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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE40P40K-VB-TO252封装P沟道MOSFET

型号: NCE40P40K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 额定电压 -40V
  • 额定电流 -65A
  • 开启电阻 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20Vgs(±V
  • 阈值电压 -1.6Vth(V)
  • 封装形式 TO252

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号  NCE40P40K-VB
丝印  VBE2412
品牌  VBsemi

详细参数说明  
 P沟道
 额定电压  -40V
 额定电流  -65A
 开启电阻  10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
 阈值电压  -1.6Vth(V)
 封装形式  TO252

应用简介  
NCE40P40K-VB是一种P沟道功率MOSFET,适用于各种高功率应用。其主要特点是低开启电阻和大电流能力,能够承受较高的电压。该器件广泛应用于以下领域模块  

1. 电源和逆变器模块  NCE40P40K-VB可用于开关电源、逆变器、电源管理和电源控制模块中,提供高效的功率开关功能。

2. 电动工具  该MOSFET可用于电动工具领域,如电钻、电锯和电动车辆等,用于提供高功率和高效的电能转换。

3. 电动车辆充电器  NCE40P40K-VB可用于电动车充电器中,提供高功率充电,高效能源转换。

4. LED照明  该器件还适用于LED照明领域,如LED驱动器和LED控制模块中,用于实现高效能的电能转换和控制。

总之,NCE40P40K-VB主要用于高功率应用中,特别适合需要高效率和高功率开关功能的应用领域。
 

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