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电子发烧友网>今日头条>氢氟酸水溶液中离子辐照LiNbO3的蚀刻

氢氟酸水溶液中离子辐照LiNbO3的蚀刻

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本文研究了KOH基溶液AIN的湿式化学蚀刻蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加,从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火,提高了反应性溅射制备
2022-03-09 14:37:47815

单晶硅片碱性溶液蚀刻速率

本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系,目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因,无论是与表面结构相关,缺陷相关,由于表面存在的氧化层,还是由于有机残差。
2022-03-16 13:08:091159

硅在氢氧化钾水溶液的刻蚀机理

本文根据测量的OCP和平带电压,构建了氢氧化钾水溶液n-St的定量能带图,建立了同一电解质p-St的能带图,进行了输入电压特性的测量来验证这些能带图,硅在阳极偏置下的钝化作用归因于氧化物膜的形成
2022-03-17 17:00:082042

丁基醇浓度对Si平面表面形貌和蚀刻速率的影响

本文我们华林科纳半导体有限公司研究了类似的现象是否发生在氢氧化钾溶液添加的其他醇,详细研究了丁基醇浓度对(100)和(110)Si平面表面形貌和蚀刻速率的影响,并给出了异丙醇对氢氧化钾溶液蚀刻结果,为了研究醇分子在蚀刻溶液的行为机理,我们还对溶液的表面张力进行了测量。
2022-03-18 13:53:01769

HF/H2O二元溶液硅晶片变薄的蚀刻特性

使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿蚀刻具有重大意义,这将用于生产微电子包装所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了湿蚀刻对浸入48%高频/水溶液的硅片厚度耗散、减重、蚀刻速率、表面形貌和结晶性
2022-03-18 16:43:111211

用于硅片减薄的湿法蚀刻工艺控制

薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背面磨削相比,应力更小。 硅的各向同性湿蚀刻通常是用硝酸和氢氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:331278

方差分析在等离子蚀刻工序的应用

在集成电路的许多生产步骤,晶片被一层材料(如二氧化硅或某种金属)完全覆盖。通过对掩模的蚀刻有选择性地除去不需要的材料,从而创建电路模板、电互连以及必须扩散的或者金属沉积的区域。等离子蚀刻工序在这
2022-04-25 16:14:11564

蚀刻作为硅晶片化学镀前的表面预处理的效果

金属涂层,如铜膜,可以很容易地沉积在半导体材料上,如硅晶片,而无需使无电镀工艺进行预先的表面预处理。然而,铜膜的粘附性可能非常弱,并且容易剥离。在本研究,研究了在氢氟酸溶液蚀刻作为硅晶片化学镀前
2022-04-29 15:09:061103

蚀刻溶液的组成和温度对腐蚀速率的影响

我们华林科纳研究探索了一种新的湿法腐蚀方法和减薄厚度在100 µm以下玻璃的解决方案,为了用低氢氟酸制备蚀刻溶液,使用NH4F或nh4hf 2作为主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的,研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:245686

M111N蚀刻速率,在碱性溶液蚀刻

认为是一个速度源,这是我们提出的一个数学概念,也适用于位错和晶界,速度源的活动取决于相关的M111N平面与掩模之间的夹角,因此在微观机械结构蚀刻的薄壁相对的M111N侧可以有不同的值。 在图1a,示出了S 100T单晶硅炉和部分覆盖它的惰性掩
2022-05-20 17:12:591881

超深熔融石英玻璃蚀刻研究

摘要 微流体和光学传感平台通常由玻璃和熔融石英(石英)制成,因为它们具有光学透明性和化学惰性。氢氟酸(HF)溶液是用于深度蚀刻二氧化硅衬底的选择的蚀刻介质,但是由于HF迁移穿过大多数掩模材料的侵蚀性
2022-05-23 17:22:142377

混合酸溶液和熔融KOH蚀刻的GaN薄膜

本文介绍了我们华林科纳采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作为湿法腐蚀介质,盐酸作为阳极腐蚀介质,用扫描电镜和透射电镜分别观察了蚀坑和T-Ds。
2022-05-27 16:56:031164

硅KOH蚀刻:凸角蚀刻特性研究

引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先,确定控制底切的蚀刻前沿的晶面,并测量它们的蚀刻速率。然后,基于测量数据,检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:482252

使用稀释的HCN水溶液的碳化硅清洗方法

蚀刻去除了金属污染物。用氰化氢HCN水溶液清洗被金属污染的碳化硅,然后进行RCA清洗,反之亦然,可以完全去除它们。结果表明,强吸附金属和粗糙碳化硅表面底部区域的金属不能分别用RCA法和HCN法去除。由于
2022-09-08 17:25:463011

什么是等离子蚀刻离子蚀刻应用用途介绍

反应性离子蚀刻综合了离子蚀刻和等离子蚀刻的效果:其具有一定的各向异性,而且未与自由基发生化学反应的材料会被蚀刻。首先,蚀刻速率显著增加。通过离子轰击,基材分子会进入激发态,从而更加易于发生反应。
2022-09-19 15:17:556526

使用 ClF 3 H 2远程等离子体在氧化硅上选择性蚀刻氮化硅

在湿蚀刻的情况下,随着SiNx/SiOy层的厚度减小,剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌,蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:491539

硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵的温度依赖性蚀刻

过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:403202

铝等离子蚀刻率的限制

随着集成电路互连线的宽度和间距接近3pm,铝和铝合金的等离子蚀刻变得更有必要。为了防止蚀刻掩模下的横向蚀刻,我们需要一个侧壁钝化机制。尽管AlCl和AlBr都具有可观的蒸气压,但大多数铝蚀刻的研究
2023-06-27 13:24:111278

氢氟酸在晶圆的作用是什么

硅在暴露在空气时会形成一层氧化硅(SiO2)层。在许多制程步骤,如在热处理过程之前,需要移除这层氧化硅。氢氟酸是唯一能够有效清洗硅片表面氧化硅的化学品。氢氟酸能够与SiO2发生反应,生成挥发性的氟硅酸,从而清除硅片表面的氧化物层。
2023-08-02 10:40:252711

氮化镓的晶体学湿式化学蚀刻

目前,大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点,包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米
2023-11-24 14:10:302150

PCB碱性蚀刻常见问题原因及解决方法

按工艺要求排放出部分比重高的溶液经分析后补加氯化铵和氨的水溶液,使蚀刻液的比重调整到工艺充许的范围。
2023-12-06 15:01:465138

如何阻止氨水溶液换热器管板腐蚀?新型防腐技术让设备远离腐蚀

水溶液换热器作为一种重要的化工设备,广泛应用于化工、制冷等领域。在壳程为循环水、管程介质为氨水溶液的工况下,列管换热器管板腐蚀问题成为影响设备安全运行的关键因素。因此,研究有效的防腐技术对于延长设备寿命、保障生产安全具有重要意义。
2024-06-21 16:08:591323

上海伯东IBE离子束刻蚀机优势

钛酸铅 PZT , 铌酸锂 LiNbO3 和 氮化铝钪 AlScN, 或用于 MRAM 和 STT-MRAM 的材料(如
2024-11-27 10:06:341179

芯片湿法蚀刻工艺

芯片湿法蚀刻工艺是一种在半导体制造中使用的关键技术,主要用于通过化学溶液去除硅片上不需要的材料。 基本概念 湿法蚀刻是一种将硅片浸入特定的化学溶液以去除不需要材料的工艺,广泛应用于半导体器件如芯片
2024-12-27 11:12:401538

离子检测有什么方法?什么是离子色谱?

什么是离子色谱离子色谱(IonChromatography,IC)是高效液相色谱(HPLC)家族的专门分支,其核心任务是对水溶液离子态的化合物进行分离与定量。仪器通过高压输液泵将流动相(淋洗
2025-08-08 11:41:05859

晶圆蚀刻用得到硝酸钠溶液

晶圆蚀刻过程中确实可能用到硝酸钠溶液,但其应用场景较为特定且需严格控制条件。以下是具体分析:潜在作用机制氧化性辅助清洁:在酸性环境(如与氢氟酸或硫酸混合),硝酸钠释放的NO₃⁻离子可作为强氧化剂
2025-10-14 13:08:41203

湿法蚀刻的最佳刻蚀条件是什么

湿法蚀刻的最佳刻蚀条件需综合溶液体系、温度控制、时间管理及材料特性等因素,具体如下: 溶液体系与浓度 氢氟酸缓冲体系(BOE):采用HF:NH₄F:H₂O=6:1:1的体积比配置,pH值控制在3
2025-11-11 10:28:48269

铌酸锂 LiNbO3 薄膜 IBE 离子束刻蚀

成特定的图形才能用于芯片, 因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工艺无法完成刻蚀, 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机为铌酸锂 LiNbO3 薄膜
2024-09-13 10:59:11

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