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1. 每个IGBT有独立的驱动器; 2. IGBT的连接形式接近于硬并联,两桥臂交流输出端通过铜排直接相连; 3. 可能存在发射极环流,但不同的IGBT门极回路间不存在耦合,IGBT的开关行为很独立...
ESD保护二极管设计在信号线与GND之间,保护DUP器件免受浪涌电压的冲击。在正常工作模式下,ESD保护二极管几乎没有电流经过,只会有少量电流使反向击穿电压高于信号线电压。...
从 2kHz 频率开始,我们逐渐调小输入信号的频率,直至输出信号的峰峰值降至 2.05 * 0.707 = 1.45V ,此时的频率即为下限截止频率:...
.通电导通性检查 用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT,用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“~”之间的导通性,显示导通,压降为0.379 V。...
为了保护接口,抵抗小能量电压脉冲,防止信号脉冲损坏接口的。 举个简单的例子: 一个串口通讯的提示信号,当接上串口时,因为瞬间的插拔产生了一个很窄的电压脉冲...
必须在基极和发射极之间施加电流,以在集电极中产生电流。图1.2示出了MOSFET,当在栅极和源极端子之间施加电压时在漏极中产生电流。...
整流电路是将交流电转换成单向脉动性直流电,这就是交流电的整流过程,整流电路主要由整流二极管组成。经过整流电路之后的电压已经不是交流电压,而是一种含有直流电压和交流电压的混合电压,习惯上称单向脉动性直流电压。...
电感是闭合回路的一种属性。当线圈通过电流后,在线圈中形成磁场感应,感应磁场又会产生感应电流来抵制通过线圈中的电流。这种电流与线圈的相互作用关系称为电的感抗,也就是电感,单位是“亨利(H)”。...
石英晶体振荡器中使用的石英晶体是一块非常小的、薄的石英切割片或晶片,其两个平行表面被金属化以进行所需的电连接。一块石英晶体的物理尺寸和厚度受到严格控制,因为它会影响振荡的最终频率或基本频率。...
二极管是一种允许电流流经一个方向但不允许另一方向流过的器件,因此,它可以用于电路中,仅允许电流仅在正向流动,而在反向流动中阻止电流。当电路中的组件可能会因反向(错误)方向上流过的电流而严重损坏时,这特别有用。...
当 3.3V 器件输出高电平信号,由于上拉 5V 作用,信号输入器件被上拉为 5V 电平。 当 3.3V 器件输出低电平信号,使 OUTPUT 信号被拉低,从而信号输入器件信号被拉低。...
MOS管的话题虽说是老生常谈,但这份资料几年前就有人给我分享过,这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解,从管脚的识别,到极性的分辨,再到常用功能,应用电路等等...
半波整流电路由单个二极管和降压变压器组成,在降压变压器的帮助下将高压交流电转换为低压交流电。此后,连接在电路中的二极管将在交流周期的正半部分中正向偏置,并在负半部分中反向偏置。...
功率循环加速老化试验中,IGBT 器件失效模式 主要为键合线失效或焊料老化,失效模式可能存在 多个影响因素,如封装材料、器件结构以及试验条 件等。...
在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下,第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求,碳化硅和氮化镓等第三代半导体的优势被放大。...
三极管有两种基本类型,即NPN型和PNP型。在这两种类型中,NPN型的三极管更为常用,所以我们将主要讨论NPN型的三极管。...
有两个晶体管(transistor),一个NPN和一个PNP,连接方式下图所示。假设此晶体管是硅(Si),并显示0.6伏特(V)基极至发射极电压,且两个晶体管的ß值非常高,使得基极电流几乎为零。求电压V??...
短路引起的 SiC MOSFET 电学参数的退化受到了电、热、机械等多种应力的作用,其退化机理需要从外延结构、芯片封装以及器件可靠性等多方面进行论证分析。...