宝砾微MOS管 PL0807N10 DFN5*6 100V/74.4A N沟道MOSFET

应用领域：

DC-DC转换

SMPS中的同步整流

硬开关和高速电路

电动工具

电机控制

概述：

PL0807N10是宝砾微推出的漏源电压100V的N沟道功率MOSFET。产品采用DFN5* 6mm封装，经过100％的UIS测试，100％的Rg测试，安全性能较好。产品适用于DC-DC转换、SMPS中的同步整流和电机控制等。最大额定值参数，25℃下的连续漏*电流74A。脉冲漏*电流高达260A。单脉冲雪崩能量为245mJ。耗散功率为83W。工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃，温度适应性较好。结壳热阻为1.5℃/W，散热性能较好。25℃下，漏源导通电阻的典型值为6.5mΩ(VGS=10V)。漏源体二极管的反向恢复时间的典型值为40ns，产品响应快。

产品特点：

高速电源开关，逻辑电平

较强的体二极管dv/dt能力

较强的雪崩强度

经过100％的UIS测试，100％的Rg测试

无铅，无卤素

DFN5* 6mm封装

深圳市芯美力科技有限公司

宝砾微原厂代理，可提供样品测试和技术支持，欢迎联系咨询

审核编辑 黄宇