科高通一样生产销售手机芯片。据外媒最新消息，三星电子4月4日对外发布了多款手机5G芯片，作为5G商用的通信解决方案。该公司也表示芯片已经开始投入量产。 据国外媒体报道，本周五，三星电子计划配合韩国运营商，在韩国发售全世界
2019-04-04 18:47:48
7085 1月7日消息，三星电子已开始批量生产基于极紫外（EUV）技术的6nm（nm）半导体芯片。该公司自开始大规模生产7nm产品以来，仅在八个月内就推出了6nm产品。三星的微加工工艺技术升级周期正在缩短
2020-01-07 12:03:104766 在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程竞局, 三星电子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米制程TLC芯片量产，一举领先目前停留在43奈米制程的东芝，至于英特尔(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片将于2009年底量产。
2011-01-26 22:22:052677 三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 三星官方宣布，已经开始进行7nm LPP(Low Power Plus)工艺芯片的量产工作。据悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，机器采购自荷兰ASML(阿斯麦)，型号为双工件台NXE:3400B(光源功率280W)，日产能1500片。
2018-10-18 09:48:281528 三星推出0.64㎛像素ISOCELL JN1目前，0.64㎛是三星量产的图像传感器中的最小像素尺寸。
2021-06-10 10:26:483109 
` 本帖最后由 lzr858585 于 2016-10-28 16:24 编辑
前几天三星在推出专供国内市场的GALAXY C9 Pro，现在又似乎准备开始着手更新GALAXY A系列新品。今天
2016-10-28 16:05:54
三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示，三星不断进行技术创新，新一代的QLC产品成本可以降低60%，同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术，速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
似乎遇到了一些问题 。
另一家韩媒《DealSite》当地时间17日报道称，自 1z nm 时期开始出现的电容漏电问题正对三星 1c nm DRAM 的开发量产造成明显影响。三星试图通过适当放宽线宽等
2025-04-18 10:52:53
三星电机与三星电子联手成立任务编组团队投入研发，最近推出Galaxy Watch的应用处理器(AP)，便是使用FO-PLP的技术。该AP是2018年6月开始量产，这个技术目前尚无其他案例，是否有其他
2018-12-25 14:31:36
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
观点：苹果与三星这场“世纪专利大战”的硝烟看似早已渐去，实际上这两家公司在全球各地的法院展开的专利大战还未了结，双方又开始酝酿一场新的战斗。而且，三星MAX3232EUE+T 推出新的平面广告
2012-10-09 16:39:58
随机存储器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成为世界半导体产品领导者。在此之前，三星只是为本国市场生产半导体。 在八十年代中期，三星开始进入系统开发业务领域，在
2019-04-24 17:17:53
。 三星公司表示：“就如同Nike一样，广告也将会根据产品所连接的生活方式而进行改变。” 最近，三星高管已经停止使用旧的名片，并接到通知让其等到明年1月，或将更改成新的名片。自去年开始，三星正在试图将其
2012-11-05 16:22:13
GPIO前的准备工作是什么？
2022-02-10 07:11:39
SPC58系列芯片的开发准备工作因为工作的需要，重新捡起硬件和嵌入式开发的工作。面对的是ST的SPC58NE芯片。准备工作如下：
2021-12-23 07:33:09
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2020-12-01 17:34:19
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2021-09-03 19:23:00
迹可循。 在2002年开启MRAM研发工作后，三星在2005年又率先开始了STT-MRAM的研发，该技术后来被证明可以满足高性能计算领域对最后一级缓存的性能要求，被认为是MRAM突破利基市场的利器
2023-03-21 15:03:00
利润率。资料图三星电子股价在周五开盘后不久旋即触及274万韩元的新高，因寄望内存芯片需求日益增加，2017年获利可望创纪录。“内存芯片已经进入一个美丽新世界。供应增加的速度已大大放慢，同时需求超出预期
2017-10-13 16:56:04
华为三星苹果高通的差异买IP做集成不宜包装为掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
年收购电子芯片，收购电子IC，收购DDR ,收购集成电路芯片，收购内存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR内存芯片系列，三星，现代，闪迪，金士顿，镁光，东芝，南亚，尔必达，华邦等各原装品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
，计划将合作范围自现行的液晶面板事业扩大至事务机事业。据报导，夏普计划以OEM的形式提供事务机给三星(即为三星代工生产挂上三星品牌的事务机产品)，且为加强彼此的合作关系，三星也可能对夏普进行追加
2013-08-05 14:19:28
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
你好，我创建了我的“BLE应用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的问题，因为我的应用程序返回GATT错误0x85与三星S5，而三星S4工作良好。我该怎么解决呢？有特定的设置吗？最好的问候阿尔贝托
2019-11-01 10:16:37
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手册说有Unique ID可以用，但是没有说明具体怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手册中有看到OTP区域，可以来保存Unique
2017-03-21 09:22:02
` 【PConline 资讯】12英寸的平板真的会推出么？前段时间业内人士的预测引来无数猜想。近日，taiwan《Digitimes (电子时报)》引述计算机产业上游供应链消息称，苹果和三星均在计划
2013-10-29 10:18:00
DNW软件只能用于三星的ARM芯片吗？
2019-08-05 22:52:59
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2021-07-06 19:32:41
`请问高速PCB设计前期的准备工作有哪些？`
2020-04-08 16:32:20
三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星推出64GB moviNAND闪存芯片
三星近日公布了两款采用新制程技术的闪存产品。其中moviNAND闪存芯片产品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，单片封装的最大容量可达64GB
2010-01-14 17:00:041005 上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 3月7日消息，虽然东芝是NAND闪存芯片的发明者，但三星目前已经是NAND芯片行业的领跑者，并且其优势在不断扩大。
2017-03-07 15:53:451726 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。
2017-04-22 01:08:12883 做为世界最大的记忆芯片生产商，三星将在2021年前对位于平泽市的NAND闪存工厂投入14.4万亿韩元。此外，位于华城市的半导体生产线也将拿到6万亿韩元的投资。剩下的1万亿韩元，将分配给三星位于韩国的OLED屏幕工厂。同时，三星还计划为西安的NAND闪存生产基地添置一条新的生产线。
2017-07-04 15:57:301192 世界第一大智能手机生产商，三星也在进行AI技术的探索，它们先是推出了语音助手Bixby，现在则开始从芯片着手了。
2017-09-26 08:43:05648 在去年三星电信设备营收得到了很大的涨幅，更是刺激了三星持续投入电信设备业务，三星一直将华为最为强劲的竞争对手，5G网络的建设刚好给三星提供机会，据悉，三星计划将在2019年量产5G芯片。
2018-01-19 11:47:561048 集微网消息，据彭博援引韩国新闻网站The Bell消息，三星电子已和一家从事比特币挖矿的企业签订协议，并从本月起开始生产用于比特币挖矿的芯片。 该公司指出，三星在去年已经完成用于比特币挖矿所需
2018-02-21 14:01:00806 三星电子准备调整铸造技术蓝图，2019年下半年开始量产6纳米芯片。按照原来的计划，三星本打算在2019年试产6纳米芯片。在7纳米技术上，三星落后于台积电，现在它想在6纳米技术上加速前进。
2018-03-14 16:41:425956 为实现更高储存密度，NAND Flash的堆栈层数不断增加，单一晶胞内能储存的信息也越来越多。 目前NAND Flash芯片已经进入64层TLC时代，展望2019年，三星（Samsung）、东芝
2018-06-11 09:16:004985 三星电子(Samsung Electronics)计划于2021年量产FinFET电晶体架构的后继产品——采用3nm制程节点的环绕式闸极(gate-all-around；GAA)电晶体。
2018-05-30 11:37:135440 三星电子今天宣布，已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存（eUFS），以用于下一代移动设备。据介绍，三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆（Gb）V-NAND芯片和一个控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 根据韩国媒体ET News于28日的报道，在明年初旗下首款可折叠智能手机上市之前，三星目前已在准备对其使用的显示屏进行量产，而量产工作将在今年夏天正式开始。
2018-07-02 16:19:00820 三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可拥有更高的传输速度。
2018-07-12 14:46:002032 据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:328259 很显然从今年开始，厂商们都开始将目光转向了QLC闪存，之前Intel就已经推出了首款搭载QLC闪存的SSD，而现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC闪存的SSD，这些SSD从1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三种规格。
2018-08-07 17:00:031358 传三星首款 AMOLED 可摺叠手机spec与量产计划曝光，项目命名「Winner」三星计划推出可摺叠手机的
2018-09-15 11:15:025068 今年8月初，NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 记忆体的3D NAND flash大战即将开打！目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营，如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将划下句点。
2018-12-13 15:07:471294 三星宣布已经开始量产该公司的5G芯片，涵盖调制解调器芯片Exynos Modem 5100、无线射频收发芯片Exynos RF 5500，以及电源控制芯片Exynos SM 5800，这3款芯片皆同
2019-04-09 17:19:035189 SK海力士宣布已向主要SSD（固态硬盘）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品，并开发了自己的QLC软件算法和控制器，计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品。
2019-07-25 15:08:544098 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-09 16:05:251778 NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 现在，UFS 3.0芯片已经成为旗舰机的标配，不过未来我们在旗舰机上或许还能看到速度更快的芯片。今天，三星电子正式宣布已开始量产业界首款用于旗舰机的512GB eUFS 3.1芯片，与此前的三星eUFS 3.0芯片相比，eUFS 3.1芯片的写入速度是以前的三倍。
2020-03-17 14:46:253396 尽管新冠疫情仍存在影响，三星 （Samsung） 已按计划启动了其位于中国西安的新闪存工厂，开始量产闪存晶圆。
2020-03-25 11:43:563552 继三星去年实现量产128层第六代NAND闪存芯片后，又在两个月前宣布将完成160层第七代NAND闪存芯片的开发，目前看来三星已经将对手远远甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328 据相关报道称，三星Display将于2021年开始量产QD-OLED面板，并计划在2季度进行正式生产，目前，三星正在为QD-OLED面板的产能扩充，这为后续降低成本做好铺垫。
2020-07-29 11:50:311132 11 月 19 日消息，据国外媒体报道，三星电子正在奋力赶超台积电，计划在 2022 年量产 3 纳米芯片。 三星电子高管 Park Jae-hong 最近在一次活动中表示，公司已定下目标，在
2020-11-19 11:39:071911 前两天有媒体报道华为P50系列会如期发布，原因是来自于韩媒的消息三星、LG两大面板生产商已经开始着手为华为P50系列提供屏幕做生产前的准备。至于这个消息是真是假，目前还无法查证。但对于国内的消费者来讲当然希望这一切都是真的。
2020-11-25 16:45:142024 11月19日消息，据国外媒体报道，三星电子正在奋力赶超台积电，计划在2022年量产3纳米芯片。三星电子高管Park Jae-hong最近在一次活动中表示，公司已定下目标，在2022年量产3纳米芯片
2020-11-30 11:26:532651 据Korea IT News报道，三星电子已经开始进行巨额半导体投资，总价值达317亿美元。该公司最近开始对其在中国的NAND闪存工厂和在韩国的DRAM工厂进行投资。 据报道，除NAND闪存
2021-01-29 09:05:242367 三星电子宣布，已经开始量产该公司迄今为止最为先进的数据中心SSD，型号为“PM9A3”。
2021-02-25 09:54:362336 三星电子宣布，已经开始量产该公司迄今为止最为先进的数据中心SSD，型号为“PM9A3”。
2021-02-25 10:25:202349 众所周知，三星电子在NAND闪存芯片市场上一直保持领先地位，占有30％以上的份额。但是，由于竞争对手开始表现出更好的工艺，它们似乎在挑战三星的技术能力。
2021-02-26 15:49:373205 日前，三星放出了将在6月30日正式量产3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已经开始了3nm工艺芯片的量产。 三星官方称，其采用了GAA晶体管的3nm工艺芯片已经在韩国华城工厂开始量产。 现在全球
2022-06-30 16:36:272953 根据外媒的消息报道称，三星电子公司近日正式宣布已开始量产3纳米芯片，三星电子正押注于将 GAA 技术应用于3 纳米工艺，并且计划于2025年量产基于GAA的2nm芯片，以追赶台积电。
2022-07-04 09:34:041906 和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。 三星电子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 三星已经订出第三季量产89英寸Micro LED电视的计划，将于本月开发审议，下个月试产，到第三季全面量产。
2023-01-07 10:39:531098 外媒在报道中提到，根据公布的计划，三星电子将在2025年开始，采用2nm制程工艺量产移动设备应用所需的芯片，2026年开始量产高性能计算设备的芯片，2027年则是利用2nm制程工艺开始量产汽车所需的芯片。
2023-06-30 16:55:071259 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142 三星3nm GAA商业量产已经开始。
2023-07-20 11:20:003104 
三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为，三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中，由于市场持续低迷，三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:581255 最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 三星业绩近期表现非常差，三星为了增强NAND闪存竞争力计划在2024年升级其NAND核心设备供应链。
2023-08-30 16:10:02863 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道，三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片，但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540 三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一，在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下，在nand闪存市场保持世界领先地位。受从去年年底开始的it景气低迷和半导体景气低迷的影响，三星nand的销量增加，从而使亏损扩大。
2023-10-16 14:36:001975 10月19日，韩国三星电子在德国慕尼黑举办了名为「三星代工论坛2023」的活动。在这个活动上，三星电子以霸气十足的姿态公布了其芯片制造的先进工艺路线图和代工战略，宣称将在未来3年内量产2纳米
2023-11-01 15:07:53988 
据业界2日透露，三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造，将目前正在生产的128段（v6） nand闪存生产线扩大到236段（v8）。三星决定从明年初开始更换设备，并向业界通报了到2025年分阶段完成的目标。
2023-11-03 11:48:032419 三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299 三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判，目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 据韩国业界消息，三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND） 闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升，也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 美光科技近期宣布，其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着美光在NAND技术领域再次取得了显著进步，巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。
2024-04-29 10:36:341553 三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特（Tb）容量四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先，也预示着数据存储市场即将迎来一场革命性的变革。
2024-09-12 16:27:311108 三星电子在NAND闪存技术领域再次迈出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代产品，集成了多项前沿技术突破，标志着数据存储性能与容量的全新飞跃。这款基于双堆栈架构的QLC V-NAND，通过创新的通道孔蚀刻技术，实现了业界领先的单元层数，为各类AI应用提供了前所未有的内存解决方案。
2024-09-23 14:53:521479 近日，三星电子被曝出计划对其芯片高管职位进行大幅削减，并着手重组半导体相关业务。据相关消息称，三星电子正在对其设备解决方案（DS）部门下的内存部门进行严格的审计，该部门主要负责监管公司的半导体业务。
2024-10-11 15:56:26833 在近日举行的韩国半导体展览会上，三星公司宣布了一项重要技术突破：其技术团队已顺利完成硅电容器的量产准备工作。这一成果标志着三星在先进半导体领域取得了显著进展，预示着半导体技术的新一轮革新。
2024-10-28 16:59:03961 近日，据供应链消息，三星电子与铠侠正考虑在第四季度对NAND闪存进行减产，并预计根据市场状况分阶段实施。
2024-10-30 16:18:46970 近日，三星显示在第三季度业绩的电话会议上透露了其8.6代OLED产线的最新进展。公司表示，面向IT领域的8.6代OLED产线的主要设备已经完成，目前正按计划进行，原计划于2026年实现量产。然而，据最新媒体报道，三星显示已决定将这一量产时间表提前至最早2025年底。
2024-11-05 17:00:182240 三星半导体部门宣布已成功开发出名为S3SSE2A的抗量子芯片，目前正积极准备样品发货。这一创新的芯片专门设计用以保护移动设备中的关键数据，用以抵御量子计算可能带来的安全威胁。 据悉，三星
2025-02-26 15:23:282483 据外媒韩国媒体 ETNews 在9 月 2 日发文报道称全球首款2nm芯片被曝准备量产；三星公司已确认 Exynos 2600 将成为全球首款采用 2nm 工艺的移动 SoC 芯片，目前该芯片完成
2025-09-04 17:52:152150
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