英飞凌科技股份公司,作为全球领先的半导体公司,近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列,这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装,为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29117 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术,据官方介绍,这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术,相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181430 **VBsemi FDFS2P106-NL-VB MOSFET芯片**- **丝印:** VBA4658- **品牌:** VBsemi- **参数:** - 2个P沟道MOSFET管
2024-03-19 14:20:45
器件型号: E2P102L-VB丝印: VBA4338品牌: VBsemi参数:- 2个P-Channel沟道- 额定电压: -30V- 最大电流: -7A- 沟道内阻: 35mΩ @ VGS
2024-03-18 16:44:43
- Vth=-1.5V封装: SOP8详细参数说明:D2P02-VB是一款双P-Channel沟道功率MOSFET,工作电压为-30V,最大电流为-7A。其静态漏极-源极
2024-03-16 16:36:27
英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET,满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45203 AO4701-VB 是 VBsemi 品牌的 P 沟道 MOSFET,具有以下详细参数:- 2 个 P 沟道沟道- 工作电压范围:-30V- 最大连续漏极电流:-7A- 开启电阻:35m
2024-03-13 17:19:50
电子发烧友网站提供《N沟道40 V,2.6 mOhm,160 A逻辑电平MOSFET PSMN2R5-40YLB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:58:300 电子发烧友网站提供《N沟道40 V,2.2 mOhm,180 A标准电平MOSFET PSMN2R2-40YSB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:56:390 电子发烧友网站提供《N沟道40 V,2.1 mOhm,180 A逻辑电平MOSFET PSMN2R0-40YLB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:55:140 电子发烧友网站提供《N沟道40 V,1.9 mOhm,200 A标准电平MOSFET PSMN1R9-40YSB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:53:300 电子发烧友网站提供《N沟道40 V,1.8 mOhm,200 A逻辑电平MOSFET PSMN1R7-40YLB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:51:470 电子发烧友网站提供《N沟道40 V,3.5 mOhm,120 A标准电平MOSFET PSMN3R5-40YSB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:50:270 电子发烧友网站提供《N沟道40 V,3.3 mOhm,120 A逻辑电平MOSFET PSMN3R2-40YLB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:46:420 电子发烧友网站提供《N沟道40 V,2.8 mOhm,160 A标准电平MOSFET PSMN2R8-40YSB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:45:020 :** P-Channel 沟道 MOSFET- **电压等级:** -40V- **电流等级:** -65A- **导通电阻(RDS(ON)):** 10mΩ @
2024-02-20 11:15:00
产品型号: NCE40P05Y-VB丝印: VB2355品牌: VBsemi**详细参数说明:**- 封装类型: SOT23- 沟道类型: P-Channel- 额定电压: -30V- 最大电流
2024-02-20 09:43:16
**产品型号:** IPD90P04P4-05-VB**丝印:** VBE2406**品牌:** VBsemi**参数:**- 封装:TO252- 沟道类型:P—Channel- 额定电压
2024-02-19 17:20:56
ZC3201是一款40V高精度微安级功率LDO稳压器。只有luA的功耗使其适用于大多数高压节电系
统。其最大工作电压高达40V.
其他功能包括低压差,±1%的极高输出精度,限流保护和高纹波抑制比
2024-02-19 16:12:50
VBsemi MDS3754ARH-VB P—Channel MOSFET 参数:- 封装:SOP8- 沟道类型:P—Channel- 最大电压:40V- 最大电流:11A- RDS(ON):13m
2024-02-19 10:59:41
电子发烧友网站提供《LFPAK56中的N沟道40 V,1.3 mΩ逻辑电平MOSFET BUK9Y1R3-40H数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-26 09:25:320 电子发烧友网站提供《N沟道40 V,0.81 mOhm,320 A标准电平MOSFET PSMNR70-40YSN英文资料.pdf》资料免费下载
2024-01-04 14:19:310 电子发烧友网站提供《NSF040120L4A0:1200 V,40 mΩ,N沟道SiC MOSFET初步数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 16:26:191 电子发烧友网站提供《双N沟道40 V,13 mOhm逻辑电平MOSFET LFPAK56D(半桥配置)产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 14:31:020 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化,主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 概述PC5028是一款高性能的增压器驱动N沟道MOSFET的控制器同步升压功率级,从宽输入电源范围从4.5V到40V。当控制器从输出电压偏置控制器可以从低至启动后1V。开关频率可以通过编程FREQ
2023-12-25 18:23:47
型号:50P06-VB丝印:VBE2625品牌:VBsemi参数:- P沟道 MOSFET- 额定电压:-60V- 最大持续电流:-50A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):20mΩ @ 10V
2023-12-20 15:07:09
型号:AM40P03-20D-T1-PF-VB丝印:VBE2317品牌:VBsemi参数:P沟道,-30V,-40A,RDS(ON),18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V
2023-12-20 11:19:59
电子发烧友网站提供《NSF040L3A0:1200伏,40米Ω,NN沟道SiC MOSFET应用指南.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:37:520 **参数:**- 沟道类型:P沟道- 额定电压:-30V- 最大电流:-60A- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V
2023-12-18 17:31:41
型号:HAT1024R-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数说明:- **双P沟道:** 该器件包含两个P沟道MOSFET,电流在P沟道中流动,通常用于不同类型的应用,如电源开关等
2023-12-18 17:03:12
型号:CES2301-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi参数说明:- **P沟道:** 该器件是一种P沟道MOSFET,电流在P沟道中流动,通常用于不同类型的应用,如电源开关等。- **工作
2023-12-18 11:45:33
型号:MMSF7P03HDR2G-VB丝印:VBA2333品牌:VBsemi参数说明:- **P沟道:** 该器件是一种P沟道MOSFET,电流在P沟道中流动,通常用于不同类型的应用,如电源开关等
2023-12-18 10:18:54
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压 (Vth):-2V- 封装:TO220应用简介:HM70P04-VB是一款高性能P沟道MOSFET,适用于需要高电流承
2023-12-15 10:08:42
型号:FDG6316P-VB丝印:VBK4223N品牌:VBsemi参数说明:- MOSFET类型:2个P沟道- 额定电压:-20V- 最大电流:-1.5A- 导通电阻(RDS(ON)):230m
2023-12-14 13:37:54
Ω @ 10Vgs、240mΩ @ 4.5Vgs- 阈值电压(Vth):2V 到 4V 可调- 封装类型:SOT223应用简介:FQT5P10TF-VB是一款P沟道MOSFET
2023-12-13 16:15:14
(± V);-1.92Vth(V);TO252详细参数说明:- 型号: SQD40P10-40L-GE3-VB- 功能类型: P沟道功率MOSFET- 最大电压: -1
2023-12-13 14:24:33
:±20V- 阈值电压:-0.83V- 封装:SOT223详细参数说明:FDT434P-NL-VB是一款P沟道功率MOSFET,工作电压为-40V,工作电流为-6
2023-12-13 11:40:57
:IFNNY)顺应系统层面的发展趋势,推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率
2023-12-12 18:04:37494 。
SL3061 40V/2.5A开关降压型转换器产品概述:SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器,工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压(6V至40V)可提供
2023-12-12 16:11:08
:P9006EDG适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。适用领域与模块:适用于电源开关、逆变器和功率放
2023-12-08 16:36:21
:DTU40P06适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。适用领域与模块:适用于电源开关、逆变器和功率放大
2023-12-06 15:17:33
本文提供了来自英飞凌的两个文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin,其中在OptiMOS_n.sin这个单个模板中文件中包含了286个模型。
2023-12-06 11:32:46505 硬件面试中有遇到过这样的事吗?通常让你画一个增强型的MOSFET,或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 3.3V 单电源给AD8138 运放供电时,AD8138信号 输入输出范围是多少?看手册比较疑惑,
我现在的设计是:
输入0.7v - 2.7v 的10M 单端 2v p-p 的信号,
输出
2023-11-20 08:15:48
产品使用线性CMOS图像传感器,输出 0.7v-2.7v 的10M 频率2v p-p的单端视频信号,准备用AD8132或者AD8138或AD4932驱动 AD9235-20 做ADC转换,希望
2023-11-20 06:32:55
转换器产品概述:SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器,工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压(6V至40V)可提供最大2.5A电流高效率输出。SL3061
2023-11-13 15:24:19
想用运放实现1~-40V的脉冲电源,1到-40V的时间为2us,计算SR至少要求63V/us,看了下几款车规级高压运放,请问下使用LT1010可以实现吗?能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型?
谢谢!
2023-11-13 14:20:54
型号 SQD40P10-40L-GE3-VB 功能类型 P沟道功率MOSFET 最大电压 -100V 最大电流
2023-11-09 16:05:38
型号 NCE40P40K-VB丝印 VBE2412品牌 VBsemi详细参数说明 P沟道 额定电压  
2023-11-09 11:26:03
地址送到P0和P2后,程序执行的时序是ALE的脉冲产生的吗
2023-11-09 08:30:43
一般说明
PL2700是一种经济有效、低电压、单P-MOSFET负载开关,为自供电和总线供电的通用串行总线(USB)应用进行了优化。该开关的输入范围从2.4V到5.5V,使它非常适合3V和5V系统
2023-11-08 16:44:46
型号 SI4401DDYT1GE3丝印 VBA2412品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 11A 导通电阻 13mΩ@10V, 17m
2023-11-06 11:15:08
Ω @ 4.5V 额定栅极源极电压(Vgs) 20V (±V) 阈值电压(Vth) 1.3V 封装类型 TO252应用简介 2SJ245S是一款P沟道MOSFET,具
2023-11-03 15:41:20
)- 阈值电压 -1.5Vth (V)- 封装类型 SOP8应用简介 P06B03LVG是一款2个P沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有负的额定电压和额
2023-11-02 14:42:23
型号 NTF6P02T3G丝印 VBJ2456品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 6A 导通电阻 42mΩ @10V, 49m
2023-11-02 10:16:18
型号 SQD50P0615LGE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 50A 导通电阻 20mΩ @10V, 25m
2023-11-02 09:28:15
国产新风尚!WAYON维安针对PC及PC电源推出MOSFET细分产品
2023-11-01 15:10:01231 型号 MDD3754RH丝印 VBE2412品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 65A 导通电阻 10mΩ @10V, 13m
2023-10-31 16:14:45
);SOP8该产品具有以下详细参数说明 类型 P沟道功率场效应管 最大耐压 40V 最大漏极电流 11A 导通时的电阻(RDS(ON)) 13mΩ@10V, 1
2023-10-30 15:43:23
型号 2SJ668丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 导通电阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
2023-10-30 15:13:18
1.2~2.2Vth (V) 封装类型 SOT236应用简介 FDC6306P是一款双P沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和
2023-10-30 11:44:53
型号 AP4563GH丝印 VBE5415品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N+P沟道MOSFET 最大耐压 ±40V 最大电流 50A/50A 导通电阻 15mΩ @10V
2023-10-28 16:06:13
型号 SUD50P0408GE3丝印 VBE2412品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 65A 导通电阻 10mΩ@10V, 13m
2023-10-28 15:35:51
型号 FDD5614P丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 导通电阻 61mΩ @10V, 72m
2023-10-28 11:48:41
AON6884,规格书, 设计方案,使用方法,AOS/万代,40V双N沟道MOSFET 一般说明,AON6884采用先进的沟槽技术以低栅极电荷提供优异的RDS(ON)。这是一个适用于大范围
2023-10-24 15:03:33
AP64200Q 产品简介DIODES 的AP64200Q这款是一款符合汽车标准的 2A 同步降压转换器,具有 3.8V 至 40V 的宽输入电压范围。该器件完全
2023-10-23 19:56:00
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z,一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装,具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻(RthJC最大值为3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518 单元(ECU)市场预计将在未来几年持续增长。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)针对这一发展趋势,推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封装的新半导体产品
2023-10-13 13:57:361132 电子发烧友网为你提供ADI(ADI)LT8204:40V 全脊或双半脊半脊数据表相关产品参数、数据手册,更有LT8204:40V 全脊或双半脊半脊数据表的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2023-10-08 16:47:10
DMP4047SSDQ 产品简介DIODES 的 DMP4047SSDQ 这款新一代 40V P 沟道增强模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同时保持卓越
2023-09-15 10:01:52
DMP4047SSD 产品简介DIODES 的 DMP4047SSD 这款新一代 40V P 沟道增强模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同时保持卓越的开关性能
2023-09-15 09:54:20
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET,根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低,使其特别适用于需要更多高效,更紧凑,LED照明,高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
DMP4047LFDE 产品简介DIODES 的 DMP4047LFDE 这款新一代 40V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同时保持卓越的开关性能
2023-09-14 19:46:59
DMP4013LFGQ 产品简介DIODES 的 DMP4013LFGQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准,受 PPAP 支持,非常适合用于:反
2023-09-14 18:15:26
IEEE802.3af 标准,输入端允许输入 36 至 57 VDC 的电压,并为电路板提供 5V 的电压。这是一个出色的解决方案,并为该小板的适用性带来了显着的好处。一旦我们将 P2 Pro 连接到 PoE 网络
2023-09-13 12:21:21
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474 。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容,此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案,在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGL(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557 这种40V双电源电路是应菲律宾Michael的要求而设计的。他的应用是为此处发布的150瓦放大器电路供电。我认为这种电源设计足以达到目的。变压器T1降低电源电压,电桥D1执行整流,C1和C2执行滤波工作。C3和C4是去耦电容。
2023-07-18 17:41:321035 40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用:汽车
2023-07-04 20:37:240 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 沟道功率 MOS FET 应用:汽车
2023-07-04 20:37:050 采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列,进一步提升比导通电阻,减小RDSON*A,即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON,或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 供应HY3810NA2P TO-220AB 100v耐压mos管100V/180A N沟道增强型MOSFET,提供HY3810NA2P关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:21:45
向日葵p2插座烧了 这个红色框位置是保险丝还是电阻?请大神支招。
2023-06-06 12:01:17
【 2023 年 5 月 12 日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361026 *附件:power1.pdf
遇到一个电源板无法供电故障,此电源电路采用P沟道MOS限流保护设计。正常启动时Q14栅极上电慢,低于源极,MOS管导通,经过后级U9基准和U27运放组成恒压源电路,限制
2023-06-05 22:50:12
随着科技的不断进步,电子设备的功能日益强大,对功率管理的需求也越来越高。在这个快节奏的时代,我们需要一种先进的元件来满足不同应用的电源管理需求。ASDM40P55KQ P
2023-06-05 11:09:47
在本文中,我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路,该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 MOSFET是以金属层(M)栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同,MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常又称为N型MOSFET(NMOSFET)和P型MOSFET(PMOSFET)。
2023-04-13 09:40:30691 应用: DC-DC转换 SMPS中的同步整流 硬开关和高速电路 电动工具 电机控制 概述: PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET,采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强
2023-04-11 14:47:50513
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