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电子发烧友网>可编程逻辑>业界首款集成了HBM2 DRAM以及FPGA和SoC的异构SiP器件公开

业界首款集成了HBM2 DRAM以及FPGA和SoC的异构SiP器件公开

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英特尔宣布推出英特尔Stratix 10 MX FPGA,该产品是行业首款采用集成式高带宽内存DRAM(HBM2)的现场可编程门阵列(FPGA)。
2019-12-12 14:49:37575

三星推出第三代HBM2存储芯片,适用于高性能计算系统

日前,三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。
2020-02-05 13:49:113185

出货100万 三星业界首款EUV DRAM推出

三星电子(Samsung Electronics)今天宣布,已经出货100万业界首款10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估,并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-25 16:53:572345

美光开始提供HBM2显存 或用于高性能显卡

IT之家3月29日消息 根据TechPowerUp的报道,美光科技在最新的收益报告中宣布,他们将开始提供HBM2内存/显存,用于高性能显卡,服务器处理器产品。
2020-03-29 20:34:392278

SK海力士量产超高速DRAMHBM2E’ 人工智能迎来新春天

部全高清(FHD)电影(每部3.7GB),是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技术将8个16Gb DRAM垂直连接,其容量达到了16GB,是前一代HBM2容量的两倍以上。
2020-07-03 08:42:19432

三星推出集成AI处理器的HBM2内存

三星宣布新的HBM2内存集成了AI处理器,最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式计算能力,使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461842

SK海力士成功开发出业界第一款HBM3 DRAM 内存芯片

韩国SK海力士公司刚刚正式宣布已经成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片,可以实现24GB的业界最大的容量。HBM3 DRAM内存芯片带来了更高的带宽,每秒处理819GB的数据,相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055

业界首集成微透镜的MicroLED器件可用于像素级光束整形

8月,比利时增强现实(AR)MicroLED厂商MICLEDI宣布推出业界首集成微透镜的MicroLED器件,可用于像素级光束整形(beam shaping),该器件是基于MICLEDI专有的300mm CMOS制作平台打造。
2022-08-30 15:05:33840

集成功率器件可简化FPGASoC设计

集成功率器件可简化FPGASoC设计
2022-11-02 08:15:591

微系统与SiP、SoP集成技术

微系统技术是突破摩尔定律极限的重要解决途径之一,受到广泛关注。微系统的实现途径有SoCSiP和SoP三个层级,其中SiP和SoP以其灵活性和成本优势成为近期最具应用前景的微系统集成技术。综述了SiP和SoP的技术内涵、集成形态以及关键技术,为微系统集成实现提供参考。
2023-05-19 10:02:553805

行业资讯 I 异构集成 (HI) 与系统级芯片 (SoC) 有何区别?

异构集成(Heterogeneousintegration,HI)和系统级芯片(SystemonChip,SoC)是设计和构建硅芯片的两种方式。异构集成的目的是使用先进封装技术,通过模块化方法来应对
2023-01-05 15:44:261128

美光推出业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3内存

Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,公司已开始出样业界首款 8 层堆叠的 24GB 容量第二代 HBM3 内存,其带宽超过
2023-07-28 11:36:40535

业界最快、容量最高的HBM

来源:半导体芯科技编译 业内率先推出8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2,带宽超过1.2TB/s,并通过先进的1β工艺节点实现“卓越功效”。 美光科技已开始提供业界首款8层垂直堆叠的24GB
2023-08-07 17:38:07587

HBM3E明年商业出货,兼具高速和低成本优点

    据了解,HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直连接多个DRAM,能够提升数据处理速度,HBM DRAM产品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代
2023-10-10 10:25:46400

从单片SoC异构芯片和小芯片封装的转变正在加速

关于异构集成和高级封装的任何讨论的一个良好起点是商定的术语。异构集成一词最常见的用途可能是高带宽内存 (HBM) 与某种 GPU/NPU/CPU 或所有这些的某种组合的集成
2023-10-12 17:29:42703

异构集成 (HI) 与系统级芯片 (SoC) 有何区别?

异构集成 (HI) 与系统级芯片 (SoC) 有何区别?
2023-11-29 15:39:38440

三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAMHBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
2024-02-27 11:07:00250

HBMHBM2HBM3和HBM3e技术对比

AI服务器出货量增长催化HBM需求爆发,且伴随服务器平均HBM容量增加,经测算,预期25年市场规模约150亿美元,增速超过50%。
2024-03-01 11:02:53203

三星电子发布业界最大容量HBM

三星电子近日宣布,公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升,这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51158

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