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电子发烧友网>今日头条>随着GaN技术的成熟,GaN市场发展将迎来黄金期

随着GaN技术的成熟,GaN市场发展将迎来黄金期

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2025-03-11 17:43:112141

CGD 官宣突破100kW以上技术,推动GaN挺进超100亿美元的电动汽车逆变器市场

技术满足100kW 以上的电动汽车动力系统应用,该市场超过100亿美元。Combo ICeGaN®智能 ICeGaN HEMT IC 和绝缘栅双极晶体管(IGBT)组合在同一个模块或集成功率管
2025-03-11 09:47:45733

SiC与GaN技术专利竞争:新兴电力电子领域的创新机遇

在过去十年中,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的迅速崛起显著重塑了电力电子行业。这些宽禁带材料提供了诸多优势,如降低功率损耗、更高的开关速度以及能够在高温下工作,使其特别适用于电动汽车(EV
2025-03-07 11:10:29953

高速GaN E-HEMT的测量技巧方案免费下载

高速GaN E-HEMT的测量技巧总结 一、概述 ‌ 重要性 ‌:GaN E-HEMT(氮化镓增强型高电子迁移率晶体管)具有极高的开关速度,因此准确的测量技术对评估其性能至关重要。 ‌ 内容概览
2025-02-27 18:06:411061

GaN HEMT凭什么赢得市场青睐

硅基半导体经过多年发展,其性能逐渐接近极限,在进一步降本增效的背景下,第三代宽禁带半导体氮化镓功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48903

氮化镓(GaN)充电头安规问题及解决方案

器件的性能,使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破,成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势:1.体积更小,功率密度更高材料特性:GaN的电子迁移率比硅
2025-02-27 07:20:334530

产品介绍#LMG5200 80V GaN 半桥功率级

LMG5200器件是一个 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级,使用增强型氮化镓 (GaN) FET 提供集成功率级解决方案。该器件由两个 80V GaN FET 组成,由一个采用半桥配置
2025-02-26 14:11:121051

使用集成GaN技术实现小尺寸ACDC适配器应用资料

随着快速充电系统的趋势和不断增长的电力需求,迫切需要创建占地面积小、方便、便携的设计。小型化、高功率密度的电源设计在消费类AC/DC市场中占据了迫在眉睫的份额,重点是高效可靠的能量转换。本应用说明讨论了如何考虑两个关键点(管理热量和使用集成GaN技术提高开关频率),以创建可靠、功率密集的设计。
2025-02-25 10:06:31726

技术文档:LMG3616 具有集成驱动器和保护功能的 650V 270mΩ GaN FET

LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3616 通过 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-24 10:43:28987

技术资料#LMG3612 具有集成驱动器和保护功能的 650V 120mΩ GaN FET

LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3612 通过 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-24 10:21:011089

技术文档#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和电流感应

LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3624通过 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-24 09:18:47923

LMG3614 具有集成驱动器和保护功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3614通过 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-21 14:37:23727

CERNEX窄带高功率放大器(GaN

CERNEX窄带高功率放大器(GaN) CERNEX推出的CNP GaN系列窄带高功率放大器专为多种通用应用场景而设计,涵盖实验室测试设备、仪器仪表及高功率输出需求的其他领域。CNP GaN系列窄带
2025-02-21 10:39:06

TIDA-010933 基于GaN的 1.6kW 双向微型逆变器参考设计

此参考设计展示了一款具有储能功能的基于 GaN 的四输入双向 1.6kW 微型逆变器。
2025-02-21 10:11:571227

闻泰科技荣获GaN年度优秀产品奖

产品奖」。这一殊荣不仅彰显了闻泰科技在半导体技术领域的深厚实力,更是对其在第三代半导体领域持续深耕细作、不断追求技术创新的肯定。 CCPAK封装GaN FET是闻泰科技针对工业和可再生能源应用精心研发的一款领先产品。该产品凭借其出色的性能、稳定
2025-02-17 13:32:50736

目前GaN正逐渐广泛应用的四个主要中电压领域

作用。 *附件:中电压氮化镓(GaN)在四种应用领域的优势.pdf 背景 :随着技术发展,电力需求攀升,设计人员面临提升设计效率、在相同体积下提供更多电力的挑战。GaN 因具有增加功率密度和提升效率两大优势,在高电压电源设计中得到应用,新的中电压(80V - 200V)GaN 解决方案也逐渐受到欢迎
2025-02-14 14:12:441222

GAN039-650NBB氮化镓(GaN)FET规格书

电子发烧友网站提供《GAN039-650NBB氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 16:10:220

GAN041-650WSB氮化镓(GaN)FET规格书

电子发烧友网站提供《GAN041-650WSB氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 14:24:192

GaN技术:颠覆传统硅基,引领科技新纪元

在开关模式电源中使用 GaN 开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况,提到了所面临的挑战,并展望了 GaN 作为硅的替代方案在开关模式电源
2025-02-11 13:44:551177

闻泰科技深耕氮化镓推动产业升级

随着人工智能、数据中心、汽车电子等应用领域的快速发展,第三代半导体——氮化镓(GaN)正迎来前所未有的发展机遇。闻泰科技已布局GaN领域多年,凭借卓越的创新能力不断推动产业链发展,创造新的价值增量。
2025-02-10 17:15:041127

电动汽车的SiC演变和GaN革命

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2025-01-24 14:03:073

变速电机驱动器受益于集成GaN

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2025-01-24 13:51:210

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半导体

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2025-01-24 13:50:270

利用GaN HEMTs降低电机驱动应用的系统成本

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2025-01-23 08:30:370

解析GaN器件金刚石近结散热技术:键合、生长、钝化生长

在追求更高功率密度和更优性能的电子器件领域,GaN(氮化镓)器件因其卓越的性能而备受瞩目。然而,随着功率密度的不断提升,器件内部的热积累问题日益严重,成为制约其发展的主要瓶颈。 为了应对这一挑战
2025-01-16 11:41:411729

垂直与横向GaN功率器件单片集成的高效隔离技术

垂直和横向氮化镓(GaN)器件的集成可以成为功率电子学领域的一次革命性进展。这种集成能够使驱动和控制横向GaN器件与垂直功率器件紧密相邻。在本文中,我们总结一种解决横向和垂直器件隔离问题的方法
2025-01-16 10:55:521228

氮化镓充电器和普通充电器有啥区别?

直接导致了消费级GaN充电器价格偏高,目前市面上的氮化镓充电器基本上是一百多块。不过随着越来越多厂商参与进来,相信技术会越来越成熟,成本下降只是时间问题。 在充电协议上,GaN 充电头目前以PD协议
2025-01-15 16:41:14

远山半导体1700V GaN器件的特性测试方案

远山半导体在连续推出几款高压GaN器件后,最终将他们最新款产品的额定电压推向1700V,相较于之前的1200V器件又有了显著的提升。为了解决GaN器件常见的电流崩塌问题,他们采用特有的极化超级结
2025-01-14 09:42:281899

CERNEX宽带高功率放大器(GaN

CERNEX宽带高功率放大器(GaN)CERNEX的CBP GaN系列放大器通常用作各种类型通用性技术应用,如实验测试设备、仪表设备和其他需要高功率输出的应用。使用稳固的带状线逻辑电路和指定的GaN
2025-01-08 09:31:22

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