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电子发烧友网>模拟技术>IGBT/功率器件>

IGBT/功率器件

电子发烧友网IGBT/功率器件栏目提供igbt器件,功率器件,功率半导体器件,功率开关器件,igbt功率模块,igbt功率管,大功率igbt驱动,大功率igbt等IGBT/功率器件设计所需的所有最新行业新闻、产品信息及技术热点方案及介绍。
TO-252封装N沟道MOSFET,智能机器人领域的首选器件

TO-252封装N沟道MOSFET,智能机器人领域的首选器件

从工厂流水线到家庭服务,人形机器人正掀起新一轮革命。但无论是奔跑跳跃的关节电机,还是精准避障的传感器,背后都离不开最基础的“隐形功臣”——二极管、三极管、MOS管。这些看似简...

2025-03-14 标签:MOSFETN沟道智能机器人 141

功率器件热设计基础(十三)——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息

功率器件热设计基础(十三)——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。...

2025-01-20 标签:驱动器功率器件热设计 1055

IGBT双脉冲实验说明

IGBT双脉冲实验说明

IGBT双脉冲实验 1.1 IGBT双脉冲实验目的 1、通过实验获取IGBT驱动板及IGBT模块的主要动态参数,如延时、上升、下降时间、开关损耗等; 2、通过实验获得功率组件设计中滤波电容、吸收电容、复...

2025-01-27 标签:脉冲IGBT 422

MOSFET规格书中单脉冲雪崩能量EAS如何理解?电路设计咋用它计算MOS会损坏吗?

MOSFET规格书中单脉冲雪崩能量EAS如何理解?电路设计咋用它计算MOS会损坏吗?

单脉冲雪崩能量简称是EAS,这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数,我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐受能力,进而来评估器件在异常瞬态过压情...

2024-11-25 标签:MOSFET电路设计MOSEAS 3677

专访博世半导体高管:8英寸SiC产线良率高,用SiC创新应对价格战

专访博世半导体高管:8英寸SiC产线良率高,用SiC创新应对价格战

博世半导体在中国的策略是怎样的?在8英寸碳化硅的布局和量产节奏如何?在此次展会上,博世半导体在碳化硅领域带来的旗舰产品有哪些优势?和本土供应商对比,博世半导体最大的优势是...

2024-09-23 标签:SiC功率模块博世pcimpcimSiC功率模块博世 3103

聚焦绿色能源四大细分市场,英飞凌SiC和GaN新品亮相PCIM展会

聚焦绿色能源四大细分市场,英飞凌SiC和GaN新品亮相PCIM展会

在PCIM Asia展上,英飞凌展示了广泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率电子产品组合,其中多款应用于可再生能源、电动交通、智能家居的产品和解决方案首次亮相。电子发烧友记者...

2024-09-04 标签:英飞凌SiCGaNpcim 3437

引领电动汽车革新,罗姆PCIM展重磅展出二合一SiC模块

引领电动汽车革新,罗姆PCIM展重磅展出二合一SiC模块

8月28日到30日,罗姆半导体亮相于深圳举办的 “2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(以下简称PCIM Asia),在本次展会上,罗姆首次展出其今年最新发布的适用于车载引逆变器的新型...

2024-09-03 标签:SiC功率模块罗姆pcimpcimSiC功率模块罗姆 5925

发力新能源汽车和储能市场,威兆半导体推出新一代700V SiC MOSFET

发力新能源汽车和储能市场,威兆半导体推出新一代700V SiC MOSFET

8月27日,在Elexcon2024深圳国际电子展上,威兆半导体正式发布了全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET HCF2030MR70KH0,这款产品采用了紧凑高效的SOT-227封装,专为追求能效与高可靠性的功率转换系统而...

2024-09-02 标签:新能源汽车MOSFETIGBTSiC储能碳化硅IGBTMOSFETSiC储能威兆半导体新能源汽车碳化硅 6220

功率系统中SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试与计算新方案

功率系统中SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试与计算新方案

栅极参数设计是通过理论计算或建模仿真,模拟器件的开关状态,掌握其动态特性。常用的仿真软件有ANSYS和MATLAB等,其核心还是理论计算。...

2024-04-29 标签:MOSFETIGBTemcSiC变流器 1327

深入解析三极管工作原理

深入解析三极管工作原理

统讲法一般分三步,以NPN型为例(以下所有讨论皆以NPN型硅管为例),如示意图A。1.发射区向基区注入电子;2.电子在基区的扩散与复合;3.集电区收集由基区扩散过来的电子。”(注1)...

2024-04-29 标签:三极管二极管集电极光敏二极管NPN 1006

比亚迪e5高压电控总成内IGBT模块技术分析

比亚迪e5高压电控总成内IGBT模块技术分析

用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT,用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“~”之间的导通性,显示导通,压降为0.379 V。...

2024-04-28 标签:二极管原理图万用表比亚迪IGBT 1304

MOS管为什么还要考虑电流大小呢?

MOS管为什么还要考虑电流大小呢?

当MOS管驱动能力不足时,我们会使用推挽电路来放大电流,但是MOS管明明是压控型器件,为什么要去考虑电流大小呢?...

2024-04-28 标签:三极管电流MOS管驱动电路电源IC 1958

Tanner L-Edit在功率器件设计中的应用有哪些呢?

Tanner L-Edit在功率器件设计中的应用有哪些呢?

像GaN、SiC,、第三代半导体、车用功率器件等功率器件是处理高电压、大电流的半导体分立器件,常用在电子电力系统中进行变压、变频、变流及功率管理等。...

2024-04-28 标签:CMOS晶圆大电流功率器件 896

探究内阻较小的MOS管发热之谜

探究内阻较小的MOS管发热之谜

这个主要是Drain加反偏电压后,使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展,当耗尽区碰到Source的时候,那源漏之间就不需要开启就形成了 通路,所以叫做穿通(punch through)。...

2024-04-28 标签:二极管电源反接MOS管漏极电压内阻 994

MOSFET在开关电源中的作用

MOSFET在开关电源中的作用

MOSFET作为开关元件,在开关电源中需要频繁地切换两种状态:导通和截止,以控制电流的通断。这种切换过程对于电源的稳定输出至关重要。...

2024-04-25 标签:集成电路MOSFET开关电源稳压电源电压电源 1925

如何选择开关电源的MOSFET

如何选择开关电源的MOSFET

DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。...

2024-04-25 标签:MOSFET开关电源控制电路DCDC开关控制器 3952

普通三极管电路的步骤

普通三极管电路的步骤

三极管是晶体管的一种,三极管的三个极分别是基极(Base)、发射极(Emitter)、集电极(Collector)。...

2024-04-25 标签:三极管MOS管晶体管数字电路 816

高效大电流稳压器电路设计方案

高效大电流稳压器电路设计方案

LT1083稳压器(参见图1中的符号和引脚排列)允许调整正电压,并能高效地提供高达7.5 A的电流。内部电路设计用于输入和输出之间以高达1 V的压差工作。...

2024-04-25 标签:二极管负载电流稳压器低电流稳压器 1030

常用的MOS做电源开关的电路分享

常用的MOS做电源开关的电路分享

由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异,导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS,所以设计中尽量优先选择NMOS。...

2024-04-25 标签:电机控制导通电阻电源开关MOS低导通电阻 4699

比亚迪高压电控总成IGBT模块检测指南

比亚迪高压电控总成IGBT模块检测指南

.通电导通性检查 用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT,用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“~”之间的导通性,显示导通,压降为0.379 V。...

2024-04-23 标签:二极管万用表比亚迪IGBT 1320

恒流电路设计三种常用方案解析

恒流电路设计三种常用方案解析

运放的恒流电路,主要是利用运放的“电压跟随特性”,即运放的两个输入引脚Pin3与Pin2电压相等电路特性;当在电阻R4输入Vin稳定电源电压时,电阻R7两端的电压也为Vin不变,因此无论外界电路...

2024-04-23 标签:三极管稳压二极管电压电源恒流电路 681

信号线上串联小电阻的作用与意义

信号线上串联小电阻的作用与意义

为了保护接口,抵抗小能量电压脉冲,防止信号脉冲损坏接口的。 举个简单的例子: 一个串口通讯的提示信号,当接上串口时,因为瞬间的插拔产生了一个很窄的电压脉冲...

2024-04-23 标签:电阻串口通讯信号线电压脉冲 1452

MOSFET栅极驱动电路设计方案

MOSFET栅极驱动电路设计方案

必须在基极和发射极之间施加电流,以在集电极中产生电流。图1.2示出了MOSFET,当在栅极和源极端子之间施加电压时在漏极中产生电流。...

2024-04-22 标签:MOSFET电容双极晶体管栅极驱动电路电压驱动 3288

简要探讨石英晶体与振荡

简要探讨石英晶体与振荡

石英晶体振荡器中使用的石英晶体是一块非常小的、薄的石英切割片或晶片,其两个平行表面被金属化以进行所需的电连接。一块石英晶体的物理尺寸和厚度受到严格控制,因为它会影响振荡的...

2024-04-22 标签:振荡器电源电压石英晶体晶体振荡等效阻抗 718

二极管保护电路的工作原理

二极管保护电路的工作原理

二极管是一种允许电流流经一个方向但不允许另一方向流过的器件,因此,它可以用于电路中,仅允许电流仅在正向流动,而在反向流动中阻止电流。当电路中的组件可能会因反向(错误)方向...

2024-04-22 标签:led二极管保护电路 2231

常见的电平转换方法

常见的电平转换方法

当 3.3V 器件输出高电平信号,由于上拉 5V 作用,信号输入器件被上拉为 5V 电平。 当 3.3V 器件输出低电平信号,使 OUTPUT 信号被拉低,从而信号输入器件信号被拉低。...

2024-04-22 标签:三极管二极管上拉电阻MOS电平转换 4235

关于MOS管电路工作原理的讲解

关于MOS管电路工作原理的讲解

MOS管的话题虽说是老生常谈,但这份资料几年前就有人给我分享过,这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解,从管脚的识别,到极性的分辨,再到常用功能,应用电路等等...

2024-04-22 标签:MOS管MOS寄生二极管 645

电子元器件识别与质量判定技巧

电子元器件识别与质量判定技巧

电子元器件的认识和判断好坏是电工必备的技能。以下是一些常见电子元器件的认识和判断好坏的方法...

2024-04-22 标签:继电器电阻电子元器件万用表电容 1927

电阻、电感及电容元件在交流电路中的特性分析

电阻、电感及电容元件在交流电路中的特性分析

在电阻元件的交流电路中,电流和电压是同相的。 在电阻元件电路中,电压的幅值(或有效值)与电流的幅值(或有效值)之比值,就是电阻R。...

2024-04-27 标签:交流电路电阻元件电感元件电容元件 1095

NTC热敏电阻详细应用解析

NTC热敏电阻详细应用解析

温度相同区间不同的B值,说明材料可能不一样,因为NTC热敏电阻是负温度系数温度升高阻值成规律下降,B值代表曲线的弯曲程度或者说温度的敏感指数,单位温度变化的这时阻力值设施程度就...

2024-04-27 标签:热敏电阻NTC电子元件 2226

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