--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
器件型号: E2P102L-VB
丝印: VBA4338
品牌: VBsemi
参数:
- 2个P-Channel沟道
- 额定电压: -30V
- 最大电流: -7A
- 沟道内阻: 35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: -1.5V
封装: SOP8

应用简介:
E2P102L-VB是一款P-Channel MOSFET,适用于负电压下的功率开关和控制应用,具有低沟道内阻和高性能。
示例应用:
1. 电池保护模块: 可用于设计负电压下的电池保护电路,防止电池过充、过放和短路等情况。
2. 电源逆变器: 适用于负电压逆变器和UPS系统,实现电能的转换和调节,在电源管理和备用电源领域有广泛应用。
3. 汽车电子系统: 在汽车电子领域中,可用于车载电源管理、驱动电机和车载充电系统,提升汽车的能效和安全性。
4. 工业自动化: 在工业控制系统中,可用于负电压开关电源、电机控制和工业自动化模块中的电源管理。
5. LED照明: 作为LED驱动器中的开关元件,可实现LED照明系统中的负电压控制和调光功能,提供高效稳定的照明效果。
E2P102L-VB的特性使其适用于各种负电压控制和功率开关应用,为系统设计提供高效稳定的电源管理和保护功能。
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