罗杰斯公司于近日推出了新款 curamik®系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的机械强度比其它陶瓷高，所以新款curamik® 基板能够帮助设计者在严苛的工作环境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:34:16
3492 保持该技术的高对比度。讨论了氟化氢在水溶液中的分解，并应用氟化氢蚀刻二氧化硅的反应动力学获得了蚀刻机理的信息。因此，分析了蚀刻速率的浓度依赖性，发现蚀刻过程可以描述为HF或HF 2的侵蚀，其由H+离子的存在催化支持。 我们将系统地研
2021-12-23 16:36:591300 关键词:玻璃陶瓷；氢氟酸；蚀刻条件；蚀刻速率；机制 引言 我们江苏华林科纳研究了氧化镁-氧化铝-二氧化硅玻璃陶瓷在氢氟酸中的腐蚀条件和机理。结果表明，在室温下，非晶相的腐蚀速率是纯堇青石晶体的218
2022-01-04 14:39:281654 
本文介绍了在缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液中温度对氮化物和氧化物层腐蚀速率的影响。明确的框架结构和减少的蚀刻时间将提高制造过程的生产率，该方法从图案化氮化硅开始，以研究在BOE工艺之后形成的框架结构
2022-05-05 14:00:50907 
铜金属化过程中，氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层（IMD）的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层（Passivation Dielectric, PD）。下图显示
2022-10-17 09:29:597613 、 合金化6、 单面光刻（涂胶、对准、曝光、显影）7、 双面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化硅
2015-01-07 16:15:47
基板在电力电子模块技术中，主要是作为各种芯片(IGBT芯片、Diode芯片、电阻、SiC芯片等)的承载体，陶瓷基板通过表面覆铜层完成芯片部分连接极或者连接面的连接，功能近似于PCB板。氮化铝陶瓷基板具有
2017-09-12 16:21:52
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
设备载荷，但同时对散热要求就更高。这也意味着需要更加先进，更匹配，更环保的PCB板———氮化硅陶瓷基板。为什么说氮化硅陶瓷基板是最适合新能源汽车的PCB板呢？氮化硅在高温下具有高强度和断裂韧性。可以
2021-01-21 11:45:54
的振动和冲击力，机械强度要求高。这就不得不提到我们今天的主角，氮化硅基板了。氮化硅的优点1、在高温下具有高强度和断裂韧性。2、散热系数高，热膨胀系数与芯片匹配，同时具有极高的耐热冲击性。3、使用氮化硅陶瓷
2021-01-27 11:30:38
。常用的陶瓷基材料包括氧化铝、氮化铝、氧化锆、ZTA、氮化硅、碳化硅等。FR线路板是指以环氧玻璃纤维布作为主要材料的线路。那么，陶瓷线路板与普通PCB板材区别在哪？
一、陶瓷基板与pcb板的区别
1、材料
2023-06-06 14:41:30
的能量，可以割穿各种金属板材，如铜板、铝板、铁板、钢板、钛板、镀锌板、冷轧板、热轧板等。还可以切割海绵板、泡沫板、有机玻璃、纤维板、玻璃、软胶板、硬胶板、陶瓷、大理石、花岗岩等非金属材料。水切割
2018-07-18 11:01:13
`陶瓷封装的优点：1) 在各种IC元器件的封装中，陶瓷封装能提供IC芯片气密性的密封保护，使其具有优良的可靠度；2) 陶瓷被用做IC芯片封装的材料，是因其在电、热、机械特性等方面极其稳定，而且它
2019-12-11 15:06:19
和大尺寸芯片，并且氮化铝材质坚硬，能够在严酷环境条件下照旧工作，因此可以满足不同封装基片的应用。（3）Si3N4陶瓷基片氮化硅陶瓷基片具有较高的理论热导率、良好的化学稳定性能、无毒、较高的抗弯强度
2021-01-20 11:11:20
的能量，可以割穿各种金属板材，如铜板、铝板、铁板、钢板、钛板、镀锌板、冷轧板、热轧板等。还可以切割海绵板、泡沫板、有机玻璃、纤维板、玻璃、软胶板、硬胶板、陶瓷、大理石、花岗岩等非金属材料。水切割
2018-07-13 17:15:35
与MACOM的HMIC工艺制造。这种二极管是在外延晶片上用设计成可重复电特性和极低寄生的工艺制造的。该二极管完全钝化氮化硅，并有一个额外的聚酰亚胺层划痕保护。这些保护涂层防止在自动或手动处理过程中对接头的损坏
2018-11-16 11:53:06
失真(DPD)来修正，但实践表明，碳化硅基氮化镓器件实现DPD优化相当困难。碳化硅中的电荷捕获效应被认为是由于其硅结构中的晶格 缺陷所致，最终导致功率放大器的线性化困难MACOM氮化镓的功率密度是裸片
2017-08-30 10:51:37
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
主要优点。主要种类有：A: 96/99氧化铝陶瓷基片：应用范围最广，价格低廉。B:氮化铝陶瓷基片：导热系数高，无毒，可代替BeO陶瓷基片。C:氮化硅陶瓷基片：强度高，虽导热系数比不上氮化铝陶瓷，但可以
2016-09-21 13:51:43
等主要优点。主要种类有：A: 96/99氧化铝陶瓷基片：应用范围最广，价格低廉。B:氮化铝陶瓷基片：导热系数高，无毒，可代替BeO陶瓷基片。C:氮化硅陶瓷基片：强度高，虽导热系数比不上氮化铝陶瓷
2017-05-18 16:20:14
重要材料的湿法腐蚀，即氧化锌、氮化镓和碳化硅。虽然氧化锌很容易在许多酸溶液中蚀刻，包括硝酸/盐酸和氢氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很难湿法蚀刻，通常使用干法蚀刻。已经研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
问题，因为涉及的损害很低。此外，它们比干法蚀刻方法更便宜且不复杂。另一个重要的优点是湿法蚀刻可以选择性地去除不同的材料。本文介绍了n型氮化镓在几种电解质水溶液中(光)电化学行为的基础研究结果，以及在
2021-10-13 14:43:35
典型的硅刻蚀是用含氮的物质与氢氟酸的混合水溶液。这一配比规则在控制刻蚀中成为一个重要的因素。在一些比率上，刻蚀硅会有放热反应。加热反应所产生的热可加速刻蚀反应，接下来又产生更多的热，这样进行下去会
2018-12-21 13:49:20
公司介绍：上海施迈尔精密陶瓷有限公司自1992 年成立至今已近20 年。公司本着可持续发展的原则致力于研发、设计、制造、销售以氧化锆、氧化铝、碳化硅、氮化硅、石英 为主要原料的产品。产品广泛应用
2012-03-26 11:02:31
、汽车电子、深海钻探等领域得到广泛应用。目前，常用电子封装陶瓷基片材料包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(S13N4)、氧化铍(BeO)碳化硅(SiC)等。陶瓷基板产品问世，开启散热
2021-04-19 11:28:29
次，与之相反，因此它具有更低的功耗（工作效率）。那么，为何碳化硅比氮化镓更早用于耐高压应用？原因是，在 MOS场效应管的制造中，碳化硅更容易形成SiO2 (SiO2)，「氮化镓晶片面临三大难题」（森
2023-02-23 15:46:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
（Al2O3），氮化硅（Si3N4）和氮化铝（AlN）。 今天的标准是氧化铝，在热/机械行为和成本之间提供了良好的权衡。AlN的导热系数是Al2O3的9倍，但机械稳定性较差。这一弱点必须通过增加厚度来抵消
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
`石材拼花和陶瓷拼花，在建材行业中是个常见的词眼，但是很多人都不知道是怎样制作出来的一种产品，当一幅华丽漂亮的拼花呈现在人们眼前，那它在制作过程中可是经过很多道工序的啊呢！首先，设计部确认彩图与客户
2018-07-18 14:50:30
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
怎么用LABVIEW索引出对应温度（列）和体积浓度（行，百分比）下的乙二醇水溶液的密度（中间的数值）
2017-08-12 20:41:36
`氮化铝陶瓷基板因其热导率高、绝缘性好、热膨胀系数低及高频性低损耗等优点广为人知，在LED照明、大功率半导体、智能手机、汽车及自动化等生活与工业领域得到大量应用。但氮化铝陶瓷散热基板制备厂商主要
2020-11-16 14:16:37
这些产品芯片材料都是硅，芯片和氮化铝陶瓷的热膨胀系数更加接近，两者结合在热变形中，不会异变或者脱落，可以让芯片更好的使用。未来氮化铝的应用会越来越多，产品在越做越小的同时，功能越来越强大，对此基板
2021-04-25 14:11:12
刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重
2011-12-01 15:43:10
的能量，可以割穿各种金属板材，如铜板、铝板、铁板、钢板、钛板、镀锌板、冷轧板、热轧板等。还可以切割海绵板、泡沫板、有机玻璃、纤维板、玻璃、软胶板、硬胶板、陶瓷、大理石、花岗岩等非金属材料。水切割
2018-07-13 16:00:19
`石材拼花和陶瓷拼花，在建材行业中是个常见的词眼，但是很多人都不知道是怎样制作出来的一种产品，当一幅华丽漂亮的拼花呈现在人们眼前，那它在制作过程中可是经过很多道工序的呢！首先，设计部确认彩图与客户
2018-07-18 13:55:22
的2倍，所以S使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件能在更高的频率下工作。综合以上优点，在相同的功率等级下，设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小，同时效率也有大幅度的提升。我国
2021-03-25 14:09:37
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下，碳化硅的机械强度都很高。25℃下，SiC的弹性模量，拉伸强度为1.75公斤/平方厘米，抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
气体在加热基板上反应或分解使其生成物淀积到基板上形成薄膜。CVD技术可以分为常压、低压、等离子体增强等不同技术。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、单晶硅、非晶硅等半导体薄膜，氧化硅、氮化硅等绝缘体介质
2018-11-05 15:42:42
氮化硅，刻蚀浆料主要利用释放的氟化氢来刻蚀。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻挡膜，一次性扩散。困难在，浆料的印刷性能，扩散均匀性，印刷对齐。 三、 直接印刷掩膜层 特点：要求掩膜的印刷特性要好，抗
2018-09-26 09:44:54
的能量，可以割穿各种金属板材，如铜板、铝板、铁板、钢板、钛板、镀锌板、冷轧板、热轧板等。还可以切割海绵板、泡沫板、有机玻璃、纤维板、玻璃、软胶板、硬胶板、陶瓷、大理石、花岗岩等非金属材料。水切割
2018-07-09 11:27:02
低热量化学气相工艺制备氮化硅美国Aviza工艺公司开发出一种低温化学气相沉积工艺(LPCVD)，可在500℃左右进行氮化硅沉积。这个工艺使用一
2009-06-12 21:08:29729 对于我们常用的不可充电的原电池，国际标准IEC 60086-5“原电池—-第5部分：水溶液电解质电池的安全”中就对其安全使用提出了诸多建议。
2012-05-30 15:39:241373 针对目前氮化硅陶瓷球材料性能评价体系不完善，以及各个厂家生产的陶瓷球质量参差不齐的问题，对3个较著名厂家（记为A、B、C）的陶瓷球的密度、显气孔率、硬度、断裂韧性及压碎载荷等主要性能参数进行了研究
2018-03-20 15:53:13
1 本文主要介绍了配比盐雾试验所用盐水溶液的三种方法。
2018-06-21 12:00:000 据外媒报道，美国伦斯勒理工学院（Rensselaer Polytechnic Institute）的工程师，采用水溶液电解质生产电池。比起传统有机电解质，新电池更安全、性价比更高、性能良好。 在电池
2020-10-29 22:27:00635 瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）基础科学学院的Tobias Kippenberg教授带领的科学家团队已经开发出一种采用氮化硅衬底制造光子集成电路的新技术，得到了创记录的低光学损耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392333 近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）教授Tobias Kippenberg团队开发出一种采用氮化硅衬底制造集成光子电路（光子芯片）技术，得到了创纪录的低光学损耗，且芯片尺寸小。相关研究在《自然—通讯》上发表。
2021-05-24 10:43:384490 在中红外波长下，演示了一种具有大纤芯-包层指数对比度的锗基平台——氮化硅锗波导。仿真验证了该结构的可行性。这种结构是通过首先将氮化硅沉积的硅上锗施主晶片键合到硅衬底晶片上，然后通过层转移方法获得氮化硅上锗结构来实现的，该结构可扩展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:571072 
引言 我们研究了四种硅在高频水溶液中的阳极电流-电势特性。根据不同电位阳极氧化的样品的表面条件，电流-电位曲线上通常有三个区域：电流随电位指数变化区域的多孔硅形成，恒流区域的硅的电泳抛光，以及
2021-12-28 16:40:16905 
关键词:氮化硅，二氧化硅，磷酸，选择性蚀刻，密度泛函理论，焦磷酸 介绍 信息技术给我们的现代社会带来了巨大的转变。为了提高信息技术器件的存储密度，我们华林科纳使用浅沟槽隔离技术将半导体制造成无漏
2021-12-28 16:38:085458 
气相沉积装置中分别进行10min和6h。机械微缺陷样品的成核密度(Nd1010cm-2在10min后)、薄膜均匀性和粒径(6h后低于2um)的结果优越，表明化学蚀刻（冷热强酸、熔融碱或四氟化碳等离子体）对氮化硅上良好的CVD金刚石质量并不重要。 介绍 氮化硅基陶瓷被认为是金
2022-01-21 15:02:04652 
本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁和 大约200V之间
2022-02-15 11:11:143427 
本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法，该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以a形成含氟蚀刻溶液；(b)从硅源向等离子体提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
评估各种清洗技术的典型方法是在晶片表面沉积氮化硅(Si，N4)颗粒，然后通过所需的清洗工艺处理晶片。国家半导体技术路线图规定了从硅片上去除颗粒百分比的标准挑战，该挑战基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
硅局部氧化(LOCOS)的隔离效果比整面全区覆盖式氧化效果好。LOCOS工艺使用一层很 薄的二氧化硅层200-500A作为衬垫层以缓冲LPCVD氮化硅的强张力。经过氮化硅刻蚀、光 刻胶剥除和晶圆清洗后，没有被氮化硅覆盖的区域再生长出一层厚度为3000〜5000 A的氧化 层。
2022-08-12 11:18:057914 在半导体湿法蚀刻中， 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺， 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发， 我们华林科纳分析了影响蚀刻率的各个因素， 并通过
2022-08-30 16:41:592993 
的蚀刻去除了金属污染物。用氰化氢HCN水溶液清洗被金属污染的碳化硅，然后进行RCA清洗，反之亦然，可以完全去除它们。结果表明，强吸附金属和粗糙碳化硅表面底部区域的金属不能分别用RCA法和HCN法去除。由于
2022-09-08 17:25:461451 
材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比较均衡，也是综合性能最好的结构陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在电力电子器件陶瓷基板制造领域具有很强的竞争力。 过去，电路基板是由分立元件或集成电路与分立元件组合而成的平面材料，以满足整
2022-10-07 10:22:001544 
。但是，作为绝缘体安装在陶瓷基板上的半导体元件是散热还是冷却，提高作为热传导介质的氮化硅陶瓷基板的热传导性是主要问题。
2022-10-13 16:29:58668 如今高导热氮化硅陶瓷基板因其优异的机械性能和高导热性而成为下一代大功率电子器件不可缺少的元件，适用于复杂和极端环境中的应用。在这里，我们概述了制备高导热氮化硅陶瓷的最新进展。
2022-11-10 10:01:332010 2022年9月，威海圆环先进陶瓷股份有限公司生产的行业标准规格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高导热氮化硅陶瓷基板已经达到量产规模，高导热氮化硅陶瓷基板各项理化指标到了国际上行业领军的质量水平，突破了西方先进国家在高导热氮化硅陶瓷基板的技术保护和应用产品对我国“卡脖子”难题。
2022-11-11 16:36:574149 
针对越来越明显的大功率电子元器件的散热问题，主要综述了目前氮化硅陶瓷作为散热基板材料的研究进展。对影响氮化硅陶瓷热导率的因素、制备高热导率氮化硅陶瓷的方法、烧结助剂的选择、以及氮化硅陶瓷机械性能和介电性能等方面的最新研究进展作了详细论述
2022-12-06 09:42:40820 综合上述研究可发现，虽然烧结方式不一样，但都可以制备出性能优异的氮化硅陶瓷。在实现氮化硅陶瓷大规模生产时，需要考虑成本、操作难易程度和生产周期等因素，因此找到一种快速、简便、低成本的烧结工艺是关键。
2022-12-06 10:30:392407 等优点，广泛应用于电子器件封装。 由于具有优异的硬度、机械强度和散热性，氮化硅陶瓷和氮化铝陶瓷基板都可以制成用于电子封装的陶瓷基板，同时它们也具有不同的性能和优势。以下就是区别。 1、散热差异 氮化硅陶瓷基板的导热
2022-12-09 17:18:241219 
石英坩埚和石墨坩埚升级换代 可重复利用的高热导氮化硅陶瓷坩埚5项优势助力我国单晶硅行业提质增效 石英坩埚在单晶硅行业的应用 目前，国内拉制半导体单晶硅和拉制光伏单晶硅常用的是石英坩埚配合石墨坩埚
2022-12-14 16:27:301260 
现今，氮化硅（SiN）为光子集成提供了更多的途径，包括新的200mm、高产量、汽车级CMOS生产线。在过去的几年里，SiN紧随确立已久的硅光子学之后，该材料平台已经成熟，并在光子集成电路（PIC）市场上，为那些需要非常低传播损耗、可见波长或高激光功率的应用提供了新的机会。
2023-02-15 16:37:09878 
。
以往关于碳化硅晶须的研究较多。碳化硅晶须的强度和模量确实优于氮化硅晶须，但Si3N4晶须比SiC具有更优良的耐高温、高
强度、高模量、低膨胀和良好的化学稳定性，被认为是增强金属和陶瓷材料的理想增强组元。
2023-02-21 09:13:470 国产氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，提升新能源汽车加速度、续航里程、轻量化、充电速度、电池成本5项性能优势
2023-03-15 17:22:551016 
氮化硅材料的引入，为人们提供了一个解决方案。氮化硅不仅具有多项优异的光学特性，而且氮化硅片上集成光波导的加工也能完美兼容当下标准的CMOS硅芯片制造工艺。目前，世界上仅少数几个实验室实现了0.01 dB每厘米甚至更低的光传输损耗。
2023-03-22 09:49:29506 氮化硅研磨环由于研磨环存在内外气压差，可以在密闭的真空或者很浓密的场景中快速的上下运动，氮化硅磨介圈在大的球磨机里不仅起到研磨粉碎的作用，更重要的是众多的氮化硅磨介圈环会发生共振现象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
氮化硅基板是一种新型的材料，具有高功率密度、高转换效率、高温性能和高速度等特点。这使得氮化硅线路板有着广泛的应用前景和市场需求，正因为如此斯利通现正全力研发氮化硅作为基材的线路板。
2023-04-11 12:02:401364 
目前，常用电子封装陶瓷基片材料包括氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化铍（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，谁才是最有发展前途的封装材料呢？
2023-04-13 10:44:04801 近日，上海玻璃钢研究院有限公司的高级工程师赵中坚沿着该思路，以纯纤维状α-Si3N4粉为主要原料，通过添加一定比例氧化物烧结助剂，经冷等静压成型和气氛保护无压烧结工艺烧结制备出了能充分满足高性能导弹天线罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 新能源电动汽车爆发式增长的势头不可阻挡，氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，对提升新能源汽车加速度、续航里程、充电速度、轻量化、电池成本等各项性能尤为重要。
2023-05-02 09:28:451169 
氮化铝为大功率半导体优选基板材料。氧化铍（BeO）、氧化铝（Al2O3）、 氮化铝（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 种材料是已经投入生产应用的主要陶瓷基板 材料，其中氧化铝技术成熟度最高、综合性能好、性价比高，是功率器件最为常用 的陶瓷基板，市占率达 80%以上。
2023-05-31 15:58:35876 
的要求，传统的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺点也日益突出，如较低的理论热导率和较差的力学性能等，严重阻碍了其发展。相比于传统陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:121383 
目前常用的高导热陶瓷粉体原料有氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化铍（BeO）等。随着国家大力发展绿色环保方向，由于氧化铍有毒性逐渐开始退出历史的舞台。
2023-06-27 15:03:56543 
氮化硅陶瓷轴承球与钢质球相比具有突出的优点:密度低、耐高温、自润滑、耐腐蚀。疲劳寿命破坏方式与钢质球相同。陶瓷球作为高速旋转体产生离心应力，氮化硅的低密度降低了高速旋转体外圈上的离心应力。
2023-07-05 10:37:061561 
氮化铝具有较高的热导性，比氮化硅高得多。这使得氮化铝在高温环境中可以更有效地传导热量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅是一种半导体材料。氮化硅具有优异的热稳定性、机械性能和化学稳定性，被广泛应用于高温、高功率和高频率电子器件中。它具有较宽的能隙（大约3.2电子伏特），并可通过掺杂来调节其导电性能，因此被视为一种重要的半导体材料。
2023-07-06 15:44:433823 硅在暴露在空气中时会形成一层氧化硅（SiO2）层。在许多制程步骤中，如在热处理过程之前，需要移除这层氧化硅。氢氟酸是唯一能够有效清洗硅片表面氧化硅的化学品。氢氟酸能够与SiO2发生反应，生成挥发性的氟硅酸，从而清除硅片表面的氧化物层。
2023-08-02 10:40:25543 
陶瓷散热基板中的“陶瓷”，并非我们通常认知中的陶瓷，属于电子陶瓷材料，主要用于陶瓷封装壳体和陶瓷基板，主要成分包括氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化铍(BeO)等。与传统的陶瓷有个共性，主要化学成分都是硅、铝、氧三种元素。
2023-08-23 15:07:30638 
PECVD作为太阳能电池生产中的一种工艺，对其性能的提升起着关键的作用。PECVD可以将氮化硅薄膜沉积在太阳能电池片的表面，从而有效提高太阳能电池的光电转换率。但为了清晰客观的检测沉积后太阳能电池
2023-09-27 08:35:491772 
这是纳米碳化硅模块烧结工艺，使用铜键合技术，高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热电阻现有工程相比改善了10%以上，工作温度可达175igbt模块相比损失大幅减少40%以上，车辆行驶距离5 - 8%提高了。
2023-11-02 11:19:18342 据麦姆斯咨询报道，经过两年、十余次的设计和工艺迭代，国科光芯（海宁）科技股份有限公司（简称：国科光芯）在国内首个8英寸低损耗氮化硅硅光量产平台，实现了传输损耗-0.1 dB/cm（1550 nm波长
2023-11-17 09:04:54654 碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种常见的宽禁带半导体材料，在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料，但是碳化硅和氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:51740 京瓷株式会社（以下简称京瓷）成功研发用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下简称SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
在芯片制造中，有一种材料扮演着至关重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:41667
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