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电子发烧友网>今日头条>氢氟酸水溶液中离子辐照LiNbO3的蚀刻

氢氟酸水溶液中离子辐照LiNbO3的蚀刻

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2022-03-08 11:52:411213

使用酸性溶液对硅晶片进行异常各向异性蚀刻

在本文中,我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物,获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成,随后是使用电子和光学显微镜获得的结果。蚀刻的机理,虽然没有完全理解,将在下面的章节中讨论。
2022-03-09 14:35:42460

KOH溶液中氮化铝的湿化学蚀刻

本文研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加,从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火,提高了反应性溅射制备
2022-03-09 14:37:47431

二氧化硅蚀刻标准操作程序研究报告

缓冲氧化物蚀刻(BOE)或仅仅氢氟酸用于蚀刻二氧化硅在硅上晶片。 缓冲氧化蚀刻氢氟酸和氟化铵的混合物。含氟化铵的蚀刻使硅表面具有原子平滑的表面高频。 由于这一过程中所涉及的酸具有很高的健康风险,建议用户使用在执行工艺之前,请仔细阅读材料安全数据表。
2022-03-10 16:43:35798

单晶硅片碱性溶液中的蚀刻速率

本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系,目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因,无论是与表面结构相关,缺陷相关,由于表面存在的氧化层,还是由于有机残差。
2022-03-16 13:08:09619

硅在氢氧化钾水溶液中的刻蚀机理

本文根据测量的OCP和平带电压,构建了氢氧化钾水溶液中n-St的定量能带图,建立了同一电解质中p-St的能带图,进行了输入电压特性的测量来验证这些能带图,硅在阳极偏置下的钝化作用归因于氧化物膜的形成
2022-03-17 17:00:081119

丁基醇浓度对Si平面表面形貌和蚀刻速率的影响

本文我们华林科纳半导体有限公司研究了类似的现象是否发生在氢氧化钾溶液中添加的其他醇,详细研究了丁基醇浓度对(100)和(110)Si平面表面形貌和蚀刻速率的影响,并给出了异丙醇对氢氧化钾溶液蚀刻结果,为了研究醇分子在蚀刻溶液中的行为机理,我们还对溶液的表面张力进行了测量。
2022-03-18 13:53:01288

HF/H2O二元溶液中硅晶片变薄的蚀刻特性

使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿蚀刻具有重大意义,这将用于生产微电子包装所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了湿蚀刻对浸入48%高频/水溶液中的硅片厚度耗散、减重、蚀刻速率、表面形貌和结晶性
2022-03-18 16:43:11528

用于硅片减薄的湿法蚀刻工艺控制

薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背面磨削相比,应力更小。 硅的各向同性湿蚀刻通常是用硝酸和氢氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33751

臭氧辅助硅蚀刻技术的研究

本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法,在通过臭氧氧化去除一些硅原子层,然后用氢氟酸蚀刻氧化物后,重复测量,然后确定了成分和表面电位的深度分布,因此这种分析技术提供了优于0.5纳米的深度分辨率
2022-04-18 16:35:05261

一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法

本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法,该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以a形成含氟蚀刻溶液;(b)从硅源向等离子体提供硅;以及
2022-04-24 14:58:51979

蚀刻作为硅晶片化学镀前的表面预处理的效果

金属涂层,如铜膜,可以很容易地沉积在半导体材料上,如硅晶片,而无需使无电镀工艺进行预先的表面预处理。然而,铜膜的粘附性可能非常弱,并且容易剥离。在本研究中,研究了在氢氟酸溶液蚀刻作为硅晶片化学镀
2022-04-29 15:09:06464

一种臭氧氧化和硅蚀刻技术

本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法,在通过臭氧氧化去除一些硅原子层,然后用氢氟酸蚀刻氧化物后重复测量,确定了成分和表面电位的深度分布,因此这种分析技术提供了优于0.5纳米的深度分辨率,通过
2022-05-06 15:50:39366

蚀刻溶液的组成和温度对腐蚀速率的影响

我们华林科纳研究探索了一种新的湿法腐蚀方法和减薄厚度在100 µm以下玻璃的解决方案,为了用低氢氟酸制备蚀刻溶液,使用NH4F或nh4hf 2作为主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的,研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:243160

M111N蚀刻速率,在碱性溶液蚀刻

本文讲述了我们华林科纳研究了M111N蚀刻速率最小值的高度,以及决定它的蚀刻机制,在涉及掩模的情况下,M111N最小值的高度可以受到硅/掩模结处的成核的影响,以这种方式影响蚀刻或生长速率的结可以
2022-05-20 17:12:59853

超深熔融石英玻璃蚀刻研究

摘要 微流体和光学传感平台通常由玻璃和熔融石英(石英)制成,因为它们具有光学透明性和化学惰性。氢氟酸(HF)溶液是用于深度蚀刻二氧化硅衬底的选择的蚀刻介质,但是由于HF迁移穿过大多数掩模材料的侵蚀性
2022-05-23 17:22:141229

硅KOH蚀刻:凸角蚀刻特性研究

引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先,确定控制底切的蚀刻前沿的晶面,并测量它们的蚀刻速率。然后,基于测量数据,检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:481113

铜在去离子水中的蚀刻研究

引言 我们华林科纳描述了一种与去离子水中铜的蚀刻相关的新的成品率损失机制。在预金属化湿法清洗过程中,含有高浓度溶解氧的水会蚀刻通孔底部的铜。蚀刻在金属化后残留的Cu中产生空隙,导致受影响的阵列电路
2022-06-16 16:51:101801

使用稀释的HCN水溶液的碳化硅清洗方法

蚀刻去除了金属污染物。用氰化氢HCN水溶液清洗被金属污染的碳化硅,然后进行RCA清洗,反之亦然,可以完全去除它们。结果表明,强吸附金属和粗糙碳化硅表面底部区域的金属不能分别用RCA法和HCN法去除。由于
2022-09-08 17:25:461451

什么是等离子蚀刻离子蚀刻应用用途介绍

反应性离子蚀刻综合了离子蚀刻和等离子蚀刻的效果:其具有一定的各向异性,而且未与自由基发生化学反应的材料会被蚀刻。首先,蚀刻速率显著增加。通过离子轰击,基材分子会进入激发态,从而更加易于发生反应。
2022-09-19 15:17:553386

基于铌酸锂晶体实现动态全息显示

铌酸锂(LiNbO3,LN)是一种集电光、声光、压电、热释电和非线性光学效应于一体的多功能铁电晶体。
2023-01-08 16:35:031020

使用 ClF 3 H 2远程等离子体在氧化硅上选择性蚀刻氮化硅

在湿蚀刻的情况下,随着SiNx/SiOy层的厚度减小,剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌,蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:49402

硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵中的温度依赖性蚀刻

过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

上海伯东大口径射频离子源成功应用于12英寸IBE 离子蚀刻

上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大口径射频离子源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE 离子蚀刻机, 实现 300mm 和 200mm 硅片蚀刻, 刻蚀
2023-06-15 14:58:47665

铝等离子蚀刻率的限制

随着集成电路互连线的宽度和间距接近3pm,铝和铝合金的等离子蚀刻变得更有必要。为了防止蚀刻掩模下的横向蚀刻,我们需要一个侧壁钝化机制。尽管AlCl和AlBr都具有可观的蒸气压,但大多数铝蚀刻的研究
2023-06-27 13:24:11318

氮化镓的晶体学湿式化学蚀刻

目前,大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点,包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米
2023-11-24 14:10:30241

PCB碱性蚀刻常见问题原因及解决方法

按工艺要求排放出部分比重高的溶液经分析后补加氯化铵和氨的水溶液,使蚀刻液的比重调整到工艺充许的范围。
2023-12-06 15:01:46285

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