如何选择非易失性SRAM，如何解决SRAM的数据保存问题

随着半导体技术的飞速发展，各种存储器相继推出，性能不断提高。目前存储器主要有以下几种类型：静态RAM（SRAM），动态RAM（DRAM）EPROM，EEPROM，FLASH MEMORY。这里讨论一种由普通SRAM、后备电池以及相应控制电路集成的新型存储器：非易失性SRAM（NVSRAM）。

为解决SRAM的数据保存问题，国外著名半导体公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列产品，国内也有同类产品相继问世。面对众多的NVSRAM产品，广大用户如何选择质优价廉的产品呢？建议用户根据以下几个性能指标和价格进行选择：

一、保护数据的可靠性：指系统上、掉电期间NVSRAM是否被误写，这是NVSRAM最重要的一项性能指标，也是用户最关心而又难以在购买时测试的。虽然各厂家都声称自己的产品万无一失保护数据，其实真正做到这一点的却很少。大多数NVSRAM产品使用时会丢失数据，给用户带来很多问题和不便。这主要有以下几个原因：上电无保护延时，上电期间丢失数据;掉电时主电源电压下降快，保护电路不能快速将SRAM的供电从主电源切换到备用电池，或对SRAM的片选信号的封锁不及时。

二、保护电压：设置保护电压主要是为了防止上。掉电期间数据的误写。对于用户来说，在完全可靠保护数据的前提下，保护电压越低越好。

三、上电保护延时：这是指系统上电时，当VCC高于保护电压时，NV-SRAM延时多长时间才可以访问。这个延时是必要的，因为VCC高于保护电压时系统不一定正常工作，有可能正处于复位状态或不确定状态，极有可能误定NVSRAM。NVSRAM内部电路加以必要的保护延时可以有效地防止上电期间的误写。用户在使用NVSRAM时要注意产品的延时参数，系统工作时最好先测试一下NVSRAM是否已可以访问;或在初始化程序中加一段延时程序。

四、使用温度范围：某些NVSRAM产品保护电压会随温度变化而变化。如果使用NV-SRAM的系统要求的温度范围较大，则可以用以下办法做简单测试：将NVSRAM放在冰箱速冻室半小时左右，再立即插人系统使用，测试系统能否正常读写NV-SRAM。

五、访问速度：各类NV-SRAM产品上都标有访问速度，用户可以根据自己应用系统的要求进行选择。

六、功耗及使用寿命：国外产品都使用低功耗芯片，内部控制电路在系统正常工作时电流小于1mA，系统掉电时切换到电池供电，此时的电流仅为100nA左右。NV-SRAM都使用锂电池作后备电源，由于锂电池自耗电极低，NVSRAM的使用寿命一般可到十年左右。

七、价格：总的来说，国外产品价格昂贵，国内产品价格便宜，但是对于要丢失数据的芯片，即使价格再便宜，建议用户也不要选用。

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