BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺。
2024-03-18 09:47:41
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、制造成本低：厚膜电阻器制造成本低，制造工艺简单，生产效率高，因此产品价格比薄膜电阻器更经济。
4、耐高温、高湿、耐热性能强：厚膜电阻器在高温、高湿、耐热性能较好，在恶劣环境下长期使用具有更高的稳定性
2024-03-15 07:17:56
由于只有热氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高质量氧化层，因此通常采用热氧化的方法生成栅氧化层和场氧化层。
2024-03-13 09:49:05103 
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
**一、微弧氧化脉冲电源技术原理**微弧氧化脉冲电源技术是一种基于电化学原理的电源技术。其工作原理是利用脉冲电流在电解质中产生的电化学反应，使金属表面形成一层致密的氧化膜，从而提高金属表面的耐磨性
2024-02-25 17:57:30
的 2.5D/3D 封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直 TSV 的制造工艺复杂，容易造成填充缺陷。锥形 TSV 的侧壁倾斜，开口较大，有利于膜层沉积和铜电镀填充，可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备
2024-02-25 17:19:00119 
硅（Si）、二氧化硅（SiO2）、锗（Ge）等。其中，硅是最为常见和广泛应用的半导体材料之一。 硅是地壳中非常丰富的元素之一，它具有较高的化学稳定性、热稳定性和机械性能，因此硅材料具有广泛的应用前景。硅晶体的晶体结构为钻
2024-02-04 09:46:07456 为实现碳化硅晶片的高效低损伤抛光，提高碳化硅抛光的成品率，降低加工成本，对现有的碳化硅化学机械抛光 技术进行了总结和研究。针对碳化硅典型的晶型结构及其微观晶格结构特点，简述了化学机械抛光技术对碳化硅
2024-01-24 09:16:36431 
温度、比热容及热焓等。紫薯抗性淀粉的制备工艺及物理学特性研究【（1、吉林省农业科学院农产品加工研究所2、吉林农业大学食品科学与工程学院，马林元；李璐；孙洪蕊；刘香英
2024-01-23 10:31:5189 
的制备成本相当高，因此人们通常希望能够从一个大型碳化硅晶锭中切割出尽可能多的薄碳化硅晶片衬底。而工业的发展使得晶片尺寸不断增大，这使人们对切割工艺的要求变得更加严格。然而，碳化硅材料的硬度极高（莫氏硬度为9.5，仅次于世界上最硬的金刚石），同时又具有晶体的脆性，因此难以切割。
2024-01-23 09:42:20704 
%。 成本占比较高的原因，主要是碳化硅单晶材料的制备难度较大。硅由于存在液体形态，所以可以通过垂直拉伸来形成晶棒，但碳化硅本身属于化合物，无法直接熔融结晶成为晶体。换个说法就是碳化硅在常压下没有液体形态，只有气态和固态，达到
2024-01-21 07:48:001670 高质量的p型隧道氧化物钝化触点(p型TOPCon)是进一步提高TOPCon硅太阳能电池效率的可行技术方案。化学气相沉积技术路线可以制备掺杂多晶硅层，成为制备TOPCon结构最有前途的工业路线之一
2024-01-18 08:32:38287 
材料的生长和加工难度较大，其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面： 注入掺杂 在碳化硅中，碳硅键能较高，杂质原子难以在其中扩散。因此，在制备碳化硅器件时
2024-01-11 17:33:14292 
。 一、电解电容的工艺 电解电容的制造工艺主要包括电极制备、介质制备、装配和封装等步骤。 电解电容是用金属作为阳极（Anode），并在表面形成一层金属氧化膜作为介质；然后湿式或固态的电解质和金属作为阴极（Cathode）。电解
2024-01-10 15:58:43293 
薄膜电容是一种常见的电子元件，其具有体积小、重量轻、容量大、可靠性高等优点，广泛应用于各种电子设备中。薄膜电容的工艺与结构对其性能和可靠性有着重要的影响。本文将对薄膜电容的工艺与结构进行详细的介绍
2024-01-10 15:41:54443 
层。例如P型衬底层、N型扩散区层、氧化膜绝缘层、多晶硅层、金属连线层等。芯片布图有多少层，制造完成后的硅晶圆上基本就有多少材料介质层。根据工艺安排，材料介质层的层数也许还会有增加。图3.芯片布图中
2024-01-02 17:08:51
2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出直径6英寸的β型氧化镓（β-Ga2O3）单晶。通过增加单晶衬底的直径和质量，可以降低β-Ga2O3功率器件的成本。
2023-12-29 09:51:35339 
石墨烯的制备方法主要有2类（图1）：一为“自上而下”法，即通过物理或者化学方法对碳材料进行剥离或者剪切，从而获得高品质石墨烯，主要包括机械剥离法、氧化还原法及电弧放电法等。
2023-12-27 10:23:37135 
TOPCon 电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG 去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约 12 步左右。从技术路径角度：LPCVD 方式为目前量产的主流工艺，预计 PECVD 路线有望成为未来新方向。
2023-12-26 14:59:112726 
当前，大尺寸衬底成为碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
。然而，如果选择了不易防止氧化的材料，就容易导致引脚氧化，进而影响晶振正常工作。 2. 工艺环境不当：晶振引脚的工艺环境可能包含一些有害气体或者化学物质，如高温、湿度环境、酸碱溶液等，这些环境下会加速引脚的氧化。特别
2023-12-18 14:36:50241 沉积到PCB焊盘表面的一种工艺。这种方法通过在焊盘表面用银（ Ag ）置换铜（ Cu ），从而在其上沉积一层银镀层。
优点与缺点并存，优点是可焊性、平整度高，缺点是存储要求高，易氧化。
沉金板
沉金
2023-12-12 13:35:04
碳化硅晶片薄化技术，碳化硅断裂韧性较低，在薄化过程中易开裂，导致碳化硅晶片的减薄非常困难。碳化硅切片的薄化主要通过磨削与研磨实现。
2023-12-12 12:29:24189 
碳化硅和igbt的区别 碳化硅（SiC）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）都是在电子领域中常见的器件。虽然它们都用于功率电子应用，但在结构、材料、性能和应用方面存在一些显著差异。本文将详细介绍碳化硅
2023-12-08 11:35:531785 、结构、制备方法、特性以及应用方面存在着一些差异。以下将详细介绍碳化硅和氮化镓的区别。 1. 物理性质 碳化硅是由碳和硅元素组成的化合物，具有多种晶体结构，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有较高的熔点、硬度、热导率和
2023-12-08 11:28:51740 [半导体前端工艺：第二篇] 半导体制程工艺概览与氧化
2023-11-29 15:14:34541 
化学机械研磨工艺操作的基本介绍以及其比单纯物理研磨的优势介绍。
2023-11-29 10:05:09348 本推文主要介Ga2O3器件，氧化镓和氮化镓器件类似，都难以通过离子注入扩散形成像硅和碳化硅的一些阱结构，并且由于氧化镓能带结构的价带无法有效进行空穴传导，因此难以制作P型半导体。学习氧化镓仿真初期
2023-11-27 17:15:091025 
基于碳化硅 (SiC)的25 kW电动汽车直流快充开发指南-结构和规格
2023-11-27 16:15:55331 
我们知道铜长期暴露在空气中会产生化学反应使得铜氧化，因为pcb电路板厂家往往会在PCB表面做一些处理，来保证pcb电路板的稳定性和可靠性。pcb表面处理工艺有很多种，pcb喷锡就是其中一种，本文小编将和大家谈谈pcb喷锡工艺一些知识。
2023-11-21 16:13:34760 随着各行业努力提高效率、减少环境影响和加强创新，化学工程变得越来越重要，需要不断创新以满足不断变化的消费者需求和监管标准。 生成式人工智能为化学工程师提供了无与伦比的工艺优化、材料合成和质量控制能力
2023-11-12 11:30:59569 近年来，铜(Cu)作为互连材料越来越受欢迎，因为它具有低电阻率、不会形成小丘以及对电迁移(EM)故障的高抵抗力。传统上，化学机械抛光(CMP)方法用于制备铜细线。除了复杂的工艺步骤之外，该方法的一个显著缺点是需要许多对环境不友好的化学品，例如表面活性剂和强氧化剂。
2023-11-08 09:46:21188 
进行了深入分享，干货满满，一睹为快~ 安森美中国区汽车市场技术应用负责人、碳化硅首席专家吴桐博士 碳化硅的工艺迭代 如今，碳化硅头部企业都在量产平面栅结构的碳化硅器件，同时也在研发栅极结构工艺。 在栅极结构方面，安森美量产的第三
2023-11-01 19:15:02394 
碳化硅（SiC）是一种硬度极高、化学稳定性强的非金属材料，由碳和硅两种元素组成。它最早在1893年由瑞典化学家亨利克·莫松通过电炉加热碳化硅粉末发现。碳化硅具有许多优异的物理和化学性质，如高硬度、高热导率、低热膨胀系数、优良的耐磨性和抗腐蚀性，使其在各种工业领域中得到广泛应用。
2023-10-31 13:11:12455 
从去年至今，我国氧化镓半导体制备技术已经屡获突破。从去年的2英寸衬底到6英寸衬底，再到最新的8英寸外延片，我国氧化镓半导体制备技术越来越成熟。
2023-10-25 09:12:38127 
磷酸铁锂制备工艺多样，主要分为固相法，液相法这两大主流工艺。固相法是目前最成熟也是应用最广的磷酸铁锂合成方法，液相法工艺难度较大。今天小编给大家介绍几种磷酸铁锂制备工艺方法：
2023-10-20 09:58:141339 
多孔性 氧化膜具有多孔的蜂窝状结构，膜层的空隙率决定于电解液的类型和氧化的工艺条件。氧化膜的多孔结构，可使膜层对各种有机物、树脂、地蜡、无机物、染料及油漆等表现出良好的吸附能力，可作为涂镀层的底层，也可将氧化膜染成各种不同的颜色，提高金属的装饰效果。
2023-10-11 15:59:04901 
碳化硅MOS管是以碳化硅半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管，与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍碳化硅MOS管与普通MOS管在材料、特性、工作原理及应用等方面的区别。
2023-09-27 14:49:05812 
PECVD作为太阳能电池生产中的一种工艺，对其性能的提升起着关键的作用。PECVD可以将氮化硅薄膜沉积在太阳能电池片的表面，从而有效提高太阳能电池的光电转换率。但为了清晰客观的检测沉积后太阳能电池
2023-09-27 08:35:491772 和化学品以及哪些接口板适用于氧化锆氧传感器。 一、特定的气体和化学品对氧化锆氧传感器产生不良影响 可燃性气体 少量可燃气体将在传感器的热Pt电极表面或AI2O3过滤器处燃烧。一般来说，只要有足够的氧气，燃烧将是化学计量的，
2023-09-26 11:50:50303 
碳化硅又称金刚砂，是以石英砂、石油焦、木屑、食盐等为原料，经电阻炉高温冶炼而成。事实上，碳化硅在很久以前就被发现了。其特点是:化学性能稳定，导热系数高，热膨胀系数小，耐磨性好，硬度高（莫氏硬度等级
2023-09-22 15:11:04306 
随着半导体工业沿着摩尔定律的曲线急速下降 ,驱使加工工艺向着更高的电流密度、更高的时钟频率和更多的互联层转移。由于器件尺寸的缩小、光学光刻设备焦深的减小 , 要求片子表面可接受的分辨率的平整度达到
2023-09-19 07:23:03
碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的物理、化学和电学性能，在高温、高频、高压等恶劣环境下具有很高的稳定性和可靠性。本文将对SiC碳化硅的基本概念、制备方法、应用领域和技术发展趋势进行简要介绍。
2023-09-12 17:25:41665 ，本文将介绍高压放大器在制备功能材料中的应用和作用。 高压放大器在制备功能材料的电化学领域中发挥着重要的作用。在电化学合成和电化学分析中，通常需要施加特定的电势或电压来促进反应的进行或测量样品的电化学行为。高
2023-09-08 14:22:59189 
。
2、制造工艺不同
薄膜电阻的制造工艺主要有物理气相沉积和化学气相沉积两种方法，而贴片电阻则是通过在陶瓷基片上沉积金属电极，并将焊锡端子焊接在金属电极上的方式制成。
3、尺寸大小
2023-09-01 17:49:47
微弧氧化技术工艺流程
主要包含三部分：铝基材料的前处理，微弧氧化，后处理三部分
其工艺流程如下：铝基工件→化学除油→清洗→微弧氧化→清洗→后处理→成品检验。
2023-09-01 10:50:341235 
目前市场上出现的碳化硅半导体包括的类型相对较多，常见的主要有二极管、金属氧化物、半导体场效应、晶体管、晶闸管、结算场、效应晶体管等等这些不同类型的碳化硅器件，单元结构和漂移区参杂以及厚度之间存在较为明显的差异。那么下文主要针对不同类型的碳化硅功率器件的相关内容进行分析。
2023-08-31 14:14:22285 湿法腐蚀在半导体工艺里面占有很重要的一块。不懂化学的芯片工程师是做不好芯片工艺的。
2023-08-30 10:09:041705 
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-15 14:43:341001 
一氧化碳是一种无色无味的气体，对人体有极高的毒性，大量吸入会导致严重的健康问题，甚至可能致命。因此，一氧化碳的实时监测和报警至关重要。在线式固态电化学一氧化碳报警仪凭借其高精度、快速响应和稳定性
2023-08-11 11:30:42350 石墨烯作为一种特殊的二维材料，具有高导电性、 高比表面积以及优异的化学和机械稳定性，金属氧化物纳米颗粒与石墨烯结合制备获得的复合催化剂材料，可增强催化剂体系的导电性、分散性、ORR活性以及稳定性
2023-08-11 10:45:39364 采用砂浆多线切割工艺加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶体，研究了此工艺中钢线张力、 线速度、进给速度等切割参数对晶片切割表面的影响。通过优化切割工艺参数，最终得到高平坦度、低翘曲度、 低线痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:311051 
硅在暴露在空气中时会形成一层氧化硅（SiO2）层。在许多制程步骤中，如在热处理过程之前，需要移除这层氧化硅。氢氟酸是唯一能够有效清洗硅片表面氧化硅的化学品。氢氟酸能够与SiO2发生反应，生成挥发性的氟硅酸，从而清除硅片表面的氧化物层。
2023-08-02 10:40:25543 
输入电压：1000V,输出12V/2A
要把此电源做成反激电源，用碳化硅MOS来驱动的话，请问去驱动IC用哪个？要怎么处理？有专门的IC吗？
2023-07-31 17:36:47
由遇水膨胀的交联聚合物网络组成的超薄水凝胶薄膜，具有类似生物组织的柔软和保湿特性，在柔性生物传感器和可穿戴电子产品中发挥着至关重要的作用。然而，实现这种薄膜的高效和连续制备仍然是一个挑战。
2023-07-24 18:23:462109 
据汉思化学了解，随着封装尺寸的减小，3c行业移动电子产品的性能不断得到扩展，从而使堆叠封装(PoP)器件在当今的消费类产品中获得了日益广泛的应用。为了使封装获得更高的机械可靠性，需要对多层堆叠封装
2023-07-24 16:14:45544 
行业简介：微弧氧化(MAO)又称微等离子体氧化(MPO)、阳极火花沉积(ASD)或火花放电阳极氧化(ANOF),还有人称之为等离子体增强电化学表面陶瓷化(PECC)。该技术的基本原理及特点是：在普通
2023-07-21 16:01:32
MAO电参数主要包括电流密度（恒流模式）、氧化电压（恒压模式）、频率（脉冲电源） 和占空比（脉冲电源） 等。不同电源类型或工作模式，各电参数对膜层厚度、表面结构及性能的影响规律基本一致。但由于电解液
2023-07-19 16:45:41
臭氧-去离子水 (O3 -DI) 工艺可以集成到臭氧 (O3) 具有工艺优势的各种水性应用中。 溶解在水中的臭氧也可用作 HCl 过氧化物混合物中过氧化氢的替代品，从而降低所用化学品的成本，同时
2023-07-07 17:25:07162 氧化铝是一种化学化合物，由铝和氧元素组成，化学式为Al2O3。它是一种非导电的陶瓷材料，具有高熔点、高硬度和优异的耐腐蚀性。氧化铝广泛应用于陶瓷制品、磨料、催化剂、绝缘材料等领域。在工业上，氧化铝常用于制备金属铝的原料。
2023-07-05 16:30:154542 目前常用的高导热陶瓷粉体原料有氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化铍（BeO）等。随着国家大力发展绿色环保方向，由于氧化铍有毒性逐渐开始退出历史的舞台。
2023-06-27 15:03:56543 
化学工业（chemical industry）又称化学加工工业，泛指生产过程中化学方法占主要地位的过程工业。化学工业是从19世纪初开始形成，并发展较快的一个工业部门。化学工业在许多国家的国民经济
2023-06-16 10:28:14255 
铜基复合材料的制备工艺与综合性能，重点讨论了各种制备工艺的特点、强化机制、构型设计，总结了针对复合界面结合弱与石墨烯分散困难这2类主要技术难点的解决途径，最后对石墨烯增强铜基复合材料的制备工艺进行了展望。
2023-06-14 16:23:483052 
安科瑞 梅岑彬 咨询家：Acrelmaycbn 项目概述： 心连心化学工业集团位于河南省新乡市新乡县，是一家致力于化肥、基础化学的大型化工集团。本项目为心连心新建年产40万吨双氧水项目一期，所有低压
2023-06-12 08:44:48251 
据麦姆斯咨询报道，近期，德国卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）开发的一种新型3D打印工艺可生产出直接打印到半导体芯片上的纳米精细石英玻璃结构。
2023-06-11 09:34:241078 
C2H2和H2作为一种十分重要的化学和能源原料，能够被部分氧化法有效且环保的生产制备。
2023-06-09 14:07:29467 
随着科技的不断发展和进步，传感器技术也在不断创新和改进。其中，传感器厚膜工艺术是一种比较新的工艺，具有广泛的应用前景和市场需求。本文将从传感器厚膜工艺术的定义、原理、制备方法、特点、应用等方面进行探讨。
2023-06-07 09:20:14557 覆铜陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）工艺：是一种用于制备高密度电子封装材料的工艺方法。
2023-06-06 15:31:51700 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一种非金属陶瓷材料，具有高温、耐腐蚀、抗氧化、热稳定性好等优良性能。它由碳素和硅素两种元素组成，碳化硅由结构单元SiC构成，每个SiC结构单元都由一个硅原子
2023-06-05 12:48:351971 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子级光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
通过湿法转移二维材料与半导体衬底形成异质结是一种常见的制备异质结光电探测器的方法。在湿法转移制备异质结的过程中，不同的制备工艺细节对二维材料与半导体形成的异质结的性能有显著影响。
2023-05-26 10:57:21508 
微孔利用光和物质的相互作用来获得独特的性质，特别是，当用紫外光、可见光或近红外光在其表面等离子体极化频率附近照射时，金属微孔结构表现出强烈的共振。然而，用于制造微孔的技术是耗时的，并且需要昂贵的设备和专业人员。因此，英思特开发了一种通过湿化学蚀刻硅衬底来制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
覆铜陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）工艺：是一种用于制备高密度电子封装材料的工艺方法。 该工艺是微电子制造中进行金属膜沉积的主要方法，主要用蒸发、磁控溅射等面沉积
2023-05-23 16:53:511333 
为了提高厚度和尺寸的均匀性，避免制备出的Bi₂O₂Se样品结块，Pang等人提出了一种新的湿化学工艺——两步胶体合成法。该方法在溶液的配比上进行了调整并趋于稳定状态，抑制了样品的结块现象，使得样品
2023-05-22 15:28:59474 
抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
研究人员首先对银纳米颗粒/铜纳米线进行了合成，并对制备的铜纳米线和化学沉积后负载不同尺寸银纳米颗粒的铜纳米线进行了形貌和结构表征（图1）。随后，利用制备的银纳米颗粒/铜纳米线材料制备获得银纳米颗粒/铜纳米线电极，用于后续无酶葡萄糖传感性能的研究。
2023-05-12 15:19:28631 
能、成本等有不同影响，加之不同粒径的影响，在体系中会形成一定的孔隙，影响导热界面材料的导热系数。本文将从以下几个方面探讨不同形貌、不同粒径的氧化铝导热粉体的搭配工艺，为制备高导热硅胶垫片提供参考。
2023-05-12 14:57:30385 密度、低导热系数等特性，使气凝胶在建筑、航空航天、储能、气体检测、催化、吸附、传感器和热管理等领域工业领域得到了广泛的应用。硅基气凝胶因其导热系数低、热稳定性强而被广泛用作轻质保温材料，现已显示出巨大的商业价值，有助于减少碳排放。二氧化硅气凝胶是一种具有超低密
2023-05-10 09:13:53351 
碳化硅衬底 产业链核心材料，制备难度大碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。
2023-05-09 09:36:483426 
、核聚变等领域，成为先进的高温结构及功能材料。本文综述了高导热碳化硅陶瓷基复合材料制备及性能等方面的最新研究进展。研究通过引入高导热相，如金刚石粉、中间相沥青基碳纤维等
2023-05-06 09:44:291639 
随着碳化硅等第三代半导体材料的制备和研究工作取得巨大的进展，对基于碳化硅材料的紫外探测器件的研究得到了业界更多的关注。
2023-04-24 16:54:091598 
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：金属氧化物半导体的制造 编号：JFKJ-21-207 作者：炬丰科技 概述 CMOS制造工艺概述 CMOS制造工艺流程 设计规则 互补金属氧化
2023-04-20 11:16:00247 
3.14亿美元，2019—2025年复合增长率为17%。同时，光伏组件功率密度的持续提升，也对碳化硅器件性能提出了更高的要求。 要抓住光伏带来的市场机遇，碳化硅厂商还需要在产品综合性能、制备良率、供应链协作等多个维度发力。 碳化硅高度契合光
2023-04-20 07:15:07582 
，可以应对多次回流焊工艺。和ENIG一样，ENEPIG也符合RoHS标准。3、化学沉银化学沉银也是一种非电解的化学工艺，通过让PCB完全浸没到一种银离子溶液中，使银附着到铜表面。与ENIG相比，该工艺
2023-04-19 11:53:15
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：III-V集成光子的制备 编号：JFKJ-21-212 作者：炬丰科技 摘要 本文主要研究集成光子的制备工艺。基于III-V半导体的器件， 这项工作涵盖
2023-04-19 10:04:00130 
为了解决以上难题，研究人员提出了一种基于超薄、柔性、自冷却降温界面（简称降温界面）的通用热管理技术。降温界面由具有高红外发射的高分子聚合物（聚苯乙烯丙烯酸）和三种功能填充剂（二氧化钛纳米颗粒，二氧化硅微球，荧光颜料颗粒）构成
2023-04-16 10:59:501050 近日，上海玻璃钢研究院有限公司的高级工程师赵中坚沿着该思路，以纯纤维状α-Si3N4粉为主要原料，通过添加一定比例氧化物烧结助剂，经冷等静压成型和气氛保护无压烧结工艺烧结制备出了能充分满足高性能导弹天线罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 超薄PCB打样到底是怎样确定厚度的？
2023-04-14 15:15:12
；另外喷锡板的待用寿命（shelf life）很短。而镀金板正好解决了这些问题。对于表面贴装工艺,尤其对于0603及0402 超小型表贴,因为焊盘平整度直接关系到锡膏印制工序的质量,对后面的再流焊接
2023-04-14 14:27:56
电镀又称电沉积，是一种功能性金属薄膜的制备方法。电镀本质上属于种电化学还原过程
2023-04-11 17:08:002977 Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
半导体行业的许多工艺步骤都会排放有害废气。对于使用非常活泼的气体的化学气相沉积或干法蚀刻，所谓的靠近源头的废气使用点处理是常见的做法。相比之下，对于湿法化学工艺，使用中央湿式洗涤器处理废气是一种公认
2023-04-06 09:26:48408 
介绍了SIC碳化硅材料的特性，包括材料结构，晶体制备，晶体生长，器件制造工艺细节等等。。。欢迎大家一起学习
2023-03-31 15:01:48
17 氧化铝有许多同质异晶体，例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等，其中以α-Al2o3的稳定性较高，其晶体结构紧密、物理性能与化学性能稳定，具有密度与机械强度较高的优势，在工业中的应用也较多。
2023-03-30 14:10:221079 老化试验。本试验箱采用目前*合理的结构和稳定可靠的控制方式，使其具有外观美观，操作简便、温湿度控制精度高，它是做恒温恒湿试验的理想设备。它具有如下性能特点：■ 采用水银导电表控制温、湿度，简易可靠
2023-03-28 09:02:36
全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节，已成为兵家必争之地。
2023-03-23 10:30:041284
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