0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Intel第三代可扩展至强“Ice Lake-SP”性能曝光

lhl545545 来源:快科技 作者:上方文Q 2020-11-30 09:56 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

Intel首次采用10nm工艺的第三代可扩展至强“Ice Lake-SP”已经推迟到2021年第一季度,将会和AMD 7nm工艺、Zen3架构的的第三代霄龙正面对决,无论规格还是性能都讨不到什么便宜。

B站网友“結城安穗-YuuKi_AnS”曝光了Ice Lake-SP的一颗工程样品,隶属于至强银牌4300系列,14核心28线程,17MB二级缓存(每核心独享1.25MB),21MB三级缓存(平均每核心1.5MB),基准频率2.0GHz,最高睿频4.0GHz,但实际运行中全核频率只有1.8-2.0GHz,热设计功耗165W。

虽然是一颗工程样品,但这样的频率确实有点没法看,而同样是早期样品的霄龙7763基准已达2.45GHz,加速则为3.55GHz。

二代可扩展至强没有14核心,与之最接近的是12核心至强银牌4214,频率2.2-3.2GHz,但热设计功耗只有85W,另外新版至强银牌4214R频率提至2.4-3.5GHz,热设计功耗也不过100W。

难道10nm真的如此弱鸡,频率没上去,功耗却控制不住了?只能期待正式版还有大招了。
责任编辑:pj

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • intel
    +关注

    关注

    19

    文章

    3515

    浏览量

    191952
  • 频率
    +关注

    关注

    4

    文章

    1590

    浏览量

    62515
  • 10nm
    +关注

    关注

    1

    文章

    164

    浏览量

    30577
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    LT1019精密电压基准:性能卓越的第三代带隙电压基准

    LT1019精密电压基准:性能卓越的第三代带隙电压基准 在电子工程师的设计工作中,电压基准是众多电路的核心组件,其性能直接影响到整个系统的精度和稳定性。今天就来详细介绍一款性能出色的电
    的头像 发表于 06-03 16:20 73次阅读

    麦科信第三代光隔离探头正式发布

    作为国内光隔离探头开创者,麦科信从第一光隔离探头填补国内技术空白,到第二光隔离探头在光伏逆变、储能、第三代半导体、工业电源、电机驱动、汽车OBC及充电桩等电力电子领域的大批量应用,麦科信依托独家
    的头像 发表于 05-13 15:06 1086次阅读
    麦科信<b class='flag-5'>第三代</b>光隔离探头正式发布

    博世第三代碳化硅芯片:性能跃升20%,重构电动汽车效率新标杆

    2026年4月,博世正式推出第三代碳化硅芯片,以“综合性能提升20%”为核心突破,通过全球产能布局与技术革新,为电动汽车电驱系统注入高效能量控制新动能,标志着碳化硅半导体在电动出行领域的技术与产业双重突破。
    的头像 发表于 04-28 11:34 1581次阅读

    英特尔第三代酷睿处理器发布:18A 工艺普惠 AI,重塑日常计算体验

    近日,英特尔正式推出全新 **第三代英特尔 ® 酷睿™移动处理器** (Core Series 3),以**Intel 18A 先进制程**与**Panther Lake 架构**为基石,面向价值型
    的头像 发表于 04-23 11:21 2670次阅读

    轻薄、AI、数日续航、性能强劲,第三代英特尔酷睿Ultra新品重磅上市

    今日,英特尔在上海举办了第三代英特尔酷睿Ultra处理器新品分享会。作为全球首款基于Intel 18A工艺打造的计算平台,第三代英特尔酷睿 Ultra处理器家族以卓越性能、领先显卡表现
    的头像 发表于 03-19 13:12 427次阅读

    探索TPA2008D2:第三代5 - V Class - D音频功放的卓越性能

    探索TPA2008D2:第三代5 - V Class - D音频功放的卓越性能 在音频功放的领域中,TI的TPA2008D2脱颖而出,成为了第三代5 - V Class - D音频功放的杰出代表
    的头像 发表于 02-03 15:20 646次阅读

    龙腾半导体推出全新第三代超结MOSFET技术平台

    今天,龙腾半导体正式交出答卷 -- 基于自主工艺路线开发的全新第三代(G3) 超结 MOSFET技术平台。
    的头像 发表于 01-22 14:44 1343次阅读
    龙腾半导体推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超结MOSFET技术平台

    行业快讯:第三代半导体驶入快车道,碳化硅器件成本有望年内接近硅基

    行业快讯:第三代半导体驶入快车道,碳化硅器件成本有望年内接近硅基
    的头像 发表于 01-16 11:41 683次阅读

    高频交直流探头在第三代半导体测试中的应用

    高频交直流探头基于法拉第电磁感应原理,具备高带宽、高精度和高分辨率,适用于第三代半导体器件的动态特性、栅极电流测量及开关损耗计算。
    的头像 发表于 01-15 09:16 475次阅读

    Cadence公司成功流片第三代UCIe IP解决方案

    为推动小芯片创新的下一波浪潮,Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互连技术(UCIe)IP 解决方案,在台积电先进的 N3P 工艺上实现了业界领先的每通道 64Gbps 速率。随着行业向日
    的头像 发表于 12-26 09:59 672次阅读
    Cadence公司成功流片<b class='flag-5'>第三代</b>UCIe IP解决方案

    Neway第三代GaN系列模块的生产成本

    Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响,整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、成本构成:核心
    发表于 12-25 09:12

    开启连接新纪元——芯科科技第三代无线SoC现已全面供货

    搭载第三代无线SoC中的Secure Vault安全技术率先通过PSA 4级认证
    的头像 发表于 10-09 15:57 4.3w次阅读

    基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用

    基础,将其定位为平面栅碳化硅(SiC)MOSFET技术的一次重要演进,其目标不仅在于追赶,更在于在特定性能维度上超越市场现有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平台概述 B3M系列是基本半导体推出的第三代
    的头像 发表于 10-08 13:12 1277次阅读
    基本半导体B3M平台深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技术与应用

    上海贝岭发布第三代高精度基准电压源

    BLR3XX系列是上海贝岭推出的第三代高精度基准电压源。具有高输出精度、低功耗、低噪声以及低温度系数的特性。
    的头像 发表于 07-10 17:48 1513次阅读
    上海贝岭发布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基准电压源

    电镜技术在第三代半导体中的关键应用

    第三代半导体材料,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现,正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中,电镜技术发挥着不可或缺的作用
    的头像 发表于 06-19 14:21 1010次阅读
    电镜技术在<b class='flag-5'>第三代</b>半导体中的关键应用