IGBT/功率器件
电子发烧友网IGBT/功率器件栏目提供igbt器件,功率器件,功率半导体器件,功率开关器件,igbt功率模块,igbt功率管,大功率igbt驱动,大功率igbt等IGBT/功率器件设计所需的所有最新行业新闻、产品信息及技术热点方案及介绍。MOSFET在开关电源中的作用
MOSFET作为开关元件,在开关电源中需要频繁地切换两种状态:导通和截止,以控制电流的通断。这种切换过程对于电源的稳定输出至关重要。...
2024-04-25 141
如何选择开关电源的MOSFET
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。...
2024-04-25 135
高效大电流稳压器电路设计方案
LT1083稳压器(参见图1中的符号和引脚排列)允许调整正电压,并能高效地提供高达7.5 A的电流。内部电路设计用于输入和输出之间以高达1 V的压差工作。...
2024-04-25 29
常用的MOS做电源开关的电路分享
由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异,导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS,所以设计中尽量优先选择NMOS。...
2024-04-25 45
比亚迪高压电控总成IGBT模块检测指南
.通电导通性检查 用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT,用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“~”之间的导通性,显示导通,压降为0.379 V。...
2024-04-23 62
恒流电路设计三种常用方案解析
运放的恒流电路,主要是利用运放的“电压跟随特性”,即运放的两个输入引脚Pin3与Pin2电压相等电路特性;当在电阻R4输入Vin稳定电源电压时,电阻R7两端的电压也为Vin不变,因此无论外界电路...
2024-04-23 74
信号线上串联小电阻的作用与意义
为了保护接口,抵抗小能量电压脉冲,防止信号脉冲损坏接口的。 举个简单的例子: 一个串口通讯的提示信号,当接上串口时,因为瞬间的插拔产生了一个很窄的电压脉冲...
2024-04-23 38
MOSFET栅极驱动电路设计方案
必须在基极和发射极之间施加电流,以在集电极中产生电流。图1.2示出了MOSFET,当在栅极和源极端子之间施加电压时在漏极中产生电流。...
2024-04-22 239
简要探讨石英晶体与振荡
石英晶体振荡器中使用的石英晶体是一块非常小的、薄的石英切割片或晶片,其两个平行表面被金属化以进行所需的电连接。一块石英晶体的物理尺寸和厚度受到严格控制,因为它会影响振荡的...
2024-04-22 49
二极管保护电路的工作原理
二极管是一种允许电流流经一个方向但不允许另一方向流过的器件,因此,它可以用于电路中,仅允许电流仅在正向流动,而在反向流动中阻止电流。当电路中的组件可能会因反向(错误)方向...
2024-04-22 52
常见的电平转换方法
当 3.3V 器件输出高电平信号,由于上拉 5V 作用,信号输入器件被上拉为 5V 电平。 当 3.3V 器件输出低电平信号,使 OUTPUT 信号被拉低,从而信号输入器件信号被拉低。...
2024-04-22 47
关于MOS管电路工作原理的讲解
MOS管的话题虽说是老生常谈,但这份资料几年前就有人给我分享过,这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解,从管脚的识别,到极性的分辨,再到常用功能,应用电路等等...
2024-04-22 48
全球首款氮化镓量子光源芯片诞生
量子光源芯片作为量子互联网的“心脏”,在量子通信中扮演着至关重要的角色。而电子科技大学团队此次研发的氮化镓量子光源芯片,在性能上取得了显著的突破。...
2024-04-19 646
为什么在PCB中使用电阻器?
电阻器是印刷电路板 (PCB) 中使用的最基本元件之一。它们是阻止电路中电流流动的无源器件。PCB 电阻器可以控制、划分、稳定、连接电路等。...
2024-04-19 89
半波整流器和全波整流器的定义和区别
半波整流电路由单个二极管和降压变压器组成,在降压变压器的帮助下将高压交流电转换为低压交流电。此后,连接在电路中的二极管将在交流周期的正半部分中正向偏置,并在负半部分中反向...
2024-04-18 97
IGBT器件失效模式的影响分析
功率循环加速老化试验中,IGBT 器件失效模式 主要为键合线失效或焊料老化,失效模式可能存在 多个影响因素,如封装材料、器件结构以及试验条 件等。...
2024-04-18 75
SiC器件工作原理与优势
碳化硅是一种宽带隙半导体材料,具备高电子迁移率、高热导率以及高击穿电场强度等特点。这些特性使得SiC器件在高温、高电压和高频率下依然能够稳定工作,同时比传统硅基器件体积更小,...
2024-04-18 98
纳芯微发布首款车规级1200V SiC MOSFET
为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品,在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制,所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试,100%抗雪崩能力测试。...
2024-04-18 84
一、二、三代半导体的区别
在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下,第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求,碳化硅和氮化镓等第三代半导体的优势被放大。...
2024-04-18 96
SiC MOSFET短路失效的两种典型现象
短路引起的 SiC MOSFET 电学参数的退化受到了电、热、机械等多种应力的作用,其退化机理需要从外延结构、芯片封装以及器件可靠性等多方面进行论证分析。...
2024-04-17 116
电阻的基本原理 电阻的工艺种类介绍
绕线电阻是将镍铬合金导线绕在氧化铝陶瓷基底上,一圈一圈控制电阻大小。 绕线电阻可以制作为精密电阻,容差可以到0.005%,同时温度系数非常低,缺点是绕线电阻的寄生电感比较大,不能...
2024-04-17 100
电阻不同颜色的色环代表什么意思
电阻器颜色代码是一种标准化系统,用于表示电阻器的电阻值、容差,有时甚至表示电阻器的温度系数。它们由涂在电阻器主体上的彩色带组成,每个彩色带代表电阻器值中的特定数字或乘数。...
2024-04-17 85
MOS管栅极前加100Ω电阻的作用是什么
功率MOS管的驱动电路中会分布各种电感,例如图中的L,它们与MOSFET的Cgd, Cge会形成谐振电路:对开关驱动信号中的高频谐波分量产生谐振,进而引起功率管输出电压的波动。...
2024-04-16 112
碳化硅器件的类型及应用
碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料,具有比传统硅更高的电子漂移率和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作,同时保持稳定性和效率。...
2024-04-16 120
深度解析TVS关键参数及选型技巧
TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬态电压抑制器,又称雪崩击穿二极管。它是采用半导体工艺制成的单个 PN 结或多个 PN 结集成的器件。...
2024-04-16 114
晶振工作原理及匹配电容选取方法
我们知道可以通过调节负载电容CL来微调振荡器的频率,这就是为什么晶振制造 商在其产品说明书中会指定外部负载电容CL值的原因。通过指定外部负载电容CL值,可以使晶 振晶体振荡时达到其...
2024-04-15 92
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