GaN HEMT氮化镓晶体管的应用优势

IR-HiRel氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容，非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率，降低了系统的整体成本，而且允许更高的工作频率，提高了功率密度和系统的整体效率。

IR-HiRel GaN功率晶体管最重要的特性是其反向恢复性能。因为IR HiRe的CoolGaN™ 晶体管没有少数载流子和体二极管，所以它们没有反向恢复。

使用

IR-HiRel系列在许多应用中给各种系统带来了可观的价值。这些e-mode HEMTs针对服务器和消费类工业应用，具有市场上最强大和性能概念，例如服务器、数据通信、电信、适配器/充电器、无线充电和音频。

在高功率应用中使用IR-HiRel的CoolGaN™ 服务器电源和电信应用程序可以节省成本并增加每个机架的电源。由于其硬开关功能，它还允许更简单的控制方案和提高效率相比，下一个最好的硅替代品。

GaN技术在适配器和充电器电源方面的突破是功率密度小、重量轻、效率高的解决方案。用IR-HiRel实现CoolGaN™ 无线功率传输可以在更高的功率水平上实现高效率，实现E级设计中的最佳调节。

CoolGaN™ 400V设备D级音频最大限度地提高音频性能，提供卓越的音质。此外，几乎没有热设计限制，它非常易于使用，并与IR HiRel的ERU兼容™ D类音频放大器兼容。

深圳市立维创展科技有限公司，优势渠道供货IR HiRel高可靠性系列产品，欢迎各界前来咨询。

Product	Package name	Technology	VDS max [V]	RDS (on) max [Ω]	QG [C]	Mounting	OPN	ID  max [A]	IDpuls max [A]	ID  @25°C max [A]
IGT60R070D1	PG-HSOF-8	CoolGaN™	600	70	5.8	SMT	IGT60R070D1ATMA1	31	60	31
IGOT60R070D1	PG-DSO-20	CoolGaN™	600	70	5.8	SMT	IGOT60R070D1AUMA1	31	60	31
IGLD60R070D1	PG-LSON-8	CoolGaN™	600	70	5.8	SMT	IGLD60R070D1AUMA1	15	60	15
IGO60R070D1	PG-DSO-20	CoolGaN™	600	70	5.8	SMT	IGO60R070D1AUMA1	31	60	31
IGT40R070D1 E8220	PG-HSOF-8	CoolGaN™	400	70	4.5	SMT	IGT40R070D1E8220ATMA1	31	60	31
IGLD60R190D1	PG-LSON-8	CoolGaN™	600	190	3.2	SMT	IGLD60R190D1AUMA1	10	23	10
IGT60R190D1S	PG-HSOF-8	CoolGaN™	600	190	3.2	SMT	IGT60R190D1SATMA1	12.5	23	12.5

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