型号 AP4563GH丝印 VBE5415品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N+P沟道MOSFET 最大耐压 ±40V 最大电流 50A/50A 导通电阻 15mΩ @10V, 18.75mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 ±1Vth 封装 TO2525应用简介 AP4563GH是一款N+P沟道MOSFET，适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±40V，最大电流为50A/50A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于负责电流控制和功率开关的电源管理模块。2. 电机驱动模块 可用于驱动大功率电机，如电动汽车和工业机械中的驱动电路。3. 逆变器模块 适用于太阳能逆变器和UPS系统等高功率逆变器。总之，AP4563GH适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和逆变器模块等。
--- 产品参数 ---
- 类型 N+P沟道
- 最大耐压 ±40V
- 最大电流 50A/50A
- 导通电阻 15mΩ @10V, 18.75mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 ±1Vth
- 封装 TO2525
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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