光刻机是制作芯片的关键设备,利用光刻机发出的紫外光源通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的硅片曝光,使光刻胶性质变化、达到图形刻印在硅片上形成电子线路图。我国目前还是采用什深紫外光的193nm制程工艺,如上海微电子装备公司(CMEE)制程90nm工艺的光刻机,那么90nm光刻机能生产什么芯片呢?
90nm除了可以生产90nm制程的芯片外,如果曝光两次就可以得到45nm的芯片,如果曝光三次就可以达到22nm芯片的水平。总的来说,曝光的次数越多芯片的nm越小,但是良品率会降低,所以一般都控制在28nm和32nm。
相较于荷兰、美国、德国这些国家,我国的芯片制造还是不具优势的,但是我国直接从90nm突破到22nm意味着我国的光刻机制造的一些关键核心领域已经实现了国产化,国产光刻机突破封锁,正在崛起。
审核编辑:chenchen
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
光刻机
+关注
关注
31文章
1110浏览量
46265 -
90nm
+关注
关注
0文章
4浏览量
10847
发布评论请先 登录
相关推荐
纳米压印光刻技术应用在即,能否掀起芯片制造革命?
电子发烧友网报道(文/李宁远)提及芯片制造,首先想到的自然是光刻机和光刻技术。而众所周知,EUV光刻机产能有限而且成本高昂,业界一直都在探索不完全依赖于EUV
光刻机的发展历程及工艺流程
光刻机经历了5代产品发展,每次改进和创新都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。按照使用光源依次从g-line、i-line发展到KrF、ArF和EUV;按照工作原理依次从接触接近式光刻机发展到浸没步进式投影
发表于 03-21 11:31
•188次阅读
ASML 首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 完成安装
3 月 13 日消息,光刻机制造商 ASML 宣布其首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 已完成安装,新机型将带来更高的生产效率。 ▲ ASML 在 X 平台上的相关动态
浅谈不同阶段光刻机工作方式
在曝光过程中,掩模版与涂覆有光刻胶的硅片直接接触。接触式光刻机的缩放比为1:1,分辨率可达到4-5微米。由于掩模和光刻胶膜层反复接触和分离,随着曝光次数的增加,会引起掩模版和光刻胶膜层
发表于 03-08 10:42
•125次阅读
光刻机结构及IC制造工艺工作原理
光刻机是微电子制造的关键设备,广泛应用于集成电路、平面显示器、LED、MEMS等领域。在集成电路制造中,光刻机被用于制造芯片上的电路图案。
发表于 01-29 09:37
•393次阅读
狂加工一年!ASML把欠中国的600亿光刻机,成功交付了
关于光刻机,大家还记得美国荷兰日本的三方协议吗?来回忆一下。 随着芯片在各个领域的重要性不断提升,人们对芯片制造的关注也日益增加。 但半导体产业链非常复杂,不仅仅涉及到底层的架构设计,还需要通过
英特尔抢下6种ASML HIGH NA光刻机
如果我们假设光刻机成本为 3.5 亿至 4 亿美元,并且 2024 年 10 个光刻机的HIGH NA 销售额将在 35亿至40亿美元之间。
各种光刻技术你都了解吗?
当制程节点演进到5nm时,DUV和多重曝光技术的组合也难以满足量产需求了,EUV光刻机就成为前道工序的必需品了,没有它,很难制造出符合应用需求的5nm芯片,即使不用EUV能制造出一些5
发表于 10-13 14:45
•907次阅读
北大团队打造世界首款90nm碳纳米管晶体管氢气传感器
近日,北京大学彭练矛院士/张志勇教授团队 造出一款基于阵列碳纳米管的 90nm 碳纳米管晶体管 ,具备可以高度集成的能力。 基于该90nm 碳纳米管晶体管技术,目前该团队研发的高灵敏碳纳米管
军备芯片和商用芯片的区别 芯片14nm对比5nm差距在哪里?
其实就目前的情况(截止2022年)而言,现实和他们想的相反,在很多军工领域,我国现役军备里的芯片反而比美帝要先进,实际情况大概率是美国战斗机用90nm芯片,我国用45nm。
发表于 03-31 09:41
•4431次阅读
评论