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Vishay Siliconix eFuse评估板技术解析与应用指南

科技观察员 2025-11-14 14:05 次阅读
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Vishay / Siliconix 电子保险丝评估板用于评估SIP32433A、SIP32433B、SIP32434A和SIP32434B单通道电子保险丝负载开关。该板可用于AEC-Q100版本的器件。SIP32433A、SIP32433B、SIP32434A和SIP32434B集成了多种控制和保护特性。该器件具有更高可控性和可靠性,简化了设计,并最大限度地减少了外部元件数量。

数据手册:*附件:Vishay , Siliconix eFuse评估板数据手册.pdf

特性

  • 3 V 至 23 V 操作
  • 编程电流限制范围SIP32533为150 mA至3.5 A,SIP32434为300 mA至6 A
  • 可编程软启动输出电压转换率和自动重试时间
  • 输入路径电流检测电阻器,用于电流探测
  • 板载MOSFET,用于输出短路测试
  • 可编程OVP阈值
  • 反向电流阻断(仅限SIP32433x)

Vishay Siliconix eFuse评估板技术解析与应用指南


一、产品概述

Vishay Siliconix的SIP32433/434系列eFuse评估板是专用于评估单通道电子保险丝负载开关的参考设计平台,支持AEC-Q100车规级版本(SIPQ前缀)。该系列器件通过集成多重控制与保护功能,在简化设计、减少外部元件的同时,显著提升系统可控性与可靠性,有效保护电源及下游电路免受过载、短路、电压浪涌和过大浪涌电流的损害。

核心特性:

  • 工作电压范围‌:3 V至23 V
  • 可编程电流限制‌:
    • SIP32433:150 mA至3.5 A
    • SIP32434:300 mA至6 A
  • 可编程软启动‌:支持输出电压摆率与自动重试时间调整
  • 输入路径电流检测‌:内置分流电阻便于电流探测
  • 输出短路测试‌:通过板载MOSFET实现
  • 反向电流阻断‌:仅SIP32433x系列支持

二、硬件架构详解

1. 接口连接器

评估板通过以下关键接口实现功能配置与测试:

  • J13 (EN) ‌:高电平使能及欠压锁定输入,分压电阻为25 kΩ/4.12 kΩ
  • J7/J14‌:电源输入接口与接地端
  • J8/J16‌:电源输出接口与接地端

2. 保护电路设计

  • 肖特基二极管D2‌:位于器件输出侧,用于钳位感性负载突然关闭时的负电压
  • TVS二极管选位‌:可在输入电容位置安装,提供输入瞬态保护

3. 电容配置

  • 输入电容‌:C1~C6(10 μF/50 V),紧邻器件布局确保开关前端电压稳定
  • 输出电容‌:C7、C8(10 μF/50 V),需选用额定电压≥35 V的电容

三、故障处理机制

故障分类

  • 可锁存故障‌:过流、过温、短路
  • 非锁存故障‌:过压、欠压、反向电流

关断响应模式

  • 锁定模式‌:SIP32433A/434A检测到可锁存故障后保持开关关闭,需通过复位EN或VIN重启
  • 自动重试模式‌:SIP32433B/434B在无OTP/OVP故障时自动恢复,重试延迟时间为软启动时间的32倍

四、测试与验证方法

1. 热插拔测试

  • 连接J3至外部5 V电源作为PG偏置源
  • 在J7与J14间热插拔供电,观察图4所示的浪涌电流波形

2. 电流限制测试

  • 缓慢增加负载电流,开关在设定电流限值持续6 ms后关闭(参考图5)

3. 输出短路测试

  • 通过拉高J12使板载MOSFET短接输出
  • 典型波形如图6所示,展示短路保护响应

4. 自动重试测试

  • 在输出短路条件下验证自动恢复功能
  • 图7展示了短路条件下的自动重试时序

五、布局设计规范

  • 散热优化‌:在器件中央裸露焊盘(接地)铺设最大面积铜层
  • 接地互联‌:所有接地层通过多个导热过孔连接
  • 元件布局‌:
    • 电流限制设置电阻靠近连接引脚
    • 软启动设置电容(C9)就近布局
    • EN/UVLO与OVP引脚电阻紧邻配置
  • 保护器件放置‌:输入TVS与输出肖特基二极管需靠近被保护引脚,采用短走线降低电感

六、应用场景


七、器件选型参考

型号关断响应RDS(ON)最大电流反向阻断电压范围
SIP32433AEVB锁定78 mΩ3.5 A支持3.3-23 V
SIP32433BEVB自动重试78 mΩ3.5 A支持3.3-23 V
SIP32434AEVB锁定33 mΩ6 A不支持3.3-23 V
SIP32434BEVB自动重试33 mΩ6 A不支持3.3-23 V
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