--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
P9006EDG (VBE2610N)参数说明:P沟道,-60V,-38A,导通电阻61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。
应用简介:P9006EDG适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。
其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。
适用领域与模块:适用于电源开关、逆变器和功率放大器等领域模块,特别适合高功率要求的场景。
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