三星启动中国西安新闪存工厂 并将开始量产闪存晶圆

尽管新冠疫情仍存在影响，三星 （Samsung） 已按计划启动了其位于中国西安的新闪存工厂，开始量产闪存晶圆。

据外媒Blocks & Files消息，新工厂将用于生产三星第五代3D V-NAND，该闪存采用了90+层堆叠及256Gb容量的裸片 （die） 。产能方面，三星将初始目标定在每月20，000片晶圆，之后将会提高至每月65，000片。按每片晶圆约700颗裸片估算，约等于45，500，000颗芯片。《西安日报》也报道该工厂已做好量产准备，计划于8月份开足马力生产。

此外，三星计划在六月推出第六代V-NAND产品，仍将使用256Gb容量的裸片但堆叠层数提升至100+层。再往后的第七代产品，将会采用200+层堆叠的512Gb容量裸片。

三星将在韩国平泽 （Pyeongtaek） 和华城 （Hwaseong） 工厂量产V-NAND。三星也表示，平泽厂将会在不久后调整为第六代V-NAND产线。

此外，三星还计划在西安继续投资80亿美元用于扩产，期望将产能翻倍，提升至130，000片晶圆，具体的时间细节暂未透露。
责任编辑：wv