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电子发烧友网>模拟技术>IGBT/功率器件>

IGBT/功率器件

电子发烧友网IGBT/功率器件栏目提供igbt器件,功率器件,功率半导体器件,功率开关器件,igbt功率模块,igbt功率管,大功率igbt驱动,大功率igbt等IGBT/功率器件设计所需的所有最新行业新闻、产品信息及技术热点方案及介绍。
功率系统中SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试与计算新方案

功率系统中SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试与计算新方案

栅极参数设计是通过理论计算或建模仿真,模拟器件的开关状态,掌握其动态特性。常用的仿真软件有ANSYS和MATLAB等,其核心还是理论计算。...

2024-04-29 标签:MOSFETIGBTemcSiC变流器 48

深入解析三极管工作原理

深入解析三极管工作原理

统讲法一般分三步,以NPN型为例(以下所有讨论皆以NPN型硅管为例),如示意图A。1.发射区向基区注入电子;2.电子在基区的扩散与复合;3.集电区收集由基区扩散过来的电子。”(注1)...

2024-04-29 标签:三极管二极管集电极光敏二极管NPN 30

比亚迪e5高压电控总成内IGBT模块技术分析

比亚迪e5高压电控总成内IGBT模块技术分析

用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT,用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“~”之间的导通性,显示导通,压降为0.379 V。...

2024-04-28 标签:二极管原理图万用表比亚迪IGBT 93

MOS管为什么还要考虑电流大小呢?

MOS管为什么还要考虑电流大小呢?

当MOS管驱动能力不足时,我们会使用推挽电路来放大电流,但是MOS管明明是压控型器件,为什么要去考虑电流大小呢?...

2024-04-28 标签:三极管电流MOS管驱动电路电源IC 172

Tanner L-Edit在功率器件设计中的应用有哪些呢?

Tanner L-Edit在功率器件设计中的应用有哪些呢?

像GaN、SiC,、第三代半导体、车用功率器件等功率器件是处理高电压、大电流的半导体分立器件,常用在电子电力系统中进行变压、变频、变流及功率管理等。...

2024-04-28 标签:CMOS晶圆大电流功率器件 168

探究内阻较小的MOS管发热之谜

探究内阻较小的MOS管发热之谜

这个主要是Drain加反偏电压后,使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展,当耗尽区碰到Source的时候,那源漏之间就不需要开启就形成了 通路,所以叫做穿通(punch through)。...

2024-04-28 标签:二极管电源反接MOS管漏极电压内阻 46

MOSFET在开关电源中的作用

MOSFET在开关电源中的作用

MOSFET作为开关元件,在开关电源中需要频繁地切换两种状态:导通和截止,以控制电流的通断。这种切换过程对于电源的稳定输出至关重要。...

2024-04-25 标签:集成电路MOSFET开关电源稳压电源电压电源 346

如何选择开关电源的MOSFET

如何选择开关电源的MOSFET

DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。...

2024-04-25 标签:MOSFET开关电源控制电路DCDC开关控制器 311

普通三极管电路的步骤

普通三极管电路的步骤

三极管是晶体管的一种,三极管的三个极分别是基极(Base)、发射极(Emitter)、集电极(Collector)。...

2024-04-25 标签:三极管MOS管晶体管数字电路 70

高效大电流稳压器电路设计方案

高效大电流稳压器电路设计方案

LT1083稳压器(参见图1中的符号和引脚排列)允许调整正电压,并能高效地提供高达7.5 A的电流。内部电路设计用于输入和输出之间以高达1 V的压差工作。...

2024-04-25 标签:二极管负载电流稳压器低电流稳压器 74

常用的MOS做电源开关的电路分享

常用的MOS做电源开关的电路分享

由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异,导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS,所以设计中尽量优先选择NMOS。...

2024-04-25 标签:电机控制导通电阻电源开关MOS低导通电阻 193

比亚迪高压电控总成IGBT模块检测指南

比亚迪高压电控总成IGBT模块检测指南

.通电导通性检查 用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT,用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“~”之间的导通性,显示导通,压降为0.379 V。...

2024-04-23 标签:二极管万用表比亚迪IGBT 81

恒流电路设计三种常用方案解析

恒流电路设计三种常用方案解析

运放的恒流电路,主要是利用运放的“电压跟随特性”,即运放的两个输入引脚Pin3与Pin2电压相等电路特性;当在电阻R4输入Vin稳定电源电压时,电阻R7两端的电压也为Vin不变,因此无论外界电路...

2024-04-23 标签:三极管稳压二极管电压电源恒流电路 113

信号线上串联小电阻的作用与意义

信号线上串联小电阻的作用与意义

为了保护接口,抵抗小能量电压脉冲,防止信号脉冲损坏接口的。 举个简单的例子: 一个串口通讯的提示信号,当接上串口时,因为瞬间的插拔产生了一个很窄的电压脉冲...

2024-04-23 标签:电阻串口通讯信号线电压脉冲 74

MOSFET栅极驱动电路设计方案

MOSFET栅极驱动电路设计方案

必须在基极和发射极之间施加电流,以在集电极中产生电流。图1.2示出了MOSFET,当在栅极和源极端子之间施加电压时在漏极中产生电流。...

2024-04-22 标签:MOSFET电容双极晶体管栅极驱动电路电压驱动 294

简要探讨石英晶体与振荡

简要探讨石英晶体与振荡

石英晶体振荡器中使用的石英晶体是一块非常小的、薄的石英切割片或晶片,其两个平行表面被金属化以进行所需的电连接。一块石英晶体的物理尺寸和厚度受到严格控制,因为它会影响振荡的...

2024-04-22 标签:振荡器电源电压石英晶体晶体振荡等效阻抗 60

二极管保护电路的工作原理

二极管保护电路的工作原理

二极管是一种允许电流流经一个方向但不允许另一方向流过的器件,因此,它可以用于电路中,仅允许电流仅在正向流动,而在反向流动中阻止电流。当电路中的组件可能会因反向(错误)方向...

2024-04-22 标签:led二极管保护电路 82

常见的电平转换方法

常见的电平转换方法

当 3.3V 器件输出高电平信号,由于上拉 5V 作用,信号输入器件被上拉为 5V 电平。 当 3.3V 器件输出低电平信号,使 OUTPUT 信号被拉低,从而信号输入器件信号被拉低。...

2024-04-22 标签:三极管二极管上拉电阻MOS电平转换 84

关于MOS管电路工作原理的讲解

关于MOS管电路工作原理的讲解

MOS管的话题虽说是老生常谈,但这份资料几年前就有人给我分享过,这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解,从管脚的识别,到极性的分辨,再到常用功能,应用电路等等...

2024-04-22 标签:MOS管MOS寄生二极管 59

电子元器件识别与质量判定技巧

电子元器件识别与质量判定技巧

电子元器件的认识和判断好坏是电工必备的技能。以下是一些常见电子元器件的认识和判断好坏的方法...

2024-04-22 标签:继电器电阻电子元器件万用表电容 75

电阻、电感及电容元件在交流电路中的特性分析

电阻、电感及电容元件在交流电路中的特性分析

在电阻元件的交流电路中,电流和电压是同相的。 在电阻元件电路中,电压的幅值(或有效值)与电流的幅值(或有效值)之比值,就是电阻R。...

2024-04-27 标签:交流电路电阻元件电感元件电容元件 47

NTC热敏电阻详细应用解析

NTC热敏电阻详细应用解析

温度相同区间不同的B值,说明材料可能不一样,因为NTC热敏电阻是负温度系数温度升高阻值成规律下降,B值代表曲线的弯曲程度或者说温度的敏感指数,单位温度变化的这时阻力值设施程度就...

2024-04-27 标签:热敏电阻NTC电子元件 27

揭秘电动汽车IGBT芯片键合线

揭秘电动汽车IGBT芯片键合线

在电控模块中,IGBT模块是逆变器的最核心部件,总结其工作原理:通过非通即断的半导体特性,不考虑过渡过程和寄生效应,我们将单个IGBT芯片看做一个理想的开关。...

2024-04-27 标签:电动汽车逆变器IGBT驱动系统减速器 34

深度解析DCDC电路中的前馈电容应用

深度解析DCDC电路中的前馈电容应用

A(s)为电源系统的开环增益,为方便讨论我们假定A(s)里已经包含了输出电容、负载等其他因素的影响。...

2024-04-19 标签:电容DC-DC电源系统buck电路电源芯片 389

全球首款氮化镓量子光源芯片诞生

量子光源芯片作为量子互联网的“心脏”,在量子通信中扮演着至关重要的角色。而电子科技大学团队此次研发的氮化镓量子光源芯片,在性能上取得了显著的突破。...

2024-04-19 标签:氮化镓量子通信 696

为什么在PCB中使用电阻器?

为什么在PCB中使用电阻器?

电阻器是印刷电路板 (PCB) 中使用的最基本元件之一。它们是阻止电路中电流流动的无源器件。PCB 电阻器可以控制、划分、稳定、连接电路等。...

2024-04-19 标签:集成电路pcb电阻器印刷电路板无源器件 102

半波整流器和全波整流器的定义和区别

半波整流器和全波整流器的定义和区别

半波整流电路由单个二极管和降压变压器组成,在降压变压器的帮助下将高压交流电转换为低压交流电。此后,连接在电路中的二极管将在交流周期的正半部分中正向偏置,并在负半部分中反向...

2024-04-18 标签:二极管整流器交流电压降压变压器全波整流器 99

IGBT器件失效模式的影响分析

IGBT器件失效模式的影响分析

功率循环加速老化试验中,IGBT 器件失效模式 主要为键合线失效或焊料老化,失效模式可能存在 多个影响因素,如封装材料、器件结构以及试验条 件等。...

2024-04-18 标签:IGBT晶体管宽禁带 93

SiC器件工作原理与优势

SiC器件工作原理与优势

碳化硅是一种宽带隙半导体材料,具备高电子迁移率、高热导率以及高击穿电场强度等特点。这些特性使得SiC器件在高温、高电压和高频率下依然能够稳定工作,同时比传统硅基器件体积更小,...

2024-04-18 标签:电机控制器功率器件SiC输电系统太阳能逆变器 105

纳芯微发布首款车规级1200V SiC MOSFET

纳芯微发布首款车规级1200V SiC MOSFET

为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品,在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制,所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试,100%抗雪崩能力测试。...

2024-04-18 标签:MOSFETSiC碳化硅纳芯微热管理系统 91

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