日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:33
2029 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面贴装封装的新型光隔离式MOSFET驱动器--- VOM1271。
2012-11-13 09:41:205417 中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布可为其SCALE™ IGBT和MOSFET驱动器出厂提供涂覆三防
2018-05-02 14:18:275870 IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。
2018-07-26 08:25:588496 
Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。
2019-02-17 09:17:001773 ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动
2024-05-23 11:23:221233 
33V，适合驱动 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率开关。集成的 UVLO 保护确保在异常情况下输出保持在低电平。输入侧供电电压 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之间工作，支持大多数数字控制器
2025-04-03 14:23:02
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
功率晶体管组成，如双极型晶体管、 MOSFET 或绝缘栅双极型晶体管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型无刷直流电机或步进电机应用中， MOSFET驱动器可用来直接驱动电机。 不过，在本应用笔记中，我们需要的电压和功率较 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同.
1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXYS有一款MOSFET
2025-03-25 13:43:17
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11:40
额定功率更高的IGBT，VO3120可用于驱动离散功率级，以驱动IGBT栅极。推荐产品：VO3120-X007T；VO3120Vishay其它相关产品请 点击此处 了解特征：最小峰值输出电流
2019-10-30 15:23:17
AN1315，用于三相电机驱动的L6386 MOSFET功率驱动器评估板。 L6386，用于三相电机驱动的MOSFET功率驱动器。三相演示板是用于评估和设计高压栅极驱动器L6386的参考套件。用户
2019-07-03 09:22:07
FAN7391MX是一款单片高侧和低侧栅极驱动 IC，可驱动工作在高达 +600 V 电压的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管设计用于实现高脉冲电流驱动
2022-01-18 10:43:31
概述：IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器，它把功率MOSFET/IGBT栅极驱动器与三个高侧及三个低侧参考输出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
描述：NCP302045MNTWG在一个封装中集成了 MOSFET 驱动器、高压侧 MOSFET 和低压侧 MOSFET。该驱动器和 MOSFET 适用于高电流 DC−DC 降压功率转换器
2022-02-10 13:07:46
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W镇流器评估板。 NCP5106是一款高压栅极驱动器IC，提供两路输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自举技术，以确保正确驱动高端电源开关。该驱动程序使用2个独立输入
2019-10-12 10:31:24
本帖最后由 Sillumin驱动 于 2021-11-23 14:05 编辑
NCP5106是一款高压栅极驱动IC，提供两个输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，使用自举技术
2021-11-23 13:57:47
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W镇流器评估板。 NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两路输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET，这些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达200伏。特性：·完全运行至+200 V·栅极驱动电源范围为10 V至20 V·欠压锁定
2021-05-11 19:41:22
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。漂浮的通道可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达600V。特性：欠压锁定，电压高达600V耐负瞬态电压，dV/dt栅极驱动电源
2021-05-11 19:40:19
，增强了在持续高压工作环境下的长期可靠性。
典型应用领域：
医疗与实验室设备：适用于注射泵、蠕动泵、分析仪器等需要紧凑、可靠驱动方案的精密设备。
机器人及自动化：用于机器人关节电机、小型机械臂、贴片机等
2025-12-27 09:27:00
、不间断电源（UPS）中的功率开关驱动。
电机驱动与控制：可用于伺服驱动器、变频器、工业泵阀等设备的低边开关驱动。
通用功率开关驱动：广泛适用于需要可靠、高速驱动MOSFET或IGBT的各种功率转换与控制系统。
#SiLM27531 #低边驱动器 #门极驱动
2025-12-29 08:33:43
IGBT没有体二极管或者IGBT内部的续流二极管坏掉了。IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管
2021-03-02 13:47:10
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶部）和电流源驱动器（底部）的半桥
2023-02-21 16:36:47
求教大佬们如何用DSP产生PWM波驱动IGBT的驱动器？代码应该怎么写啊？
2019-01-08 09:15:35
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
FAN7382MX 是一款单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
管子开关影响。 2）低传输延迟 通常情况下，硅IGBT的应用开关频率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推荐应用开关频率大于100kHz，应用频率的提高使得碳化硅MOSFET要求驱动器提供更低的信号
2023-02-27 16:03:36
，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流，同时选用时应该降额使用。额定工作电压、电压波动的范围、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压；驱动器的外壳结构以及排布方式也是IGBT选型的重要考虑因素。原作者：漂流的青春 车载控制器开发及测试
2023-03-23 16:01:54
IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术:介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。关键词院MOSFET IGBT 隔离驱动 光电耦合器 脉冲变压器
2009-06-20 08:37:46
56 lVO3120 IGBT/MOSFET驱动器：这些2.5A和0.5A的驱动器的供电电压范围为15V～32V，工作温度范围为+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 Vishay推出具有最高32V电源电压的新款IGBT和MOSFET驱动器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已
2009-07-01 09:30:55778 IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用研究
IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET
2009-11-13 15:43:501064 
单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:008772 
MAX15054 高边MOSFET驱动器，用于HB LED驱动器和DC-DC应用
概述
MAX15054是高边、n沟道MOSFET驱动器，高压应用中可工作在较高的开关频率
2010-01-28 08:43:042216 
Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054
Maxim不久前推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降压拓扑结构、但不带必需的高
2010-02-01 10:03:00909 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:005529 
器件的高度为2.5 mm，具有高隔离电压，可用于电机驱动、可替代能源和其他高压应用
2015-05-28 16:23:571060 集成的LLC控制器、高压功率MOSFET及驱动器设计，感兴趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 中等电压和高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations今日推出一系列输出电流介于2.5A和8 A之间的电气绝缘的单通道门极驱动器IC，SCALE-iDriver IC不仅采用加强绝缘技术，而且还提供最大8 A的驱动电流。
2016-05-10 17:39:341626 介绍目前高压隔离驱动器应用领域及三种实现类型。
2016-06-08 16:28:143 随着电力电子器件技术的发展，大功率器件在轨道交通、直流输电、风力发电等领域的市场迅猛发展，其中以IGBT器件表现尤为突出，在具体的应用工况中，每一个IGBT模块都需要一个专门的驱动器，IGBT驱动器对IGBT的运行性能有着重大影响
2016-08-12 15:49:212231 LCS700-708 HiperLCS™产品系列集成的LLC控制器、高压功率MOSFET及驱动器
2016-11-23 11:00:160 美国加利福尼亚州圣何塞，2017年5月16日 – 中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者（纳斯达克股票代号：POWI）今天推出SCALE-iDriver™系列电磁隔离的单通道
2017-05-19 15:45:093400 的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路：
2017-10-19 16:02:3723 Power Integrations这家为中高压变频器应用提供闸极驱动器技术的领导厂商，宣布出厂保形涂层用于其SCALE IGBT和MOSFET驱动器。保形涂层透过保护电子元件免于接触污染物(例如
2018-05-07 08:28:011526 熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计
2018-08-16 00:24:005338 IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。
2019-01-16 09:24:5410264 
。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600伏。
2019-03-28 08:00:0022 通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332 
兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压为10到600伏。
2020-04-28 08:00:0052 CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600伏。
2020-07-21 08:00:0067 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:005319 
本应用笔记介绍了MOSFET / IGBT驱动器理论及其应用。该文档介绍了MOSFET和IGBT技术，驱动器的类型，隔离技术以及MOSFET / IGBT驱动器的IXYS系列以及一些实际考虑因素
2021-05-26 17:04:024024 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-01-28 08:13:3821 快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 LTC4444：高压同步N沟道MOSFET驱动器数据表
2021-04-27 09:13:316 LTC4444-5：高压同步N沟道MOSFET驱动器数据表
2021-05-11 17:18:146 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 随着新的应用领域和市场的出现，近年来全球电力需求猛增，使得节能成为设备设计的重要方面。这使得高效逆变器电路和转换器必不可少，特别是对于需要高功率转换的电源和驱动器。
2022-07-27 10:58:231840 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 单通道栅极驱动器旨在调节碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄体 SO-8 封装，可节省空间并具有精确的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
MOSFET及
IGBT栅极驱动电路的引脚排列内部结构、工作原理、主要技术参数和应用
技术。书中不但给出多种以这些驱动器集成电路为核心单元的典型电力电
子变流系统专用驱动控制板的应用实例而且对这些具
2022-08-13 09:21:390 （碳化硅）MOSFET等高压功率器件。 栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ29300
2023-02-02 11:10:022205 瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。
2023-02-03 14:59:11847 IGBT应用领域和IGBT烧结银工艺自20世纪80年代末开始工业化应用以来，IGBT发展迅速，不仅在工业应用中取代了MOS和GTR，还在消费类电子应用中逐步取代了BJT、MOS等功率器件的众多
2022-04-13 15:33:132046 
在电机驱动系统中，栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用，以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时，有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻，将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:342087 
在现代工业领域，伺服驱动器是一种关键的电气装置，它在机器控制和运动控制系统中发挥着至关重要的作用。无论是工业机器人、数控机床还是自动化生产线，伺服驱动器都是实现精准位置控制和高效运动控制的关键组件。本文将介绍伺服驱动器的工作原理、应用领域以及在现代工业中的重要作用。
2023-08-21 17:34:029216 ，例如直流电机驱动器、电动车、变频器等。IGBT可以调节电力的大小，以便更好地控制电路中的电流和电压。这种控制方法有助于提高电力电子设备的效率和控制精度。IGBT还将在电网中广泛应用，用于调节电网负载和平衡电网负载。此外，它也可以用于智能电网的改
2023-08-25 15:03:2611090 电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 MOSFET和IGBT内部结构不同，决定了其应用领域的不同。
2023-11-03 14:53:422346 
电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:48:150 报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57995 
伺服驱动器作为自动化设备的核心部件之一，其作用和原理对于理解自动化设备的工作原理具有重要意义。本文将为您详细介绍伺服驱动器的作用与原理。 一、伺服驱动器的作用 伺服驱动器是一种用于控制伺服电机
2024-01-17 17:52:4510665 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:361813 
电子发烧友网站提供《用于IGBT和MOSFET的5.7 kVRMS增强型隔离栅极驱动器ISO5852S数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-29 09:11:360 电子发烧友网站提供《用于IGBT和MOSFET的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器ISO5452数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-29 09:10:220 Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司发布了IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器，这款新型驱动器在业界引起了广泛关注。
2024-05-23 11:34:211464 的信号转换成高电压、高电流的脉冲来控制MOSFET或IGBT的栅极，从而提高这些器件的性能、可靠性和使用寿命。栅极驱动器在现代电力电子系统中扮演着至关重要的角色，广泛应用于电机控制、逆变器、开关电源等领域。
2024-07-19 17:15:2724573 MOSFET驱动器是一种用于驱动MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的电路设备。MOSFET作为一种重要的半导体器件，在电子工业中有着广泛的应用，特别是在需要高频、高电压、大电流控制的场合
2024-07-24 16:21:071852 高压栅极驱动器在确保电动汽车的电力流动可靠控制方面至关重要。从控制逆变器的IGBT或MOSFET的开关到监测和管理电池的充电状态、健康状况和热条件，高压驱动器确保对开关事件的精确控制。电动机控制
2024-08-29 11:45:491198 
最新 IGBT 和 MOSFET 驱动器 器件峰值输出电流高达 4 A 工作温度高达 +125 °C，传播延迟低至 200 ns Vishay 推出两款采用紧凑、高隔离延展型 SO-6 封装
2024-11-03 13:42:001015 
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关
2024-11-11 17:21:201607 
MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动沟道驱动器可用于独立驱动两个N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压最高可达300 V。逻辑输入
2025-03-18 16:37:020 UCC5350L-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 10A 拉电流和 10A 灌电流典型峰值电流，设计用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350L-Q1
2025-05-15 11:00:09865 
内容概要：HPD2606X是一款600V半桥栅极驱动器，采用专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，能够稳定驱动高压MOSFET和IGBT。其主要特性包括悬浮通道设计、抗dV/dt瞬态负电压能力、宽门
2025-05-19 11:33:300 电子发烧友网为你提供()用于混合组装的光隔离高速功率 MOSFET 驱动器相关产品参数、数据手册，更有用于混合组装的光隔离高速功率 MOSFET 驱动器的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2025-07-03 18:34:35
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器，设计用于驱动EV/HEV应用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驱动器是采用加长SO-6封装的紧凑型高设计、快速开关IGBT和MOSFET驱动器。VOFD343A光耦合器
2025-11-11 16:22:341415 Vishay Semiconductors VOFD341A IGBT和MOSFET驱动器是采用加长SO-6封装的紧凑型、快速开关IGBT和MOSFET驱动器。VOFD341A光耦合器具有3A高峰
2025-11-11 16:33:481436 在电力电子设计领域，IGBT和MOSFET作为关键的功率开关器件，其驱动电路的性能直接影响着整个系统的效率和可靠性。今天，我们就来深入探讨一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高电流单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器。
2025-12-01 14:29:16467 
在电力电子领域，IGBT和MOSFET作为关键的功率开关器件，其驱动电路的性能对整个系统的效率和可靠性起着至关重要的作用。今天，我们就来详细探讨一下安森美（onsemi）推出的NCx57090y, NCx57091y系列高电流单通道IGBT/MOSFET门驱动器。
2025-12-09 09:37:551527 
在高功率应用领域，工程师们一直在寻找能够提升系统效率和可靠性的关键组件。onsemi 的 NCx57080y 和 NCx57081y 高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器就是这样一款出色的产品。今天，我们就来深入剖析这款驱动器的特点、应用以及使用中的关键要点。
2025-12-09 10:07:391541 
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