型号 NTF6P02T3G丝印 VBJ2456品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 6A 导通电阻 42mΩ @10V, 49mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 0.83Vth 封装 SOT223应用简介 NTF6P02T3G是一款P沟道MOSFET，适用于需要负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为40V，最大电流为6A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 汽车电子模块 可用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。3. 工业自动化模块 适用于工业自动化领域中的负载开关和电源控制。总之，NTF6P02T3G适用于需要负极电压控制和负载开关的应用领域的模块设计，主要用于电源管理、汽车电子模块和工业自动化模块等。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 40V
- 最大电流 6A
- 导通电阻 42mΩ @10V, 49mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 0.83Vth
- 封装 SOT223
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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