模拟技术

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三极管小电流如何驾驭大电流

三极管有两种基本类型，即NPN型和PNP型。在这两种类型中，NPN型的三极管更为常用，所以我们将主要讨论NPN型的三极管。...

2024-04-18 标签：三极管原理图 NPN 电流控制 101

颇有前景的半导体替代材料：SiC和GaN适用范围及优缺点介绍

自1954年以来，硅一直是先进技术发展的重要基石。人们普遍认为，硅作为电子元件基础结构核心材料的地位不可动摇。...

2024-04-17 标签：电动汽车半导体电机驱动 SiC GaN 301

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。...

2024-04-17 标签：MOSFET SiC 体二极管碳化硅纳芯微 265

一个模电电路图分享

有两个晶体管(transistor)，一个NPN和一个PNP，连接方式下图所示。假设此晶体管是硅(Si)，并显示0.6伏特(V)基极至发射极电压，且两个晶体管的ß值非常高，使得基极电流几乎为零。求电压V？？...

2024-04-17 标签：晶体管 pnp NPN 88

SiC MOSFET短路失效的两种典型现象

短路引起的 SiC MOSFET 电学参数的退化受到了电、热、机械等多种应力的作用，其退化机理需要从外延结构、芯片封装以及器件可靠性等多方面进行论证分析。...

2024-04-17 标签：MOSFET 变频器电机驱动晶体管 SiC 112

电阻的基本原理电阻的工艺种类介绍

绕线电阻是将镍铬合金导线绕在氧化铝陶瓷基底上，一圈一圈控制电阻大小。绕线电阻可以制作为精密电阻，容差可以到0.005%，同时温度系数非常低，缺点是绕线电阻的寄生电感比较大，不能...

2024-04-17 标签：电阻热敏电阻电源适配器无源器件固定电阻器 99

圣邦微电子Σ-Δ模数转换器（ADC）技术一览

Σ-Δ 模数转换器（ADC）的文献最早出现于 1962 年，早期的原理讨论淹没在了深化研究之下，本文试图钩沉这些早期原理讨论，为理解 Σ-Δ 型 ADC 做入门铺垫。...

2024-04-17 标签：模数转换器脉宽调制器圣邦微电子 ADC采样 570

电阻不同颜色的色环代表什么意思

电阻器颜色代码是一种标准化系统，用于表示电阻器的电阻值、容差，有时甚至表示电阻器的温度系数。它们由涂在电阻器主体上的彩色带组成，每个彩色带代表电阻器值中的特定数字或乘数。...

2024-04-17 标签：电阻电阻器 75

MOS管栅极前加100Ω电阻的作用是什么

功率MOS管的驱动电路中会分布各种电感，例如图中的L，它们与MOSFET的Cgd, Cge会形成谐振电路：对开关驱动信号中的高频谐波分量产生谐振，进而引起功率管输出电压的波动。...

2024-04-16 标签：串联电阻电阻 MOSFET MOS管 106

碳化硅器件的类型及应用

碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料，具有比传统硅更高的电子漂移率和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作，同时保持稳定性和效率。...

2024-04-16 标签：功率器件半导体器件碳化硅 119

碳化硅在新型电力体系中的应用

目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作为开关。如IGCT其耐压可达6.5kV，通断电流可达4000A。但在输电系统中，其电压电流等级仍然偏小，需要依靠多电平拓扑或器件串联，来提高耐压能力...

2024-04-16 标签：电力系统 IGBT 配电系统碳化硅稳压控制器 81

射频功率放大器功能介绍

PA应用极为广泛，在无线通信系统中，如手机、卫星通信、Wi-Fi、蜂窝网络等都需要射频功率放大器来提供足够的信号强度和覆盖范围。...

2024-04-16 标签：射频功率放大器无线通信低噪声放大器雷达系统 101

深度解析TVS关键参数及选型技巧

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管。它是采用半导体工艺制成的单个 PN 结或多个 PN 结集成的器件。...

2024-04-16 标签：二极管 TVS 电压电压抑制器 103

有源晶振和无源晶振的区别

有源晶振和无源晶振的区别，有什么方法能快速辨别两者之间的不同;下面扬兴科技简单地介绍有源晶振和无源晶振定义，从定义中找到您想要的答案。...

2024-04-15 标签：有源晶振无源晶振扬兴科技 677

晶振工作原理及匹配电容选取方法

我们知道可以通过调节负载电容CL来微调振荡器的频率，这就是为什么晶振制造商在其产品说明书中会指定外部负载电容CL值的原因。通过指定外部负载电容CL值，可以使晶振晶体振荡时达到其...

2024-04-15 标签：电容振荡器晶振等效电路反馈电阻器 85

电感如何选型？常见的电感参数

电感是一种电路元件，它可以在自身磁场中储存能量。电感通过储存将电能转换为磁能，然后向电路提供能量以调节电流。当电流增加，磁场就会增强。...

2024-04-15 标签：DCDC变换器电感 DCDC 绝缘线电路元件 152

碳化硅（SiC）功率器件探讨：未来的能源解决方案

随着全球对更高效、更可持续能源解决方案的需求不断增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和电气特性而成为电力电子领域的一个重要进展。...

2024-04-15 标签：导通电阻功率器件 SiC 碳化硅太阳能逆变器 294

ADCs和DACs的性能指标、拓扑结构

讨论了不同的ADC和DAC架构，包括Flash型、逐次逼近寄存器（SAR）型、Pipelining型和时间交错型等。...

2024-04-15 标签：dac 模数转换器 ADCs 逐次逼近寄存器 ADCs dac DACs 模数转换器逐次逼近寄存器 54

MOS管为什么会冒烟烧毁？MOS烧管的案例2分享

当VGS小于一定的电压值，DS极就会导通，适合用于S极接正电源的情况（高端驱动）。虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于其导通电阻大、价格贵、替换种类少等原因，在大部分应用中通...

2024-04-12 标签：示波器 MOS管 NMOS PMOS 电池保护板 443

IGBT无损缓冲吸收电路设计原理

电磁干扰严重。随着频率提高，电路中的di/dt和du/dt增大，从而使电磁干扰增大，影响变换器和周围电子设备的工作。...

2024-04-12 标签：二极管 IGBT 电磁干扰吸收电路开关器件 196

合科泰生产的高压MOS产品有哪些？

MOS管根据其耐压值可分为中低压MOS和高压MOS管，高压MOS也是基于场效应管的原理工作，通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的电流。与普通MOS管相比，高压MOS管能承受更高的电压和电流。...

2024-04-12 标签：开关电源电机控制 MOS管电压电流伺服驱动器 295

探讨氮化镓在汽车动力系统和激光雷达的应用

氮化镓（GaN）作为一种新兴的半导体材料，因其优异的电子特性和潜在的系统成本优势，在汽车和移动手机市场中展现出巨大的商业潜力。...

2024-04-12 标签：氮化镓 GaN 激光雷达汽车动力系统 198

合科泰半导体推出一款N沟道MOS管HKTQ80N03

MOS管有N沟道MOS和 P沟道MOS等，N沟道MOS是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。...

2024-04-12 标签：锂电池电机驱动 DFN封装阈值电压 NMOS管 278

ADI二极管钳位电路设计应用

在此电路中，TVS管PTVS30VP1UP可以快速钳位一些瞬态的电压到30V，同时它的漏电流也非常非常小（25℃的时候典型漏电流为1nA），这个管子也很推荐大家使用，漏电流很小。...

2024-04-12 标签：二极管 BUCK 稳压管齐纳二极管钳位电路 177

缓冲放大器的几种类型介绍

电压缓冲放大器的作用是将电压从具有高输出阻抗的电路传输到具有低输入阻抗的另一个电路。通过在这两个电路之间插入缓冲器，可以防止第二个电路过度加载第一个电路，这可能会干扰其预...

2024-04-12 标签：放大器运算放大器缓冲放大器电阻抗 146

运算放大器采样保持电路的工作原理

采样和保持电路是一种电子电路，它创建作为输入的电压样本，然后将这些样本保持一定的时间。采样保持电路对输入信号产生采样的时间称为采样时间。...

2024-04-12 标签：电容器运算放大器输出波形模拟信号采样保持电路 421

深入探讨碳化硅功率器件优势、应用

碳化硅是一种宽带隙半导体材料，具有比硅（Si）更优越的物理和化学特性，包括更高的临界击穿场强、更大的热导率、更高的工作温度和更快的开关速度。...

2024-04-12 标签：变压器电感器功率器件 SiC 碳化硅 61

RECOM凭借新推出的RxxC1TF 1 W DC/DC转换器再次引领市场

这款完全稳压型转换器采用超紧凑 12 焊盘 LGA 封装，尺寸仅为 5 x 4 x 1.18 mm，提供 2.5 kVAC/1 min 的隔离电压，以及 3.3 V 或 5 V 可选输出电压。...

2024-04-11 标签：隔离电压物联网数据通信 RECOM dcdc转换器 254

MOS管栅极前加100Ω电阻原理分析

在MOSFET的栅极前增加一个电阻？ MOS管是电压型控制器件，一般情况下MOS管的导通，只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，并不需要栅极电流。...

2024-04-11 标签：电阻 MOSFET MOS管电感谐振电路 136

瑞能半导体推出一种带隙大于传统硅基肖特基二极管的半导体器件

碳化硅（SiC）肖特基二极管是一种带隙大于传统硅基肖特基二极管的半导体器件。...

2024-04-11 标签：电动汽车肖特基二极管光伏逆变器碳化硅瑞能半导体 284

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