英飞凌进军车规级GaN，适用48V系统

电子发烧友网综合报道 近日，英飞凌推出首款符合 AEC-Q101 标准的 100V CoolGaN™汽车晶体管系列，并已经开始提供符合AEC-Q101标准的预生产产品系列样品，包括高压CoolGaN汽车晶体管和双向开关。

英飞凌氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“我们的100V氮化镓汽车晶体管解决方案以及即将扩展到高压范围的产品组合是开发汽车应用节能可靠功率晶体管的一个重要里程碑。”

英飞凌这款 100V G1 系列晶体管采用增强型设计，典型导通电阻低至 3.3mΩ，封装在 3x5mm 的 PQFN 紧凑结构中，可在 - 40°C 至 + 150°C 环境稳定工作。其高频特性能将开关损耗降低 70% 以上，在 48V/12V 混合架构的区域控制单元、主 DC-DC 转换器中，可使磁性元件体积缩减 30% 以上。

在区域控制单元与主 DC-DC 转换器场景，48V/12V 混合架构中GaN 的高频特性可减小电感、电容体积，提升转换效率。

同时这款100V GaN FET也能够应用于 ADAS、激光雷达、线控转向等系统的高效供电，以及车载音频放大器等。英飞凌表示，随着汽车平台从传统的12V架构过渡到先进的48V系统，特别是在软件定义汽车中，氮化镓技术发挥着关键作用。它不仅提高了系统效率和性能，还实现了线控转向和实时底盘控制等创新功能，有助于提高驾驶舒适性和精确控性。

英飞凌同步推出预生产型高压 CoolGaN 晶体管和双向开关，为车载充电器（OBC）和牵引逆变器的高压应用铺路。其 650V G5 系列已应用于消费电子和数据中心，未来有望向汽车高压领域延伸。

目前GaN在汽车领域的应用已经成为趋势，英诺赛科已经推出了多款车规级GaN产品。包括40V 的 INN040FQ045A-Q 采用 3x4mm FCQFN 封装，导通电阻 4.5mΩ，通过 16 项严苛可靠性测试，适配高频 DC-DC 转换器与电机驱动器；100V 的 INN100W135A-Q 则采用 2.13x1.63mm 超小封装，开关速度较硅器件提升 13 倍，成为 L2+/L3 级自动驾驶激光雷达的核心器件。

Tier1厂商也在近几年陆续推出基于GaN的OBC模块产品，汇川联合动力推出的6.6kW GaN 车载二合一电源，采用GaN功率器件，该产品采用了业内先进的PFC变频调制技术、动态母线控制技术、双有源变换器调制技术，实现了整机96%的满载效率，功率密度达到4.8kW/L，整机重量降低20%；

联合电子首发的超级氮化镓车载充电机，以 “GaN+SiC” 组合实现 6.8kW/L 功率密度，磁件体积缩减 60%；浩思动力则将 GaN 芯片集成于增程器发电系统，使整体效率提升 2%，电控体积缩减 30%；阳光电动力推出的二合一OBC，采用GaN器件以及单级拓扑架构，实现6.1kW/L功率密度，96.2%全电压充电效率，整机重量可减轻25%以上。

英飞凌收购 GaN Systems 后，整合了电压型和电流型驱动技术，形成覆盖 40V 至 700V 的完整产品线。同时，在车规级产品上，英飞凌也得益于GaN Sysyems此前的积累，也终于正式入局车规级GaN FET产品。未来通过硅、SiC、GaN的技术组合，英飞凌将能够在汽车领域提供从高压到低压的全链路产品组合。