SK海力士联手台积电推出HBM4，引领下一代DRAM创新

据报道，韩国SK海力士公司今天宣布，已与全球知名芯片制造商台湾积体电路股份有限公司达成共识，未来将紧密合作研发面向下一代人工智能应用的高密度内存HBM4，预计将于2026年正式投放市场。

SK海力士表示，凭借其在AI应用领域存储器发展的领先地位，以及与台积电在全球顶尖逻辑代工领域的深厚合作基础，该公司有信心持续引领HBM技术创新。通过整合IC设计厂、晶圆代工厂及存储器厂的技术资源，SK海力士将进一步提升存储器产品性能，实现新的突破。

此次合作的重点在于优化HBM封装内最底层的基础裸片性能。HBM由多个DRAM裸片堆叠在基础裸片之上，再通过TSV技术进行垂直连接。基础裸片同时连接到GPU，负责对HBM进行控制。

SK海力士过去的HBM产品如HBM3E均采用自家制程工艺制造基础裸片，然而从HBM4起，公司计划转向使用台积电的先进逻辑工艺。超精细工艺的基础裸片可带来更多功能，从而使公司能够生产出性能和效率更为出色的定制化HBM产品。

此外，双方还将共同优化SK海力士的HBM产品与台积电的CoWoS技术相结合，以满足HBM相关客户的需求。

CoWoS是台积电独特的制程工艺，通过在特殊基板上搭载并连接GPU、xPU等逻辑芯片和HBM，形成2.5D封装技术。

SK海力士AI Infra社长金柱善表示，与台积电的深度合作不仅有助于推出性能卓越的HBM4，还将推动与全球客户的开放式合作。未来，公司将致力于提升客户定制化存储器平台的竞争力，巩固其在“面向AI的存储器全方位供应商”中的地位。

台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，台积电与SK海力士长期以来保持着稳定的合作伙伴关系。借助最新一代的逻辑工艺和HBM产品，两家公司有望为市场提供领先的AI解决方案。展望未来，他们期待通过紧密合作，为共同客户提供最佳整合产品，助力AI创新。