

深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出InnoMux-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN技术制造而成,是业界首1700V氮化镓开关IC。
2024-11-05 13:40:571066

Rambus推出业界首HBM4控制器IP

Rambus Inc.,业界知名的芯片和半导体IP供应商,近日宣布了一项重大突破:推出业界首HBM4(High Bandwidth Memory 4,高带宽内存4代)内存控制器IP。这一创新成果
2024-11-14 16:33:041413

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