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电子发烧友网>今日头条>均匀性由光激发氟刻蚀初始阶段的表面形貌决定

均匀性由光激发氟刻蚀初始阶段的表面形貌决定

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2023-06-25 11:17:44

PCB板表面如何处理提高可靠设计

PCB板为什么要做表面处理? 由于PCB上的铜层很容易被氧化,因此生成的铜氧化层会严重降低焊接质量,从而降低最终产品的可靠和有效,为了避免这种情况的发生,需要对PCB进行表面处理。 常见的表面
2023-06-25 10:37:54

白光干涉仪(光学3D表面轮廓仪)能测什么?应用案例介绍

白光干涉仪是以白光干涉技术原理,对各种精密器件表面进行纳米级测量的光学3D表面轮廓测量仪,通过测量干涉条纹的变化来测量表面三维形貌,专用于精密零部件之重点部位表面粗糙度、微小形貌轮廓及尺寸的非接触
2023-06-16 11:53:051106

半导体前端工艺:刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需图形

在半导体制程工艺中,有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺,如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉,“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料,从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备,在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:571177

重点阐述湿法刻蚀

光刻工艺后,在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形,下一步就是刻蚀
2023-06-08 10:52:353319

晶片湿法刻蚀方法

刻蚀硅,硅的均匀剥离,同时带走表面颗粒。随着器件尺寸缩减会引入很多新材料(如高介电常数和金属栅极),那么在后栅极制程,多晶硅的去除常用氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,制程关键是控制溶液的温度和浓度,以调整刻蚀对多晶硅和其他材料的选择比。
2023-06-05 15:10:011597

载体晶圆对蚀刻速率、选择性、形貌的影响

等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤,然而,载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓(GaN)设备,通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中,英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452

金属湿法刻蚀

但是,HCl为基体的刻蚀溶液,会严重地侵蚀Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe,使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体,而且对Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe无伤害、对金属选择性又高。这就是目前常用的高温硫酸和双氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461

白光干涉仪可以测曲面粗糙度吗?

白光干涉仪又叫做非接触式光学3D表面轮廓仪,是以白光干涉扫描技术为基础研制而成用于样品表面微观形貌检测的精密仪器。它以白光干涉技术为原理,光源发出的经过扩束准直后经分光棱镜后分成两束,一束经被
2023-05-23 13:58:04

白光干涉仪(光学3D表面轮廓仪)与台阶仪的区别

表面形貌即为表面微观几何形态,不仅对接触零件的机械和物理特性起着决定作用,而且对一些非接触零件的光学和外部特性影响也很大。所以对表面形貌的精准测量能正确地识别出加工过程的变化和缺陷,对研究表面几何
2023-05-19 16:52:10411

PTFE表面等离子改性的原理 引入活性基团 提高粘附性

PTFE表面等离子改性是一种有效的技术手段,可以改变PTFE表面的性质,增加其在各个领域的应用。通过引入亲水基团、改善表面形貌、形成致密的氟化物膜等方式,可以提高PTFE表面的粘附性、润湿性、抗腐蚀性、耐磨性、生物相容性和电性能。
2023-05-19 10:45:39628

PCB表面成型的介绍和比较

决定PCB表面成型的参考之一。当然,这些项目永远不可能是具有同等重要的平均重要。然后,在你准备好依赖这个列表并考虑你具体的产品情况之前,应该澄清每个项目的重要程度。   ENIG和ENEPIG
2023-04-24 16:07:02

PCB印制线路该如何选择表面处理

形成的镀层更一致、更均匀,但是缺少如ENIG中镍层提供的保护和持久。虽然它的表面处理工艺比ENIG更简单,而且比ENIG更划算,但是它不适合在电路制造商那里长期储存。4、化学沉锡化学沉锡工艺通过一个
2023-04-19 11:53:15

半导体行业之刻蚀工艺介绍

压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓,同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922

为什么电流互感器的二次测电流一次侧电流决定呢?

为什么电流互感器的二次测电流一次侧电流决定呢?
2023-04-13 10:47:57

一种用于先进封装的圆台硅通孔的刻蚀方法

%) 的圆台硅通孔刻蚀方法被研究探索出来。该方法通过调节 下电极功率 (≤30 W),获得了侧壁角度可调 (70°~88°)、通孔底部开口尺寸小于光刻定义特征尺寸 的圆台硅通孔结构。这一方法有望向三维集成电路领域推广,有助于在封装阶段延续摩尔定律。
2023-04-12 14:35:411569

DPC陶瓷基板表面研磨技术

在DPC陶瓷基板制备过程中,由于电镀电流分布不均匀,导致基板表面电镀铜层厚度不均匀(厚度差可超过100μm),表面研磨是控制电镀铜层厚度,提高铜层厚度均匀性的关键工艺,直接影响陶瓷基板的性能和器件封装质量。
2023-04-12 11:25:121592

半导体行业之刻蚀工艺介绍

金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制,防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题,因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面
2023-04-10 09:40:542330

半导体行业之刻蚀工艺技术

DRAM栅工艺中,在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层,然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198

开关电源功率是开关管的最大电流决定吗?

开关电源功率是开关管的最大电流决定吗?例如5v1a的电源,开关管选多大的电流,这个电流是如何算出来的?谢谢
2023-04-04 16:56:04

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