模拟技术
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全面的SiC功率器件行业概览
SiC功率器件市场正处于快速增长阶段，特别是在汽车电动化趋势的推动下，其市场规模预计将持续扩大。 根据Yole Group的报告，汽车行业对SiC功率器件的需求主要来自于电动汽车动力系统的升...
2024-04-07 69
二极管15个关键核心要素
在二极管外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时，二极管正向导通，电流随电压...
2024-04-07 84
如何快速设计过压保护电路
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，也被称为雪崩击穿二极管，是一种二极管形式的高效能保护器件。...
2024-04-06 133
什么是负反馈？运算放大器负反馈电路分析
正反馈提高了电路的放大能力（可以自己根据运放特性想象一下）， 在正反馈中，输入和输出信号的相位相似，因此两个信号相加，适用于振荡电路中。...
2024-04-06 166
如何给电路选择最合适的MOS产品？选择MOS管时需考虑的关键要素
MOS作为一种非常常见的分立器件，它具有开关、放大、调压等作用。MOSFET是电压控制的管子，通常，MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0。...
2024-04-02 511
驱动电路输出模式的推挽与开漏输出
推挽输出（Push-Pull Output），故名思意能输出两种电平，一种是推（拉电流，输出高电平），一种是挽（灌电流，输出低电平）。推挽输出可以使用一对开关来实现，在芯片中一般使用晶体管 ...
2024-04-06 165
IGBT模块封装过程中的技术详解
IGBT 模块封装采用了胶体隔离技术，防止运行过程中发生爆炸;第二是电极结构采用了弹簧结构，可以缓解安装过程中对基板上形成开裂，造成基板的裂纹;第三是对底板进行加工设计，使底板与...
2024-04-02 118
运算放大器的4个经典电路运算分析
如何理解“虚断”呢？由于运放的差模输入电阻很大，一般通用型运算放大器的输入电阻都在 1MΩ以上。因此流入运放输入端的电流往往不足 1uA，远小于输入端外电路的电流。...
2024-04-02 265
如何能找到高性价比的MOS管让产品力提升呢？
三轮车控制器的竞争品牌在近两年越来越多，不仅有衡翔、宗彭、美驱科技等知名的，也有锡安驰、正华仲、DIY、星浩、涌胜、天王鑫、圣创、安百洁、安路班、利瑞、大腾、鸿润达等竞争对手...
2024-04-01 269
安森美SiC方案助力800V车型加速发布 解决补能焦虑
实际上，近期有越来越多的国内外车企开始加速800V电压架构车型的量产，多款20-25万元价格段的标配SiC车型上市。...
2024-04-01 330
联合电子400V SiC（碳化硅）电桥在太仓工厂迎来首次批产
2024年3月，联合电子400V SiC（碳化硅）电桥在太仓工厂迎来首次批产。本次量产标志着联合电子在400V电压平台上实现了Si和SiC技术的全面覆盖，也标志着联合电子同时拥有了400V Si，400V SiC和800V...
2024-04-01 341
二极管反向恢复电流测试方法解析
调节电压旋钮选择器件反向耐压，将电压设置到300V。在测试时，红色夹子和黑色夹子同输入交流电市电无隔离，请勿冒险将示波器探头和夹子连接。...
2024-03-29 117
二维材料异质外延GaN及其应用探索
传统的GaN异质外延主要在蓝宝石衬底、Si衬底或者SiC衬底，在剥离的过程中，如蓝宝石就特别困难，会产生较大的材料损耗和额外成本，且剥离技术也有待进一步提高。...
2024-03-28 95
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。...
2024-03-28 580
MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的？栅源振荡的危害什么？如何抑制
MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢？栅源振荡的危害什么？如何抑制或缓解栅源振荡的现象呢？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的栅源振荡是指在工作过程中，出现的栅极与源极之间...
2024-03-27 405
什么是MOS管亚阈值电压？MOSFET中的阈值电压是如何产生的？
什么是MOS管亚阈值电压？MOSFET中的阈值电压是如何产生的？亚阈值区在 MOSFET器件中的作用及优点 MOS管亚阈值电压指的是在MOSFET器件中的亚阈值区域工作时，门极电压低于阈值电压的情况。在...
2024-03-27 696
MOS管中漏电流产生的主要六大原因
MOS管中漏电流产生的主要六大原因 MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种重要的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。然而，MOS管中漏电流的产生是一个常见的问题，需要仔细...
2024-03-27 555
晶体管入门基础知识全面解析
基极电压升高时，BJT的基极电流开始流动，集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压（VBE）。...
2024-03-27 448
探索天气影响下的三极管异常现象
当单板启动时，SLP_S3会输出3V3电平，此时Q14的ib=（3.3-0.7）/2K=1.3mA；按三极管处于放大区时hFE=100计算，ic=100*1.3mA=130mA，已经超过了ic的饱和电流1.2mA（12V/10K）。...
2024-03-27 236
数字设计的信号完整性基础知识
每当沿着一条导线驱动信号时，该导线周围都会产生磁场。如果两根导线相邻放置，两个磁场可能会相互作用，导致信号之间的能量交叉耦合，称为串扰。...
2024-03-27 107
IGBT模块封装过程中的技术详解
IGBT 模块是由 IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与 FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。...
2024-03-27 282
探索BJT、CMOS、DMOS等半导体工艺技术
双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管。晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动，由于同时涉及到电子和空穴两种载流子的流动，因此它被...
2024-03-27 232
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