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模拟技术

电子发烧友网为用户提供了专业的模拟技术文章和模拟电子技术应用资料等;是值得收藏和分享的模拟技术与电子技术栏目。
安世半导体推出一款可用于推挽缓冲和开漏应用的电压电平转换器

安世半导体推出一款可用于推挽缓冲和开漏应用的电压电平转换器

过去十年来,半导体CMOS技术经过不断发展,现在可以生产符合更低电压和更低功耗I/O标准的高性能系统,尤其是在便携式应用领域。...

2024-03-13 标签:半导体电源电压电压转换器CMOS技术安世半导体 374

瑞能半导体SiC MOSFET系列产品所具有的优势介绍

瑞能半导体SiC MOSFET系列产品所具有的优势介绍

从汽车到可再生能源,碳化硅(SiC)的一系列场景应用正在改变电力电子领域。...

2024-03-13 标签:转换器MOSFETSiC碳化硅MOSFETSiC瑞能半导体碳化硅转换器 309

MOS管和IGBT管到底有什么区别

MOS管和IGBT管到底有什么区别

IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。 IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合,MOSFET存在导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点,在高压时IGBT仍具有...

2024-03-13 标签:开关电源MOS管导通电阻IGBT晶体管 135

MOSFET在便携储能上的应用及优势

MOSFET在便携储能上的应用及优势

针对便携储能市场应用,龙腾半导体的高压SJMOS,其产品优势: 针对QR反激拓扑,优化开关速度,更容易通过EMI测试; 针对谐振拓扑,优化体二极管,增强di/dt能力,降低Qrr和驱动干扰。...

2024-03-13 标签:MOSFETDC-DC移动电源便携储能 102

24位高性能模数转换器ME9620应用经验与总结

ME9620内部集成有多个独立的高阶斩波稳定调制器和FIR数字滤波器,可实现4/8通道同步采样,支持高速、高精度、低功耗、低速4种工作模式。...

2024-03-13 标签:adc数字滤波器模拟电源模数转换器陶瓷电容 81

除碳可提高GaN电子迁移率?

除碳可提高GaN电子迁移率?

据日本研究人员报告,通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”,氮化镓(GaN)的电子迁移率性能创下新高 。...

2024-03-13 标签:电动汽车逆变器氮化镓GaN载流子 358

同轴分流器在SiC和GaN器件中的测量应用

同轴分流器在SiC和GaN器件中的测量应用

随着现代电力电子的高速发展,SiC/GaN 功率器件的应用越来越广泛,工程师经常要测量频率高达数百 kHz,电流高达数十安培的功率电路。...

2024-03-13 标签:功率器件SiCGaN电流探头GaNSiC功率器件电流探头 313

如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢?

如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢?

为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求,进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发,提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法...

2024-03-13 标签:电动汽车散热器SiC功率模块寄生电感 393

量化ADC动态性能的六个技术指标介绍

各点之间的间隔为fs/M,整个频率覆盖范围为dc至fs/2,其中fs为采样率。利用Analog Devices 公司的ADIsimADC程序对理想的12位ADC进行FFT分析后。...

2024-03-13 标签:adc信噪比频谱分析仪频谱SNR 155

芯动半导体与意法半导体在深圳签署碳化硅战略合作协议

长城汽车零部件董事长郑立朋、芯动半导体总经理姜佳佳,意法半导体总裁兼首席执行官 Jean-Marc Chery,执行副总裁、中国区总裁曹志平,中国区市场及应用副总裁Francesco MUGGERI,销售副总裁赵明...

2024-03-13 标签:电动汽车半导体直流变换器意法半导体碳化硅 328

三极管核心结构及工作原理详解

三极管核心结构及工作原理详解

晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。...

2024-03-12 标签:三极管晶体三极管限流电阻 99

艾为推出AWS790X2系列低噪声CMOS运算放大器

艾为推出AWS790X2系列低噪声CMOS运算放大器

该运算放大器的单位增益稳定,并具有超低的输入偏置电流,非常适合传感器接口、有源滤波器、工业和便携式应用。...

2024-03-12 标签:CMOS运算放大器有源滤波器偏置电流艾为电子 54

接地电阻的最高限值为什么是4Ω

接地电阻的最高限值为什么是4Ω

地电阻是电流由接地装置流入大地再经大地流向另一接地体或向远处扩散所遇到的电阻,作用是向大地放电,以保证安全。...

2024-03-12 标签:变压器电流接地电阻接地系统避雷针 103

英飞凌推出G2 CoolSiC MOSFET进一步推动碳化硅技术的发展

英飞凌推出G2 CoolSiC MOSFET进一步推动碳化硅技术的发展

碳化硅(SiC)技术一直是推动高效能源转换和降低碳排放的关键,英飞凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(G2)技术,也是要在这个领域提高了MOSFET的性能指标,扩大还在光伏、储能、电动汽车充电...

2024-03-12 标签:电动汽车英飞凌MOSFET光伏逆变器碳化硅 260

浅析贴片晶振和直插晶振区别以及如何选择?

浅析贴片晶振和直插晶振区别以及如何选择?

现在很多电子产品的时钟模块都是使用的贴片晶振,而贴片晶振也是众多种类晶振的一种。因为大多数电子产品的封装都是分为贴片和直插两类,这就让很多客户都在关注直插晶振和贴片晶振的...

2024-03-11 标签:有源晶振晶振晶体振荡器贴片晶振晶体振荡器晶振有源晶振贴片晶振 689

为什么不建议肖特基并联使用

为什么不建议肖特基并联使用

正向稳态导通压降低肖特基二极管正向压降非常小,一般为0.2~0.45V,比快恢复二极管正向压降低很多,所以自身功耗较小。...

2024-03-11 标签:二极管整流二极管肖特基二极管快恢复二极管续流二极管 167

如何保护电路免受过压?

如何保护电路免受过压?

常见的过压保护元器件或设备有防雷器、压敏电阻、避雷器等。这些元器件或设备能够迅速响应电压变化,并在电压超过预设值时启动保护机制,从而确保设备的安全运行。...

2024-03-11 标签:微控制器稳压二极管过压保护齐纳二极管过压保护电路 360

T型三电平双脉冲测试及拓扑结构

T型三电平双脉冲测试及拓扑结构

双脉冲测试系统:该系统用于产生所需的双脉冲信号,以模拟实际工作中的开关动作。它能够精确地控制脉冲的宽度、幅度和频率,以满足测试需求。...

2024-03-11 标签:测试系统IGBT功率器件三电平脉冲测试 398

双脉冲测试(DPT)的方法解析

双脉冲测试(DPT)的方法解析

双脉冲测试是电力变压器和互感器的一种常见测试方法,其主要目的是评估设备的性能和准确性,确保其符合设计要求和运行标准。...

2024-03-11 标签:电力变压器IGBT功率器件互感器DPT 344

电流检测电阻器很容易吗?

电流检测电阻器很容易吗?

总体电流检测精度误差的预算需要考虑三个因素:初始电阻容差、环境温度变化引起的TCR误差以及自发热引起的TCR误差。幸运的是,供应商会提供具有极低TCR的专用精密金属箔电阻器。...

2024-03-11 标签:电流电阻器TCR 57

如何让运算放大器输出振荡

如何让运算放大器输出振荡

这种现象是由于环路不稳定,相位裕度不足导致的;我们可以按照TI文档中的方法进行相位裕度的仿真。TI的文档如下,我们先仿真一下不并联电容情况下的相位裕度。...

2024-03-11 标签:放大器运算放大器方波并联电容负载电容 66

晶体管极性识别:实用技巧与方法

晶体管极性识别:实用技巧与方法

晶体管的极性区别可通过图形、黑点等标记来进行。该种识别技巧要牢记掌握,常见晶极管电极引脚有椭圆形和直线形排列。...

2024-03-11 标签:电极晶体管 60

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证

3月8日,瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。...

2024-03-11 标签:MOSFET导通电阻SiC驱动电压瞻芯电子 304

什么是MOS管的SOA区?SOA曲线的几条限制线的意思?

什么是MOS管的SOA区?SOA曲线的几条限制线的意思?

SOA区指的是MOSFET的安全工作区,其英文单词是Safe Operating Area。也有一些厂家叫ASO区,其英文单词是Area of Safe Opration,总之,两者是一个意思,下面我们统一称为SOA区...

2024-03-11 标签:开关电源MOS管电机驱动SOA电流限制 1106

深度解析半导体工艺与分类

深度解析半导体工艺与分类

1950年发明,早期模拟电路广泛使用BIPOLAR工艺,BIPOALR工艺可以做到非常低的漏电,非常低的噪声,但是BIPOLAR最大问题是实现数字电路比较困难,或者占用面积较大。...

2024-03-08 标签:集成电路CMOS三极管半导体材料半导体制造 249

车企降价20%要求引发行业震动:SiC产业将面临怎样的影响?

电动汽车最大的成本为动力电池(占比约38%),电控占比约为6%。据英飞凌估算,电控成本中,功率半导体(IGBT/SiC等)约占40%,其次是DC-Link电容,成本占比约为16%。...

2024-03-08 标签:电动汽车新能源汽车车载电源薄膜电容薄膜电容器 136

探讨电感、磁珠与0欧姆电阻三大元件

电感是一种能够存储电能的元件,广泛应用于电源滤波、LC振荡电路以及中低频滤波电路中。其感抗与频率成正比,这意味着在高频下,电感对电流的阻碍作用会增强。...

2024-03-08 标签:存储器电感磁珠欧姆电阻 306

合科泰推出一款采用SOT-23封装的数字晶体管MMUN2214

数字晶体管是带电阻的晶体管,有的在基极上串联一只电阻R1,有的在基极与发射极之间还并联一只电阻R2,电阻R1与电阻R2可按多种方式搭配。...

2024-03-08 标签:电池管理控制器合科泰SMT技术合科泰控制器控制器数字晶体管电池管理 292

半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

氮化镓(GaN)基材料被称为第三代半导体,其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段,在光电子学领域有重要的应用价值。...

2024-03-08 标签:半导体激光器氮化镓GaNGaN半导体氮化镓激光器紫外通信 389

碳化硅(SiC)功率器件核心优势及技术挑战

碳化硅(SiC)功率器件核心优势及技术挑战

SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说,SiC的禁带宽度是硅的近3倍,这意味着在高温下仍可保持良好的电性能;其热导率是硅的3倍以上,有利于高功率应用中...

2024-03-08 标签:功率器件SiC碳化硅 58

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